ADSP2106X扩展片外EDRAM的方法

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作者 王瑞峰 米根锁 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2008年第5期1172-1173,1206,共3页

在设计ADSP2106X的应用系统时,有时需要在其外部扩展大容量的存储器。EDRAM具有速度快、容量大的特点,因此可给ADSP2106X扩展片外EDRAM以满足应用需要。在对ADSP2106X片外存储结构、扩展外部存储器所用信号及连接方法、等待模式和EDRAM... 在设计ADSP2106X的应用系统时,有时需要在其外部扩展大容量的存储器。EDRAM具有速度快、容量大的特点,因此可给ADSP2106X扩展片外EDRAM以满足应用需要。在对ADSP2106X片外存储结构、扩展外部存储器所用信号及连接方法、等待模式和EDRAM构成及工作原理进行分析的基础上,设计了ADSP2106X和EDRAM DM2202J-15的接口电路,对该电路的信号连接及作用、时序控制和整个电路的工作过程进行了深入分析,并说明了在编写程序时对存储器的设置问题。实验结果表明,该接口电路工作正确可靠。 展开更多

关键词 数字信号处理器 存储器扩展 增强型动态随机读写存储器 现场可编程门阵列 刷新

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Glaze3D之eDRAM的秘密

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作者 王瑞浩 《微型计算机》 北大核心 1999年第11期63-64,共2页

关键词 图像渲染 Glaze3D edram 形图处理

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eDRAM+CLU令TIGERSHARC威力倍增

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《今日电子》 2003年第7期78-78,共1页

关键词 edram CLU 美国模拟器件公司 嵌入式处理器 TIGERSHARC处理器

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片上eDRAM性能评价函数簇研究

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作者 易立华 邹雪城 刘振林 《微计算机信息》 北大核心 2008年第5期97-98,2,共3页

本论文针对基于eDRAM的SOC中存储系统的性能评估问题、设计问题和可复用的eDRAM的集成技术问题进行研究,提出了一种定量的存储系统性能评估的建模方法。建立基于eDRAM存储系统评价函数簇模型,包括L(访问延迟)函数,P(功耗)函数,A(面积)... 本论文针对基于eDRAM的SOC中存储系统的性能评估问题、设计问题和可复用的eDRAM的集成技术问题进行研究,提出了一种定量的存储系统性能评估的建模方法。建立基于eDRAM存储系统评价函数簇模型,包括L(访问延迟)函数,P(功耗)函数,A(面积)函数和Y(良率)函数。利用此模型在已知系统性能要求的情况下,可以求出满足系统性能要求的最佳的参数值,或是多种满足条件的备选方案,为在SOC中使用eDRAM时优化存储器配置和存储系统设计提供理论依据。 展开更多

关键词 嵌入式DRAM 评价 FPGA 函数簇

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嵌入式DRAM的BIST测试方法的研究 被引量：3

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作者 张必超 蒋大文 于鹏 《中国测试技术》 2005年第1期69-71,共3页

通过对比分析了嵌入式DRAM的传统测试方法和内建自测试 (BIST)方法 ,提出了嵌入式DRAM的内建自测试 (BIST)方案 ,该方案具有测试生成快 ,节约测试成本等优点 ,对其它类型电路的测试也有很好的借鉴价值。

关键词 片上系统(SOC) 超大规模集成电路 嵌入式DRAM 内建自测试

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采用TigerSHARC DSP开发实时信号处理平台 被引量：2

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《世界电子元器件》 2005年第7期87-91,共5页

TigerSHARC处理器TS201/2/3产品特性 TS20X系列处理器的基本特性包括:600MHz主频下每次可进行48亿次16bit定点全累加操作,或者每秒可进行12亿次32bit浮点全累加操作.在25mm×25mm的封装内通过先进的eDRAM技术提供了4/12/24Mbit的弹... TigerSHARC处理器TS201/2/3产品特性 TS20X系列处理器的基本特性包括:600MHz主频下每次可进行48亿次16bit定点全累加操作,或者每秒可进行12亿次32bit浮点全累加操作.在25mm×25mm的封装内通过先进的eDRAM技术提供了4/12/24Mbit的弹性内部存储器密度.此外,I/O端口LinkPort和ClusterBus具有5GByte/s的吞吐能力,并可提供多处理器之间的无缝互连. 展开更多

关键词 TIGERSHARC处理器 实时信号处理 DSP 平台 开发 600MHz 25mm edram I/O端口

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新潮DRAM芯光灿烂

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作者 Giani 《电脑硬件（现代电子技术）》 2000年第9期18-21,共4页

关键词 DRAM 动态读写存储器 CDRAM edram RDRAM

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嵌入式DRAM市场将增长快速

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《电子产品世界》 2004年第07B期44-44,共1页

据市场分析公司In-Stat／MDR的报告，虽然专用标准产品(ASSP)的应用不断增长，使嵌入式DRAM(embedded DRAM，eDRAM)的增长受到一定限制，但对于高性能基础设施应用，采用eDRAM仍是一种比较理想的方案。In-Stat／MDR公司认为，2008年全球... 据市场分析公司In-Stat／MDR的报告，虽然专用标准产品(ASSP)的应用不断增长，使嵌入式DRAM(embedded DRAM，eDRAM)的增长受到一定限制，但对于高性能基础设施应用，采用eDRAM仍是一种比较理想的方案。In-Stat／MDR公司认为，2008年全球eDRAM市场的销售额将从2003年的约1．25亿美元增长到2．55亿美元。 展开更多

关键词 嵌入式DRAM 市场 edram In-Stat/MDR公司

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嵌入式存储器发展现状

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作者 薛霆 李红 《中国集成电路》 2007年第10期83-86,共4页

文章中简要介绍了嵌入式存储器技术发展历程。

关键词 IP SOC 存储器 edram OTP MTP 嵌入式闪存 1T-SRAM 2T-SRAM

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任天堂Wii主机将采用MoSys和NEC内存技术

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作者 孙辉（编译） 《程序员（游戏创造）》 2006年第7期5-5,共1页

“MoSys”和“NEC”电子公司于2006年6月19日证实，它们将分别向任天堂的“Wii”主机提供“IT—SRAM”和“eDRAM”内存技术。

关键词 内存技术 NEC 任天堂 主机 edram 电子公司 SRAM

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LGA1150最后的绝唱——Broadwell-DT处理器技术解析与性能预览

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《微型计算机》 2015年第19期94-99,共6页

最近，英特尔终于发布了首款面向桌面市场的Broadwell架构产品，也就是Corei7—5775C、Corei7—5775R、Corei5—5675C等五款。和上代产品相比，全新产品最引人注目的就是采用14nm工艺、Iris Pro核芯显卡以及128MB eDRAM板载缓存。那么... 最近，英特尔终于发布了首款面向桌面市场的Broadwell架构产品，也就是Corei7—5775C、Corei7—5775R、Corei5—5675C等五款。和上代产品相比，全新产品最引人注目的就是采用14nm工艺、Iris Pro核芯显卡以及128MB eDRAM板载缓存。那么，这些新技术的应用是否会带来大幅的性能提升？对于目前采用Haswell或Haswell Refresh处理器的用户来说，是否值得为此升级呢？ 展开更多

关键词 处理器 新技术 性能 预览 解析 edram IRIS 产品

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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片

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《微型计算机》 2009年第30期13-13,共1页

由IBM一手打造32nm SOI嵌入式eDRAM存储芯片原型样品已经出炉了，这款产品自诞生之日起，就被IBM冠以了多个名号全世界体积最小、存储密度最大、速度最快的芯片内嵌动态存储设备。说到体积小，相比于芯片缓存中通常使用的SRAM，这个“... 由IBM一手打造32nm SOI嵌入式eDRAM存储芯片原型样品已经出炉了，这款产品自诞生之日起，就被IBM冠以了多个名号全世界体积最小、存储密度最大、速度最快的芯片内嵌动态存储设备。说到体积小，相比于芯片缓存中通常使用的SRAM，这个“小家伙”的每个存储单元只需要一个晶体管； 展开更多

关键词 嵌入式DRAM 存储芯片 IBM SOI 测试 edram 存储密度 存储设备

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