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f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
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作者 朱广润 张凯 孔月婵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期171-,共1页
氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN... 氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN/AlN/GaN异质结构。 展开更多
关键词 微波大功率 极化强度 电子迁移率 势垒层 HZ f_t/f MAX 异质结构 击穿场强 氮化镓
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