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A Broadband 630-720 GHz Schottky Based Sub-Harmonic Mixer Using Intrinsic Resonances of Hammer-Head Filter 被引量:2
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作者 Yue He Yaoling Tian +2 位作者 Li Miao Jun Jiang XianJin Deng 《China Communications》 SCIE CSCD 2019年第2期76-84,共9页
An room temperature low noise anti-parallel Schottky diode based 630-720 GHz sub-harmonic mixer(SHM) is designed, built and measured. Intrinsic resonances in lowpass hammer-head filter have been adopted to prevent the... An room temperature low noise anti-parallel Schottky diode based 630-720 GHz sub-harmonic mixer(SHM) is designed, built and measured. Intrinsic resonances in lowpass hammer-head filter have been adopted to prevent the LO and RF power leak from the IF channel, while greatly minimizing the transmission line size. The mixer consists of 15 um quartz terahertz circuit and 127 um Al2 O3 IF transformer circuit. An improved lumped element equivalent noise model of SBDs guarantees the accuracy of simulation. The measurement indicates that with local oscillating(LO)signal of 2-8 mW, the lowest double sideband(DSB) conversion loss is 8.2 dB at 645 GHz,and the best DSB noise temperature is 2800 K at 657 GHz. The 3 dB bandwidth of conversion loss is 75 GHz from 638 to 715 GHz. The work IF frequency band is above 20 GHz ranging from 1 to 20 GHz with-10 dB return loss. 展开更多
关键词 erahertz SUB-HARMONIC MIXER hammer-head FILTER SCHOTTKY diode
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基于肖特基二极管的太赫兹准光探测器设计方法与成像性能研究(英文) 被引量:1
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作者 李明迅 牟进超 +3 位作者 郭大路 乔海东 马朝辉 吕昕 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期717-722,共6页
设计了一款太赫兹准光探测器,该探测器主要由砷化镓肖特基二极管芯片以及高阻硅透镜组成.为了减小所设计芯片的欧姆损耗,将天线图案生长在了半绝缘砷化镓层上.在335~350GHz频率范围内,准光探测器的实测电压响应率为1360~1650V/W,双边... 设计了一款太赫兹准光探测器,该探测器主要由砷化镓肖特基二极管芯片以及高阻硅透镜组成.为了减小所设计芯片的欧姆损耗,将天线图案生长在了半绝缘砷化镓层上.在335~350GHz频率范围内,准光探测器的实测电压响应率为1360~1650V/W,双边带变频损耗为10.6~12.5dB.对应估算的等效噪声功率为1.65~2pW/Hz^(1/2).基于所设计的准光探测器进行了成像实验,该实验分别在直接检波和外差探测两种模式间进行,成像结果表明所设计的太赫兹准光探测器能够满足太赫兹成像方面应用. 展开更多
关键词 太赫兹准光探测器 直接检波 外差探测 太赫兹成像
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宽频太赫兹减反增透器件研究进展 被引量:2
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作者 张君 徐公杰 蔡斌 《光学仪器》 2016年第6期549-554,共6页
介绍了国内外宽频太赫兹减反增透器件的研究进展以及在基于高阻硅衬底的聚苯乙烯上用热压印法制备出的一种减反结构。利用这一减反结构制备出的减反器件的透射率比传统的结构要增加近20%,在基于高阻硅衬底的高折射率纳米复合材料(TiO2-C... 介绍了国内外宽频太赫兹减反增透器件的研究进展以及在基于高阻硅衬底的聚苯乙烯上用热压印法制备出的一种减反结构。利用这一减反结构制备出的减反器件的透射率比传统的结构要增加近20%,在基于高阻硅衬底的高折射率纳米复合材料(TiO2-COP)上,经热压印后的减反器件在1.02THz处的透过率为64.9%。最后简要地介绍了太赫兹减反增透器件的实际应用。 展开更多
关键词 太赫兹 复合材料 减反 热压印 高折射率
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