BiFeO_3多铁薄膜掺杂改性研究进展 被引量：8

1

作者 张玉 雷天宇 +3 位作者 任红 孙远洋 蔡苇 符春林 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期83-90,122,共9页

铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料,其禁带宽度较小,剩余极化强度较大,居里温度较高,在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。但铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问... 铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料,其禁带宽度较小,剩余极化强度较大,居里温度较高,在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。但铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问题,制约了在实际中的应用。离子掺杂具有操作方便、易于实现薄膜的微结构及性能调控等优点,因而受到广泛关注。综述了国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的相关工作,阐述了不同种类的掺杂,包括A位(三价镧系元素与二价碱金属元素)、B位(过渡金属元素等)以及AB位共掺杂,同时根据掺杂对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性以及介电性能的影响,对A位掺杂和B位掺杂中的元素进行了分类,系统总结了各类元素掺杂改性的效果及其机理。最后,提出了铁酸铋薄膜亟待解决的问题。 展开更多

关键词 铁酸铋 薄膜 漏电流 铁电性 掺杂改良

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基于铁电陶瓷的RAINBOW元件的力学优化设计 被引量：3

2

作者 沈星 冯伟 李仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期799-802,共4页

基于铁电陶瓷的RAINBOW元件是一种具有内部应力偏移,含有还原层,并有特殊结构的大位移铁电驱动器。本文通过力学方法分析了其应力分布状态,并建立了相应的有限元模型。结果表明,两种分析方法得到了相同的规律,即还原层厚度比率为1/3时... 基于铁电陶瓷的RAINBOW元件是一种具有内部应力偏移,含有还原层,并有特殊结构的大位移铁电驱动器。本文通过力学方法分析了其应力分布状态,并建立了相应的有限元模型。结果表明,两种分析方法得到了相同的规律,即还原层厚度比率为1/3时元件内部的应力状态最优,有利于获得最大的电场诱导位移。 展开更多

关键词 铁电陶瓷 驱动器 应力 有限元

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PbTiO_3铁电薄膜晶化工艺研究 被引量：1

3

作者 姜斌 齐增亮 +2 位作者 耿永涛 蒋书文 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期354-355,358,共3页

对sol-gel法制备的PbTiO3薄膜采用不同晶化工艺进行晶化,研究了晶化温度和基片对薄膜晶化的影响。研究表明,采用快速晶化工艺时,在550-750℃的较宽温度范围内,薄膜能够结晶形成稳定钙铁矿相结构,在LaAlO3基片上能获得结晶良好、具有(001... 对sol-gel法制备的PbTiO3薄膜采用不同晶化工艺进行晶化,研究了晶化温度和基片对薄膜晶化的影响。研究表明,采用快速晶化工艺时,在550-750℃的较宽温度范围内,薄膜能够结晶形成稳定钙铁矿相结构,在LaAlO3基片上能获得结晶良好、具有(001)择优取向的PbTiO3薄膜。与常规晶化相比,快速晶化处理的薄膜结晶质量好,晶粒较小、分布均匀致密。 展开更多

关键词 铁电薄膜 快速晶化 PBTIO3

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铁电隧道结的研究进展

4

作者 潘瑞琨 章天金 +2 位作者 杨凤霞 马志军 何苗 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第13期10-13,共4页

铁电隧道结是一种具有量子隧穿效应和电致电阻效应的新型隧道结。从铁电隧道结的基本理论出发,针对势垒层和电极材料选取的角度详细介绍了铁电隧道结的研究成果,揭示了材料选取对隧道结中铁电性保持的重要影响,含铅的钙钛矿型氧化物作... 铁电隧道结是一种具有量子隧穿效应和电致电阻效应的新型隧道结。从铁电隧道结的基本理论出发,针对势垒层和电极材料选取的角度详细介绍了铁电隧道结的研究成果,揭示了材料选取对隧道结中铁电性保持的重要影响,含铅的钙钛矿型氧化物作为铁电势垒层是目前研究的重点。铁电隧道结的研究正向着无铅材料及多铁隧道结方向发展。最后讨论了铁电隧道作为存储器单元应用的可能性与优点。 展开更多

关键词 铁电隧道结 电致电阻效应 量子隧穿效应

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铁电/铁磁复合材料的介电、铁电性能研究

5

作者 陈江丽 徐卓 王斌科 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期112-114,118,共4页

采用传统的固相烧结工艺制备了铁电/铁磁复合材料,组分为(1-x)NiFe_2O_4+xPbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3(其中x=0.5,0.6,0.7,0.8)。利用XRD和背散射电子像分析了复合材料的相成分,结果表明,复合材料由铁电相和铁磁相组成,无杂相生成。通过测... 采用传统的固相烧结工艺制备了铁电/铁磁复合材料,组分为(1-x)NiFe_2O_4+xPbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3(其中x=0.5,0.6,0.7,0.8)。利用XRD和背散射电子像分析了复合材料的相成分,结果表明,复合材料由铁电相和铁磁相组成,无杂相生成。通过测量电阻率及压电性能得出复合材料的最佳烧结温度约为1 220℃。介电温谱研究表明,相变温度约为390℃,且不随频率变化,是铁电到顺电的相变。电滞回线呈束腰特征,剩余极化强度较小,随铁电体含量的增加剩余极化强度增大,铁电性加强。 展开更多

关键词 铁电/铁磁复合材料 PbZr0.52Ti0.48O3 NIFE2O4 介电 铁电

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布里渊散射决定0．67Pb(Mgl/3Nb2/3)O3一0．33PbTiO3 单晶的弹性、压电和介电常数

6

作者 刘玉龙 杨洋 +4 位作者 孙靖雅 朱恪 徐正奎 萧季驹 罗毫甦 《光散射学报》 北大核心 2009年第2期136-141,共6页

我们报道了用高分辨布里渊散射，确定0．67Pb（Mg1／3Nb2、3）O2-0．33PbTiO2单晶中的弹性、压电和介电常数．所有的实验数据都是在一块沿[001]方向的极化的单晶样品上获得的。我们实验中得到的这些常数的数值和以往超声共振技术获得的... 我们报道了用高分辨布里渊散射，确定0．67Pb（Mg1／3Nb2、3）O2-0．33PbTiO2单晶中的弹性、压电和介电常数．所有的实验数据都是在一块沿[001]方向的极化的单晶样品上获得的。我们实验中得到的这些常数的数值和以往超声共振技术获得的数值相似。我们还研究了压缩模和剪切模在（010）和（001）平面内的方向依赖性。TA1和TA2模式的强度对散射角度有很强列依赖性。在散射角度为45°～65°内，一个新的峰出现在～18GHz附近。它可能与晶体中的微观不均匀性或者局域微结构相关。 展开更多

关键词 驰豫型铁电体 PMN-PT单晶 布里渊散射

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PZTS-NiCuZn铁电-铁磁复合材料的电磁性能研究

7

作者 陈世钗 贾利军 +2 位作者 罗俊 张怀武 刘光聪 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第1期129-133,共5页

首先用溶胶-凝胶法制得了Pb_(0.95)Sr_(0.05)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZTS)纳米粉料,然后采用固相反应法合成一系列PZTS-NiCuZn铁电-铁磁复合材料。研究了该复合材料的电磁性能。结果表明,在一定温度下烧结所得的复合材料,由铁电相和... 首先用溶胶-凝胶法制得了Pb_(0.95)Sr_(0.05)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZTS)纳米粉料,然后采用固相反应法合成一系列PZTS-NiCuZn铁电-铁磁复合材料。研究了该复合材料的电磁性能。结果表明,在一定温度下烧结所得的复合材料,由铁电相和铁磁相组成,对外表现出铁电性和铁磁性,同时具有电感和电容两种特性,且频率稳定性好,有望成为用于制作叠层片式抗电磁干扰(EMI)滤波器的复合双性材料。 展开更多

关键词 PZTS-NiCuZn铁电-铁磁复合材料 镍铜锌铁氧体 低温共烧 电磁特性 显微结构

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铁电晶体均匀受热时平行于极轴表面的热释电电荷

8

作者 王旭升 张显炽 +1 位作者 朱左 刘庆功 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期50-55,共6页

论述利用电荷积分法测量单轴 LiTaO_3铁电晶体在均匀加热时平行于极化轴表面的热释电电荷,由电势理论对其进行了分析讨论。

关键词 热释电效应 铁电晶体

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串行FRAMFM25H20原理及其应用 被引量：1

9

作者 赵振华 杨小庆 《国外电子元器件》 2008年第10期41-42,45,共3页

介绍非易失性铁电存储器FM25H20的性能特点,内部结构和工作原理;给出单片机与FM25H20的写操作接口电路图,以及FM25H20的写操作流程图。归纳出任何一款8位数据总线宽度用于计算机系统时使用FM25H20的方法,从而实现大容量存储系统的扩展。

关键词 存储器 计算机 接口 单片机/写保护 铁电存储器 FM25H20

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s杂Bi_4Ti_3O_(12)铁电陶瓷的制备及其铁电性研究

10

作者 宁青菊 李艳杰 +1 位作者 赵文雅 谢俊超 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2008年第4期49-51,57,共4页

为了提高Bi4Ti3O12材料的剩余极化强度,改善材料的铁电性,作者以Bi4Ti3O12为基础,采用固相法制备了Bi4Ti3O12铁电陶瓷,并通过s入稀土离子Nb5+对其进行了改性,同时对试样的结构、形貌和铁电性能进行了测试.结果表明:Nb5+掺杂并不改变材... 为了提高Bi4Ti3O12材料的剩余极化强度,改善材料的铁电性,作者以Bi4Ti3O12为基础,采用固相法制备了Bi4Ti3O12铁电陶瓷,并通过s入稀土离子Nb5+对其进行了改性,同时对试样的结构、形貌和铁电性能进行了测试.结果表明:Nb5+掺杂并不改变材料的相组成;当掺杂量为0.08mol%时,材料的性能较好,晶粒大小均匀,平均晶粒尺寸为5μm;适量的Nb5+掺杂能够显著提高材料的剩余极化强度,当掺杂量为0.08mol%时,材料的剩余极化强度为14.2μC/cm2,矫顽场为54kV/cm. 展开更多

关键词 铁电陶瓷 钛酸铋(Bi4Ti3O12) 掺杂 铁电

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基于MEH-PPV/PVK混合发光层的白光PLED发光机理探讨

11

作者 张方辉 杨丹 +1 位作者 王秀峰 曾金梅 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2008年第4期45-48,57,共5页

分别采用聚合物MEH—PPV、PVK、MEH—PPV和PVK混合溶液及MEH—PPV、PVK与OXD-7混合溶液作为发光层材料制成了4种相似结构的PLED显示器件，并对上述器件进行了光谱测试．对其光谱分析发现，MEH-PPV的光谱主要集中在红、黄领域，短波区光... 分别采用聚合物MEH—PPV、PVK、MEH—PPV和PVK混合溶液及MEH—PPV、PVK与OXD-7混合溶液作为发光层材料制成了4种相似结构的PLED显示器件，并对上述器件进行了光谱测试．对其光谱分析发现，MEH-PPV的光谱主要集中在红、黄领域，短波区光谱强度弱，可以忽略不计；PVK的光谱范围较宽，短波区域光谱强度相对较高，但与长波区光谱强度相比则较低；MEH—PPV：PVK混合发光材料不仅出现了MEH—PPV和PVK所有光谱的光线，而且实验发现波长在500～540nm的光线亮度随着波长的增加亮度增强，即出现了所谓的反常区，对此作者提出两种模型对该反常区进行了详细解释；加入电子传输材料OXD-7后，PLED器件短波长部分的光线强度增加，这主要是由于OXD-7能够有效增加电子的传输效率，进而有效提高激子的能量． 展开更多

关键词 白光PLED 发光机理 MEH—PPV PVK

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影响磁控溅射制备PST/Si薄膜介电特性的几个因素

12

作者 王茂祥 孙平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期151-154,共4页

采用磁控溅射制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST/Si)薄膜。测试表明,热处理工艺对PST/Si薄膜介电特性有着一定的影响,适当温度、适当时间的热处理可得到均匀致密的膜层及生长良好的晶粒,从而确保PST薄膜良好的介电特性。样品上电极材料... 采用磁控溅射制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST/Si)薄膜。测试表明,热处理工艺对PST/Si薄膜介电特性有着一定的影响,适当温度、适当时间的热处理可得到均匀致密的膜层及生长良好的晶粒,从而确保PST薄膜良好的介电特性。样品上电极材料对介电特性也有重要影响。Al较Au电极易氧化,从而易在其与PST薄膜的界面形成一氧化层,增加了串联电阻,导致介电损耗总体上要低。工作频率对材料的介电弛豫特性及漏电导等也会产生影响。 展开更多

关键词 (Pb1-xSrx)TiO3铁电薄膜 磁控溅射 介电特性 影响因素

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SrBi4Ti4O15铁电陶瓷A位掺杂改性研究

13

作者 王伟 朱骏 +1 位作者 毛翔宇 陈小兵 《中国材料科技与设备》 2006年第1期41-43,50,共4页

采用固相烧鲒法，以镧系元素La和Nd为掺杂离子，制备了不同掺杂量的SrBi4Ti4O15（SBTi）铁电陶瓷。X射线衍射谱显示样品呈随机取向的单一层状钙钛矿结构相。铁电测量显示适量的La和Nd掺杂使得SBTi的剩余极化（2P，）得到显著增加。对于S... 采用固相烧鲒法，以镧系元素La和Nd为掺杂离子，制备了不同掺杂量的SrBi4Ti4O15（SBTi）铁电陶瓷。X射线衍射谱显示样品呈随机取向的单一层状钙钛矿结构相。铁电测量显示适量的La和Nd掺杂使得SBTi的剩余极化（2P，）得到显著增加。对于SrBi4-xLaxTi4O15（SBLT—x），当x=0．25时，2P，达到极大值，为24．2μC／cm^2，对于SrBi4-yNdyTi4O15（SBNT—Y），当y=0．18时，2P，达到极大值，为25．8μC／cm^2，和未掺杂相比，分别增长近50％和56％。SBLT—x样品的矫顽场随掺杂量的增加而逐步减小，SBNT—Y的矫顽场在y=0．00到0．18之间几乎不变，在更大掺杂量下，随掺杂量的增加而逐步减小。掺杂引起材料中点缺陷浓度的降低和晶格畸变的减小，这两种因素的共同作用决定了刺余极化的变化。样品的变温介电谱显示，晶体的居里温度随掺杂量的增加而下降。在掺杂量大于0．75以后，SBLT—x和SBNT—y样品均出现驰豫铁电体的典型特征。 展开更多

关键词 SrBi4-xLaxTi4O5 SrBi4-yNdyTi4O15 铁电性能 居里温度 铁电驰豫

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用化学共沉淀法粉体制备的铌钪酸铅陶瓷(PSN)的特性

14

作者 冯楚德 Schulze W.A. 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期237-244,共8页

用Nb(OC_2H_5)_5受控水解和在水解形成的 Nb_2O_3颗粒表面生长Sc和Pb的碳酸盐膜层,然后通过焙烧制成PSN超细粉体。将此粉体在不同温度下烧结及随后以不同的方式冷却形成致密的PSN陶瓷。对此PSN铁电陶瓷的介电弛豫特性和结构有序度之间... 用Nb(OC_2H_5)_5受控水解和在水解形成的 Nb_2O_3颗粒表面生长Sc和Pb的碳酸盐膜层,然后通过焙烧制成PSN超细粉体。将此粉体在不同温度下烧结及随后以不同的方式冷却形成致密的PSN陶瓷。对此PSN铁电陶瓷的介电弛豫特性和结构有序度之间的关系进行了研究。 展开更多

关键词 铌钪酸铅 陶瓷 PSN 铁电陶瓷

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氮气中退火制备(Bi,Dy)_4Ti_3O_(12)铁电薄膜 被引量：1

15

作者 成传品 唐明华 +1 位作者 叶志 周益春 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期31-34,共4页

采用化学溶液沉积法(CSD)将Bi3.4Dy0.6Ti3O12(BDT)前驱体溶液沉积在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(111)基底上,然后在氮气环境中分别于600℃、650℃、700℃和750℃四个温度下退火,成功地制作出BDT铁电薄膜.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等分别... 采用化学溶液沉积法(CSD)将Bi3.4Dy0.6Ti3O12(BDT)前驱体溶液沉积在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(111)基底上,然后在氮气环境中分别于600℃、650℃、700℃和750℃四个温度下退火,成功地制作出BDT铁电薄膜.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等分别对其表面形貌、结构及其成份进行了表征;用铁电分析仪测试了其铁电性能.随着退火温度的升高,薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,但其剩余极化不是随着退火温度的升高而单调增加.氮气中650℃退火的BDT铁电薄膜结晶良好,并且具有最大的剩余极化值(2Pr=7.8μC/cm2;Ec=95.7 kV/cm).另外,就温度对BDT铁电薄膜性能的影响机理进行了讨论. 展开更多

关键词 CSD 铁电薄膜 退火 铁电性

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退火温度对Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜结构及其性能的影响 被引量：1

16

作者 毛薇 秦岩 +2 位作者 黄志雄 付承菊 郭冬云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1984-1986,共3页

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和微观形貌进行了表征,通过改变退火温度制得了具有单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜。然后将该薄膜与环... 采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和微观形貌进行了表征,通过改变退火温度制得了具有单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜。然后将该薄膜与环氧树脂形成复合结构材料。对其铁电性能以及复合材料的阻尼性能进行了测试,结果表明,退火温度的升高有利于改善薄膜的铁电性能,在750℃下退火的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜,其剩余极化值2Pr达到了68.6μC/cm2,矫顽场强2Ec达到158.7kV/cm;同时退火温度的升高还有利于薄膜致密度的提高,对复合材料的阻尼性能也有一定的改善,当退火温度达到800℃,复合材料的阻尼损耗因子达到最大值,阻尼温域最宽,阻尼性能最好。 展开更多

关键词 退火温度 Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜 sol—gel法 铁电性能 阻尼性能

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Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_(3)O_(12)籽晶层对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_(4)Ti_(4)O_(15)铁电薄膜的影响

17

作者 王营营 范素华 +1 位作者 张丰庆 尹军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期22-25,共4页

用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上沉积Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_(4)Ti_(4)O_(15)/Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_(3)O_(12)双层膜,薄膜置于空气气氛在退火炉中700℃退火处理。用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分别对薄膜的相结构、取向度和微观形貌进行... 用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上沉积Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_(4)Ti_(4)O_(15)/Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_(3)O_(12)双层膜,薄膜置于空气气氛在退火炉中700℃退火处理。用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分别对薄膜的相结构、取向度和微观形貌进行表征,并测试了样品的电滞回线。结果表明:与纯的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15铁电薄膜相比,双层膜具有更高的a轴取向度,表面均匀致密无孔隙,多为球形晶粒,且晶粒尺寸约为80nm,并且具有较高的剩余极化强度Pr=13.34μC/cm^(2),对应的矫顽场强为68.32kV/cm;Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_(3)O_(12)的引入对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_(4)Ti_(4)O_(15)铁电薄膜的形核生长和晶体学取向具有一定的促进作用,有利于样品的铁电性能。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 铁电薄膜 籽晶层

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基于ARM的机车交直流接地故障诊断系统

18

作者 焦自强 危韧勇 李志勇 《计算机测量与控制》 CSCD 2008年第8期1080-1083,共4页

针对目前机车电气线路接地故障解决方法的不足,提出一种基于ARM嵌入式系统的机车交直流接地故障诊断系统,重点介绍了系统的工作原理和硬软件设计;该系统采用精确的检测手段,独特的分析方法,能够快速、准确的定位接地故障点及故障类型,... 针对目前机车电气线路接地故障解决方法的不足,提出一种基于ARM嵌入式系统的机车交直流接地故障诊断系统,重点介绍了系统的工作原理和硬软件设计;该系统采用精确的检测手段,独特的分析方法,能够快速、准确的定位接地故障点及故障类型,灵活多样的通讯方式,便于故障信息的储存和上传,以及机务段的统一管理;经实验证明,该系统检测精度高,运行稳定,具有很大推广价值。 展开更多

关键词 交直流接地 S3C2410 控制器局域网(CAN) 铁电存储器

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α-甘氨酸晶体中NH_3^+扭曲振动的变温拉曼光谱研究

19

作者 徐永芝 沈新春 +1 位作者 王文清 方炎 《光散射学报》 2008年第3期278-281,共4页

1999年,Chilcott研究了α-甘氨酸单晶电阻抗随温度的变化,发现晶体在304 K开始导电。为了了解其导电机理,本文研究90 K到340 K的拉曼光谱,发现在α-甘氨酸单晶中NH3+扭曲振动模式分裂,表现为N-H(6)…O(1)(491 cm-1)和N-H(7)…O(2)(483 c... 1999年,Chilcott研究了α-甘氨酸单晶电阻抗随温度的变化,发现晶体在304 K开始导电。为了了解其导电机理,本文研究90 K到340 K的拉曼光谱,发现在α-甘氨酸单晶中NH3+扭曲振动模式分裂,表现为N-H(6)…O(1)(491 cm-1)和N-H(7)…O(2)(483 cm-1)模式,以及CO2-摇摆模式(503cm-1),在304 K均有不连续性变化,并与变温中子衍射晶体结构层内的氢键N-H(6)…O(1)键角和N-H(7)…O(2)长度出现转折点一致。由于α-甘氨酸晶胞中NH3+和CO2-基团构成的电偶极子在变温下重新定向,出现两性离子电荷重心变化致使晶体极化,引起晶体在304 K左右发生了铁电相变。 展开更多

关键词 α-甘氨酸 拉曼光谱 NH3^+ 扭曲振动 N-H…O氢键 铁电相变

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BaTiO_3半导瓷阻温特性的数值模拟

20

作者 方焯 周东祥 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期79-82,共4页

在海望表面势垒模型的基础上,考虑到施主、受主、电子和空穴的迁移对晶界效应的影响,从理论上建立了一个关于电子能级的微分方程,按照四阶标准龙格-库塔公式求解该方程,从数值上得到了晶界势垒的能级图.进一步计算得到BaTiO3半导瓷在任... 在海望表面势垒模型的基础上,考虑到施主、受主、电子和空穴的迁移对晶界效应的影响,从理论上建立了一个关于电子能级的微分方程,按照四阶标准龙格-库塔公式求解该方程,从数值上得到了晶界势垒的能级图.进一步计算得到BaTiO3半导瓷在任意晶粒尺寸、任意施主、受主浓度掺杂下的定量的阻温关系.结果发现电阻率随施主浓度的增大形成U形曲线.掺入一定含量的受主将抵消一部分施主,使得取得最小室温电阻的施主浓度增大,同时室温电阻升高.材料的升阻比在指定的受主浓度掺杂和指定的晶粒尺寸下取得极大值.计算的结果与实验数据相符. 展开更多

关键词 肖特基势垒 正温度系数 铁电陶瓷 晶界 钛酸钡 阻温特性度 电性能

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