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IEC标准试验平台上辐射场分布规律研究
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作者 原青云 孙永卫 +1 位作者 张希军 李贤军 《广东工业大学学报》 CAS 2011年第3期24-27,共4页
国际标准IEC61000-4-2中对间接静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)产生的辐射场没有进行描述.针对于此,笔者对IEC标准试验平台上辐射场分布规律进行了研究.实验得出:IEC标准试验平台上电场强度和磁场强度随测试距离的变化趋势不同;... 国际标准IEC61000-4-2中对间接静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)产生的辐射场没有进行描述.针对于此,笔者对IEC标准试验平台上辐射场分布规律进行了研究.实验得出:IEC标准试验平台上电场强度和磁场强度随测试距离的变化趋势不同;试验平台上电场强度和磁场强度在近场变化剧烈,在远场变化缓慢. 展开更多
关键词 静电放电 水平耦合板 垂直耦合板 电场 磁场 试验平台
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华亭矿区聚煤规律及控煤因素分析 被引量:3
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作者 沈树龙 《中国煤田地质》 2005年第1期11-13,25,共4页
以大量的钻孔资料为基础,研究了华亭矿区中侏罗世含煤地层的分布、含煤性和聚煤作用,通过编制华亭含煤盆地走向、倾向沉积剖面,分析了研究区含煤岩系的沉积旋回结构及煤层的分布情况,对华亭矿区控煤因素进行了总结评述,为今后煤矿生产... 以大量的钻孔资料为基础,研究了华亭矿区中侏罗世含煤地层的分布、含煤性和聚煤作用,通过编制华亭含煤盆地走向、倾向沉积剖面,分析了研究区含煤岩系的沉积旋回结构及煤层的分布情况,对华亭矿区控煤因素进行了总结评述,为今后煤矿生产及外围找煤提供参考。 展开更多
关键词 聚煤规律 含煤盆地 聚煤作用 含煤岩系 沉积旋回 含煤地层 含煤性 矿区 煤矿生产 煤层
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基于高能逃逸电子机制的气体开关自击穿稳定性
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作者 耿玖源 崔言程 +1 位作者 王海涛 朱丹妮 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期121-129,共9页
为实现脉冲驱动源气体主开关的精确控制技术,研制了基于电晕稳定机理的气体触发开关,并对稳定电晕放电过程以及高能逃逸电子对击穿稳定性的影响进行分析,揭示了抑制高能逃逸电子产生有助于增加气体开关自击穿稳定性的机制。从气体介质... 为实现脉冲驱动源气体主开关的精确控制技术,研制了基于电晕稳定机理的气体触发开关,并对稳定电晕放电过程以及高能逃逸电子对击穿稳定性的影响进行分析,揭示了抑制高能逃逸电子产生有助于增加气体开关自击穿稳定性的机制。从气体介质和电场条件两个方面进行实验研究,对比该型气体开关的自击穿稳定性,实验结果表明:在气压0.06 MPa至0.56 MPa范围内,气体开关充15%SF_(6)/N_(2)混合气体,其自击穿离散度不超过6%,最低可达1.4%;当SF_(6)/N_(2)混合气体内的电负性气体占比小于30%时,气体开关的自击穿电压离散度保持在2%~4%范围内;在充电电压小于1800 V范围内,改变间隙内电场的时域变化速度,可降低自击穿电压的离散度,当电压上升速度为12.4 kV/μs时,自击穿电压为242 kV,离散度为0.2%;在0.3 MPa的15%SF_(6)/N_(2)混合气体内,降低触发极尖端的场不均匀系数,击穿稳定性未得到明显改善,但是在电场时域变化速度增加时,自击穿电压离散度依然可以保持在1%以下;利用沟槽型触发极代替楔形触发极,击穿电压离散度最低可达0.15%,且击穿电压稳定在248 kV附近。 展开更多
关键词 逃逸电子 电晕稳定触发开关 SF_(6)/N_(2)混合气体放电 不均匀场 脉冲功率技术
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Charge integrated graph neural networkbased machine learning potential for amorphous and non-stoichiometric hafnium oxide
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作者 Hyo Gyeong Shin Seong Hun Kim +8 位作者 Eun Ho Kim Jun Hyeong Gu Jaeseon Kim Seon-Gyu Kim Shin Hyun Kim Hyo Kim Sunghyun Kim Duk-Hyun Choe Donghwa Lee 《npj Computational Materials》 2025年第1期4415-4423,共9页
Amorphous and non-stoichiometric hafnium oxide(a-HfO_(x))systems are essential for advanced electronic applications due to their superior electrical properties.Simulating their atomic behaviors under electric fields(E... Amorphous and non-stoichiometric hafnium oxide(a-HfO_(x))systems are essential for advanced electronic applications due to their superior electrical properties.Simulating their atomic behaviors under electric fields(Efield)is critical but challenging.Ab-initio molecular dynamics(AIMD)offer high accuracy but is computationally expensive,while classical MD lacks precision.To address this,we develop a charge equilibration integrated graph neural network(CIGNN)model that predicts atomic charge,energy,and force under Efield conditions.Using the CIGNN model and AIMD datasets,we develop a CIGNN-based machine learning potential(CNMP)optimized for a-HfO_(x)systems.The CNMP achieves quantum mechanical accuracy and effectively captures the atomic behaviors and dynamic properties of these systems across varying temperatures,densities,and E_(field)conditions.We expect the CNMP to serve as a valuable tool for studying field-induced phenomena in complex systems and to provide a foundation for advancing innovations in electronic applications. 展开更多
关键词 hafnium oxide amorphous atomic behaviors electric fields efield classical md non stoichiometric charge equilibration charge equilibration integrated graph neural network cignn model graph neural network
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