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At wavelength coherent scatterometry microscope using high-order harmonics for EUV mask inspection 被引量:4
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作者 Yutaka Nagata Tetsuo Harada +2 位作者 Takeo Watanabe Hiroo Kinoshita Katsumi Midorikawa 《International Journal of Extreme Manufacturing》 2019年第3期1-12,共12页
In this review,we describe our research on the development of the 13.5 nm coherent microscope using high-order harmonics for the mask inspection of extreme ultraviolet(EUV)lithography.EUV lithography is a game-changin... In this review,we describe our research on the development of the 13.5 nm coherent microscope using high-order harmonics for the mask inspection of extreme ultraviolet(EUV)lithography.EUV lithography is a game-changing piece of technology for high-volume manufacturing of commercial semiconductors.Many top manufacturers apply EUV technology for fabricating the most critical layers of 7 nm chips.Fabrication and inspection of defect-free masks,however,still remain critical issues in EUV technology.Thus,in our pursuit for a resolution,we have developed the coherent EUV scatterometry microscope(CSM)system with a synchrotron radiation(SR)source to establish the actinic metrology,along with inspection algorithms.The intensity and phase images of patterned EUV masks were reconstructed from diffraction patterns using ptychography algorithms.To expedite the practical application of the CSM,we have also developed a standalone CSM,based on high-order harmonic generation,as an alternative to the SR-CSM.Since the application of a coherent 13.5 nm harmonic enabled the production of a high contrast diffraction pattern,diffraction patterns of sub-100 ns size defects in a 2D periodic pattern mask could be observed.Reconstruction of intensity and phase images from diffraction patterns were also performed for a periodic line-and-space structure,an aperiodic angle edge structure,as well as a cross pattern in an EUV mask. 展开更多
关键词 high-order harmonics coherent euv light euv lithography coherent euv scatterometry microscope synchrotron radiation euv mask inspection
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EUV光刻工艺全球专利发展态势研究 被引量:2
2
作者 王丹 车晓璐 《中国发明与专利》 2016年第9期54-59,共6页
EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申请人以及重点技术等几个方面对其全球专利申请的发展态势和布局情况进行研究,以期对政府决策和企业发展... EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申请人以及重点技术等几个方面对其全球专利申请的发展态势和布局情况进行研究,以期对政府决策和企业发展战略的制定提供参考和帮助。 展开更多
关键词 euv euvL 极紫外 极紫光 光刻 微影
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激光等离子体和气体放电EUV光刻光源 被引量:7
3
作者 程元丽 李思宁 王骐 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期561-564,共4页
对激光等离子体和气体放电两种EUV光刻光源的发展状况进行了详细介绍 ,分析了各种激光条件和放电方式的特点及所面临的主要问题 ,对各种方案的特点、技术参数进行了对比。气体放电装置较高能激光装置结构简单、价格低 ,故气体放电EUV光... 对激光等离子体和气体放电两种EUV光刻光源的发展状况进行了详细介绍 ,分析了各种激光条件和放电方式的特点及所面临的主要问题 ,对各种方案的特点、技术参数进行了对比。气体放电装置较高能激光装置结构简单、价格低 ,故气体放电EUV光源日益受到重视。 展开更多
关键词 极紫外光刻 euv光刻光源 激光等离子体 气体放电
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太阳X-EUV成像望远镜 被引量:20
4
作者 李保权 朱光武 +11 位作者 王世金 林华安 彭吉龙 刘杰 韦飞 孔令高 陈波 巩研 邵景洪 马长生 唐玉华 邱科平 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期235-242,共8页
太阳X_EUV成像望远镜用来监测和预报影响空间天气变化的太阳活动,专门服务于空间天气预报研究.望远镜工作在4~10 0 的X射线波段和195 极紫外谱段,视场角4 5′,角度分辨5″,提供全日面、高分辨的成像观测.文中分析了太阳X、EUV波段的... 太阳X_EUV成像望远镜用来监测和预报影响空间天气变化的太阳活动,专门服务于空间天气预报研究.望远镜工作在4~10 0 的X射线波段和195 极紫外谱段,视场角4 5′,角度分辨5″,提供全日面、高分辨的成像观测.文中分析了太阳X、EUV波段的成像观测应用,介绍了X_EUV望远镜的基本设计,分析了望远镜对不同温度日冕等离子体的敏感性、对不同太阳活动现象的响应及反演日冕等离子体参数过滤片的组合利用.太阳X_EUV成像望远镜集成了掠入射望远镜和正入射望远镜两套系统,扩展了单一X射线望远镜的成像功能,能够观测更多的太阳爆发先兆现象或者伴生现象,是目前国际上同类仪器中最新的太阳成像监测仪器. 展开更多
关键词 空间天气预报 太阳活动监测 太阳X—euv成像望远镜
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下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展 被引量:1
5
作者 左保军 祝东远 +1 位作者 张树青 李润顺 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1163-1167,共5页
当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因为波长极短,物质对其吸收十分强烈,所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收... 当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因为波长极短,物质对其吸收十分强烈,所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收集EUV光源发出的辐射能成为了EUV光刻技术中的一大难题。本文主要介绍了国外在EUV光源收集系统方面的发展现状,描述了两大类EUV光源收集系统(垂直入射式和掠入射式)的一些设计形式和设计实例,并对各种设计形式的EUV收集系统进行了分析和比较。还重点介绍了目前被普遍看好的内嵌式掠入射WolterⅠ型收集系统的设计与加工等情况。 展开更多
关键词 光刻 euv 垂直入射式 掠入射式 收集效率 内嵌式 WolterⅠ型
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EUV波段CCD相机及其空间分辨率测试 被引量:1
6
作者 巩岩 宋谦 叶彬浔 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期56-59,共4页
研究了EUV波段CCD相机及其空间分辨率测试。EUV波段相机由荧光屏、MCP像管、光锥和可见光CCD构成,CCD像元大小为14μm,像元数2 048×2 048。在北京同步辐射装置光束线软X射线光学实验束线站3W1B上,利用透射网栅法对相机进行了空间... 研究了EUV波段CCD相机及其空间分辨率测试。EUV波段相机由荧光屏、MCP像管、光锥和可见光CCD构成,CCD像元大小为14μm,像元数2 048×2 048。在北京同步辐射装置光束线软X射线光学实验束线站3W1B上,利用透射网栅法对相机进行了空间分辨率测试,结果显示这种结构的CCD相机在17.1 nm波长处,空间分辨率达到19μm,相当于极限分辨率为26 lp/mm。 展开更多
关键词 euv MCP CCD 空间分辨率
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地球等离子体层及EUV遥感测量技术 被引量:2
7
作者 曾波 李亮 陈志强 《CT理论与应用研究(中英文)》 2015年第1期135-146,共12页
地球等离子体层位于地球电离层以上,延伸至4~6地球半径范围的环状等离子体区域,它在空间分布上与地球辐射带、环电流区域重合,是地球内磁层研究的重要内容[1-2]。本文综述了地球等离子体层遥测技术的原理、发展,并总结和分析了EUV-CT的... 地球等离子体层位于地球电离层以上,延伸至4~6地球半径范围的环状等离子体区域,它在空间分布上与地球辐射带、环电流区域重合,是地球内磁层研究的重要内容[1-2]。本文综述了地球等离子体层遥测技术的原理、发展,并总结和分析了EUV-CT的现有成果。 展开更多
关键词 地球等离子体层 遥感 极紫外线(euv) 重建
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EUV光刻胶专利分析及技术热点综述 被引量:7
8
作者 冯刚 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期11-16,18,共7页
分析了全球EUV光刻胶领域专利申请态势、主要申请人和技术分布,重点介绍了基体树脂和光产酸剂结构改进方面的技术热点,并展示了有价值的专利技术信息。
关键词 euv光刻胶 专利分析 技术热点
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EMV和EUV理论在投资风险决策中的应用 被引量:1
9
作者 欧阳永保 《三峡大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第5期451-453,共3页
期望货币值(EMV)客观分析几种情况出现的收益或亏损值及可能出现的概率;计算期望值(EUV)进行方案决策,但是它没能体现投资者(决策人)的价值观、偏好、经济承受能力.期望效用值准则是决策者在确定环境下对每个方案的隐含价值或偏好的一... 期望货币值(EMV)客观分析几种情况出现的收益或亏损值及可能出现的概率;计算期望值(EUV)进行方案决策,但是它没能体现投资者(决策人)的价值观、偏好、经济承受能力.期望效用值准则是决策者在确定环境下对每个方案的隐含价值或偏好的一种量度,正好补充了期望货币值的不足,两者结合能够取长补短,达到更符合实际的决策方案. 展开更多
关键词 期望货币值(EMV) 期望效用值(euv) 投资风险决策
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Spectral Analysis in EUV Range for Study of Core Impurity Behavior in HL-2A 被引量:1
10
作者 周航宇 崔正英 +8 位作者 森田繁 傅炳忠 後藤基志 孙平 冯北滨 崔学武 卢平 杨青巍 段旭如 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第2期89-92,共4页
Extreme ultraviolet (EUV) spectroscopy has been developed for impurity diagnostics in HL-2A tokamak. The EUV spectrometer consists of an entrance slit, a holographic varied-line- space (VLS) grating, a back-illumi... Extreme ultraviolet (EUV) spectroscopy has been developed for impurity diagnostics in HL-2A tokamak. The EUV spectrometer consists of an entrance slit, a holographic varied-line- space (VLS) grating, a back-illuminated charge-coupled device (CCD) and a laser light source for optical alignment. Spectral lines in wavelength region of 20-500 A observed from HL-2A plasmas were analyzed to study the impurity behavior. Spectral and temporal resolutions used for the analysis were 0.19A at CV (2×33.73 ,h,) and 6 ms, respectively. It was found that carbon, oxygen and iron impurities were usually dominant in the HL-2A plasma. They almost disappeared when the siliconization was carried out. Although the EUV spectra were entirely replaced by the silicon emissions just after the siliconization, the emissions were considerably decreased with accumulation of discharges. Aluminum and neon were externally introduced into the HL-2A plasma based on laser blow-off (LBO) and supersonic molecular beam injection (SMBI) techniques for a trial of the impurity transport study, respectively. The preliminary result is presented for time behavior of EUV spectral lines. 展开更多
关键词 euv spectroscopy euv spectra LBO SMBI
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Line identification of extreme ultraviolet (EUV) spectra from low-Z impurity ions in EAST tokamak plasmas 被引量:1
11
作者 Lei LI Ling ZHANG +15 位作者 Zong XU Shigeru MORITA Yunxin CHENG Fengling ZHANG Wenmin ZHANG Yanmin DUAN Qing ZANG Shouxin WANG Shuyu DAI Guizhong ZUO Zhen SUN Liang WANG Xiaobin DING Jinping QIAN Haiqing LIU Liqun HU 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第7期15-30,共16页
Extreme ultraviolet(EUV) spectra emitted from low-Z impurity ions in the wavelength range of10–500Å were observed in Experimental Advanced Superconducting Tokamak(EAST)discharges. Several spectral lines from K-a... Extreme ultraviolet(EUV) spectra emitted from low-Z impurity ions in the wavelength range of10–500Å were observed in Experimental Advanced Superconducting Tokamak(EAST)discharges. Several spectral lines from K-and L-shell partially ionized ions were successfully observed with sufficient spectral intensities and resolutions for helium, lithium, boron, carbon,oxygen, neon, silicon and argon using two fast-time-response EUV spectrometers of which the spectral intensities are absolutely calibrated based on the intensity comparison method between visible and EUV bremsstrahlung continua. The wavelength is carefully calibrated using wellknown spectra. The lithium, boron and silicon are individually introduced for the wall coating of the EAST vacuum vessel to suppress mainly the hydrogen and oxygen influxes from the vacuum wall, while the carbon and oxygen intrinsically exist in the plasma. The helium is frequently used as the working gas as well as the deuterium. The neon and argon are also often used for the radiation cooling of edge plasma to reduce the heat flux onto the divertor plate. The measured spectra were analyzed mainly based on the database of National Institute of Standards and Technology. As a result, spectral lines of He Ⅱ, Li Ⅱ–Ⅲ, B Ⅳ–Ⅴ, C Ⅲ–Ⅵ, O Ⅲ–Ⅷ, Ne Ⅱ–Ⅹ,Si Ⅴ–Ⅻ, and Ar Ⅹ–XVI are identified in EAST plasmas of which the central electron temperature and chord-averaged electron density range in Te0=0.6–2.8 keV and ne=(0.5–6.0)×1019 m-3, respectively. The wavelengths and transitions of EUV lines identified here are summarized and listed in a table for each impurity species as the database for EUV spectroscopy using fusion plasmas. 展开更多
关键词 line identification euv spectroscopy euv spectra impurity line emissions tokamak plasmas
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“时间—风险”图像在EMV与EUV风险决策中的应用 被引量:1
12
作者 刘洋 胡嘉琪 《科技情报开发与经济》 2006年第24期171-172,共2页
介绍了风险决策中的EMV与EUV理论,通过历史事件做出了“时间—风险”图像,并将其应用于EMV理论与EUV理论的风险决策。
关键词 “时间-风险”图像 期望货币价值(EMV) 期望效用价值(euv)
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Extendibility Evaluation of Industrial EUV Source Technologies for kW Average Power and 6.x nm Wavelength Operation 被引量:1
13
作者 Akira Endo 《Journal of Modern Physics》 2014年第5期285-295,共11页
Interests in the extendibility are growing after the introduction of the LPP (Laser Produced Plasma) EUV source technology in the semiconductor industry, towards higher average power and shorter wavelength, based on t... Interests in the extendibility are growing after the introduction of the LPP (Laser Produced Plasma) EUV source technology in the semiconductor industry, towards higher average power and shorter wavelength, based on the basic architecture of the established LPP EUV source technology. It is discussed in this article that the power scaling of the 13.5nm wavelength source is essentially possible by a slight increase of the driving laser power, CE (Conversion Efficiency) and EUV collection efficiency by some introduction of novel component technologies. Extension of the EUV wavelength towards BEUV (Beyond EUV), namely 6.x nm is discussed based on the general rule of the UTA (Unresolved Transition Arrays) of high Z ions, and development of multilayer mirrors in this particular wavelength region. Technical difficulties are evaluated for the extension of the LPP source technology by considering the narrower mirror bandwidth and higher melting temperature of the candidate plasma materials. Alternative approach based on the superconducting FEL is evaluated in comparison with the LPP source technology for the future solution. 展开更多
关键词 euv LPP High Power Beuv FEL Super CONDUCTING ACCELERATOR
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193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术 被引量:1
14
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2007年第4期17-18,共2页
2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。
关键词 32 nm工艺 22 nm工艺 193 NM ArF浸没式光刻技术 euv光刻技术
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EAST全超导托卡马克高分辨率EUV光谱仪诊断系统 被引量:4
15
作者 张伟 石跃江 +8 位作者 王秋平 沈永才 杜学维 李颖颖 符佳 王福地 吕波 徐经翠 何晓业 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期613-617,共5页
EAST全超导托卡马克装置上建立一套极紫外(EUV)光谱诊断系统,用于高温等离子体高电离态杂质线辐射研究。该系统利用1 200 l/mm凹面变线距全息光栅作为分光元件,工作波段50–500,波长分辨率△λ~0.16A(186.6A),时间分辨为20 ms... EAST全超导托卡马克装置上建立一套极紫外(EUV)光谱诊断系统,用于高温等离子体高电离态杂质线辐射研究。该系统利用1 200 l/mm凹面变线距全息光栅作为分光元件,工作波段50–500,波长分辨率△λ~0.16A(186.6A),时间分辨为20 ms,空间观测范围为0–450 mm,基本覆盖EAST全超导托卡马克的主等离子体上半空间。在EAST放电期间,利用该系统获得高波长分辨率和时间响应的杂质谱图,通过对等离子体冲氩气,利用已知波长的Ar线,对谱仪进行了初步的原位标定。 展开更多
关键词 托卡马克 杂质 euv谱仪
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Particle-in-cell simulations of EUV-induced hydrogen plasma in the vicinity of a reflective mirror
16
作者 张宇强 余新刚 叶宗标 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期95-103,共9页
Particle-In-Cell(PIC)simulations were performed in this work to study the dynamics of the EUVinduced hydrogen plasma.The Monte-Carlo Collision(MCC)model was employed to deal with the collisions between charged particl... Particle-In-Cell(PIC)simulations were performed in this work to study the dynamics of the EUVinduced hydrogen plasma.The Monte-Carlo Collision(MCC)model was employed to deal with the collisions between charged particles and background gas molecules.The dynamic evolution of the plasma sheath,as well as the flux and energy distribution of ions impacting on the mirror surface,was discussed.It was found that the emission of secondary electrons under the EUV irradiation on the ruthenium mirror coating creates a positively charged wall and then prevents the ions from impacting on the mirror and therefore changes the flux and energy distribution of ions reaching the mirror.Furthermore,gas pressure has a notable effect on the plasma sheath and the characteristics of the ions impinging on the mirrors.With greater gas pressure,the sheath potential decreases more rapidly.The flux of ions received by the mirror grows approximately linearly and at the same time the energy corresponding to the peak flux decreases slightly.However,the EUV source intensity barely changes the sheath potential,and its influence on the ion impact is mainly limited to the approximate linear increase in ion flux. 展开更多
关键词 LITHOGRAPHY PARTICLE-IN-CELL euv euv-induced plasma PIC-MCC
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近地空间下X/EUV透射光栅的热力学有限元分析 被引量:1
17
作者 宋曦 朱效立 +3 位作者 韦飞 谢常青 谢二庆 刘明 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期91-96,122,共7页
为了实现极紫外透射光栅光谱仪在近地空间的应用,针对其核心色散元件2000线/毫米X/EUV透射光栅,本文采用有限元方法建立了机械模型并对其热学性能和耦合特性进行计算机模拟计算,通过模拟热膨胀系数不同的材料构成的薄膜光栅在近地空间... 为了实现极紫外透射光栅光谱仪在近地空间的应用,针对其核心色散元件2000线/毫米X/EUV透射光栅,本文采用有限元方法建立了机械模型并对其热学性能和耦合特性进行计算机模拟计算,通过模拟热膨胀系数不同的材料构成的薄膜光栅在近地空间受到太阳辐照后的温度场,得到该光栅表面的热形变分布。结果表明,在高真空热环境下,该透射光栅表面形变量平均可达0.56μm,而影响光栅周期的纵向形变平均值则为71.5nm。由于热形变会对光栅衍射效率产生重要影响并导致光谱仪精度和性能的下降,利用有限元分析模拟的结果,进一步优化光栅的封装和设计制作,使其栅线处纵向热形变趋近于零,为2000线/毫米X/EUV透射光栅在太阳极紫外辐射探测器上得到应用提供了科学依据和有效支持。 展开更多
关键词 近地空间 X/euv 透射光栅 有限元 热形变
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日冕中EUV波的研究进展 被引量:1
18
作者 岳群 林隽 +1 位作者 张力 吴宁 《天文学进展》 CSCD 北大核心 2014年第3期259-281,共23页
日冕极紫外(EUV)波是Thompson等人1998年首先在EIT的观测资料中发现的,在日冕中以几百km/s的速度传播的扰动现象,在1 h之内扫过了大部分太阳表面,所以这个现象开始被称为"EIT波"。首先介绍了EUV波的研究背景;然后介绍了EUV波... 日冕极紫外(EUV)波是Thompson等人1998年首先在EIT的观测资料中发现的,在日冕中以几百km/s的速度传播的扰动现象,在1 h之内扫过了大部分太阳表面,所以这个现象开始被称为"EIT波"。首先介绍了EUV波的研究背景;然后介绍了EUV波的观测特征;第3章分别介绍了EUV波与Moreton波、耀斑及CME的关系;第4章介绍了从发现EUV波以来提出的各种理论和模型;第5章讨论到目前为止已发现的EUV波成分:一个较快的波在前面传播,一个较慢的波在后面传播;最后,对EUV波研究的未来方向及发展趋势进行了总结和展望。 展开更多
关键词 euv Moreton波 日冕物质抛射 耀斑 快模磁流体动力学波 慢模磁流体动力学波
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空间天文CCD在EUV波段的光谱响应定标测试 被引量:1
19
作者 曾智蓉 李保权 +3 位作者 彭吉龙 张鑫 周洪军 霍同林 《科学技术与工程》 2009年第8期2137-2141,共5页
CCD作为国内正在开发的太阳软X-EUV空间望远镜焦平面上的成像器件,在研制的过程中需要对其基本特性进行定标测试,在合肥同步辐射源上利用同步辐射光进行了空间天文应用CCD光谱响应特性的标定实验,经过数据处理获得了(5—88.6)nm波段范围... CCD作为国内正在开发的太阳软X-EUV空间望远镜焦平面上的成像器件,在研制的过程中需要对其基本特性进行定标测试,在合肥同步辐射源上利用同步辐射光进行了空间天文应用CCD光谱响应特性的标定实验,经过数据处理获得了(5—88.6)nm波段范围内20多个能量点的CCD响应灵敏度结果,并绘制了响应灵敏度曲线。 展开更多
关键词 光谱响应 CCD标定 euv波段
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EMV、EOL和EUV理论在风险决策中的应用分析 被引量:1
20
作者 张兵 李东坡 《西南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第S1期35-38,共4页
文章简要介绍了最大期望收益决策准则、最小机会损失决策准则和最大效用值决策准则,将它们应用于风险决策案例并进行分析,最大期望收益决策准则和最小机会损失决策准则结论基本相同,二者与最大效用值决策准则结合使用,可使决策更为合理.
关键词 最大期望收益决策准则(EMV) 最小机会损失决策准则(EOL) 最大效用值决策准则(euv) 风险决策
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