期刊文献+
共找到586篇文章
< 1 2 30 >
每页显示 20 50 100
A Novel Integrated Circuit Driver for LED Lighting
1
作者 Yanfeng Jiang Dong Zhang Ming Yu 《Circuits and Systems》 2014年第7期161-169,共9页
A novel integrated circuit for driving LED lighting has been proposed, designed and fabricated. Besides the typical parts of LED driver, an integral part was added at the output terminal of error amplifier in the driv... A novel integrated circuit for driving LED lighting has been proposed, designed and fabricated. Besides the typical parts of LED driver, an integral part was added at the output terminal of error amplifier in the driver. In this way, a novel average current mode can be set up to take the place ordinary peak current control mode. In addition, a BUCK low-level topology was adopted, too. It can be used to drive up to eight 1 W HB LED lights with 350 mA constant current. In this way, the LED driver displays high performance, in which output current with less 1% error and total efficiency as high as 96%. The feasibility of the design has been verified by actual measurement on the fabricated chip. 展开更多
关键词 LED LIGHTING driver INTEGRAL circuit Low-Level TOPOLOGY
暂未订购
多路并联直线型变压器驱动源装置的二维电路模型
2
作者 范思源 魏浩 +1 位作者 李鹏超 邱爱慈 《西安交通大学学报》 北大核心 2026年第2期1-10,共10页
为了准确理解多路并联高功率脉冲装置的功率流传输特性并对脉冲源不同步馈电或故障状态时的电参数进行诊断,基于传输线电路编码方法,建立了6路并联直线型变压器驱动源(linear transformer drivers,LTD)脉冲功率装置的二维电路模型,采用... 为了准确理解多路并联高功率脉冲装置的功率流传输特性并对脉冲源不同步馈电或故障状态时的电参数进行诊断,基于传输线电路编码方法,建立了6路并联直线型变压器驱动源(linear transformer drivers,LTD)脉冲功率装置的二维电路模型,采用LTD脉冲源同步馈电和波形调控两种工作模式下的实验结果对模型进行验证。结果表明,与一维电路模型相比,二维电路模型能够更精确地预测装置输出特性,模拟和实验测量的电压或电流峰值相对偏差小于5%,并可对实验中难以直接测量的电场强度和线电流密度的空间分布特性进行分析。沿绝缘堆-磁绝缘传输线(magnetically insulated transmission line,MITL)系统径向向内,电场强度的角向不均匀系数从29%下降到1%,线电流密度的角向不均匀系数从120%下降到2%。在多路LTD脉冲源输出波形调控时,二维电路模型不仅给出了典型触发时序下负载电流波形,并且获得了绝缘堆-MITL系统不同角向位置的电压和电流空间分布。绝缘堆-MITL的电场强度和线电流密度空间分布极不均匀,沿绝缘堆向内,电场角向不均匀系数从319%下降到13%,线电流密度的角向不均匀系数从1330%下降到199%。建立的二维电路模型可用于多路并联LTD装置的波形调控和功率传输特性分析。 展开更多
关键词 直线型变压器驱动源 二维电路模型 传输线电路编码 波形调控 空间分布
在线阅读 下载PDF
高压大功率开关器件驱动电路的电磁散射分析
3
作者 许航宇 尹毅博 +1 位作者 潘超 张楠 《华中科技大学学报(自然科学版)》 北大核心 2026年第1期8-13,20,共7页
为了探究金属导体的电磁散射现象对高压大功率器件在驱动板卡表面产生的电磁干扰的影响,基于电磁基础理论,分析了单向电磁场遇到理想导体时的散射效应.仿真实验分别模拟了功率器件作为辐射源时近场辐射与远场辐射下,观测点与金属导体在... 为了探究金属导体的电磁散射现象对高压大功率器件在驱动板卡表面产生的电磁干扰的影响,基于电磁基础理论,分析了单向电磁场遇到理想导体时的散射效应.仿真实验分别模拟了功率器件作为辐射源时近场辐射与远场辐射下,观测点与金属导体在不同方向和距离上的散射场变化情况.结果表明:远场时,散射场从散射体边界开始向四周呈周期性振荡衰减,散射场大小与观测点到散射体的距离呈指数衰减;近场时,散射电场在初始电场的方向上增加,散射磁场则在初始磁场变化的方向上减小,与初始电磁场垂直的两个方向的场变化规律相反.散射场大小与观测点到散射体的距离呈指数衰减.最后实验验证了近场情况下散射场的分布情况. 展开更多
关键词 高压大功率器件 驱动板卡 电磁散射 有限元发法 实验分析 感应电压
原文传递
一种GaN功率器件正负串扰抑制驱动电路设计
4
作者 宣跃腾 郭世龙 +1 位作者 杜伟兮 汪文涛 《电力电子技术》 2026年第4期155-163,共9页
GaN功率器件阈值电压较低且栅极反向击穿电压较小,其应用于高频桥式电路时面临的串扰问题更为严峻。为解决该问题,本文提出一种仅由电阻-电容-二极管(residual current device,RCD)组成,具有正负串扰抑制功能的驱动电路。其基本思路是... GaN功率器件阈值电压较低且栅极反向击穿电压较小,其应用于高频桥式电路时面临的串扰问题更为严峻。为解决该问题,本文提出一种仅由电阻-电容-二极管(residual current device,RCD)组成,具有正负串扰抑制功能的驱动电路。其基本思路是在驱动回路中引入负压电容抑制正向串扰,在驱动电阻两端并联小电阻抑制负向串扰。在分析所提电路工作模态和主要器件参数的基础上,搭建双脉冲和同步Buck实验平台,验证了该电路对正负串扰的抑制能力。实验结果表明,相较于传统驱动电路,在50 V母线电压下,所提驱动电路使器件串扰电压尖峰分别减少3.31 V和1.55 V,同时提高42%的关断速度并降低78.81%的关断损耗。 展开更多
关键词 GaN功率器件 串扰抑制 负压关断 双脉冲 驱动电路
在线阅读 下载PDF
汽车LED照明系统的驱动电路设计与光效提升研究
5
作者 史聪聪 徐赞扬 《汽车电器》 2026年第1期105-107,共3页
本文围绕汽车LED照明系统的工程化实现,聚焦两条核心主线:驱动电路的可落地设计与光效提升的系统路径。在驱动电路设计方面,明确了车规输入级、防反接电路与滤波网络在台架上可复现的边界条件;针对恒流与反馈环节,提出包含采样电阻开尔... 本文围绕汽车LED照明系统的工程化实现,聚焦两条核心主线:驱动电路的可落地设计与光效提升的系统路径。在驱动电路设计方面,明确了车规输入级、防反接电路与滤波网络在台架上可复现的边界条件;针对恒流与反馈环节,提出包含采样电阻开尔文走线、补偿网络迭代调试及基于非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM)的出厂标定在内的完整流程;在EMC与诊断一体化设计上,制定了印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)叠层分区、单点接地与源头抑制的优化顺序。光效提升部分直接靶向光学路径衰减、热-电协同损耗及光谱色度稳定性三类核心损耗源,细化了材料选型、装配洁净控制、光学衍射元件(Diffractive Optical Element,DOE)微调、热接口压缩率验证、热管固定件耐久性测试及短波截止涂层抽检等关键工程动作。 展开更多
关键词 LED 驱动电路 恒流控制 光效提升 热-电协同
在线阅读 下载PDF
Influences of Switching Jitter on the Operational Performances of Linear Transformer Drivers-Based Drivers 被引量:3
6
作者 刘鹏 孙凤举 +3 位作者 魏浩 王志国 尹佳辉 邱爱慈 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第4期347-352,共6页
A whole circuit model of a linear transformer drivers (LTD) module composed of 60 cavities in series was developed in the software PSPICE to study the influence of switching jitter on the operational performances of... A whole circuit model of a linear transformer drivers (LTD) module composed of 60 cavities in series was developed in the software PSPICE to study the influence of switching jitter on the operational performances of LTDs. In the model, each brick in each cavity is capable of operating with jitter in its switch. Additionally, the manner of triggering cables entering into cavities was considered. The performances of the LTD module operating with three typical cavity-triggering sequences were simulated and the simulation results indicate that switching jitter affects slightly the peak and starting time of the output current pulse. However, the enhancement in switching jitter would significantly lengthen the rise time of the output current pulse. Without considering other factors, a jitter lower than 10 ns may be necessary for the switches in the LTD module to provide output current parameters with an acceptable deviation. 展开更多
关键词 linear transformer drivers (LTDs) circuit model pulsed power transmission line JITTER trigger delay
在线阅读 下载PDF
Numerical Analysis of the Output-Pulse Shaping Capability of Linear Transformer Drivers 被引量:2
7
作者 刘鹏 孙风举 +1 位作者 尹佳辉 邱爱慈 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期246-251,共6页
Output-pulse shaping capability of a linear transformer driver (LTD) module under different conditions is studied, by conducting the whole circuit model simulation by using the PSPICE code. Results indicate that a h... Output-pulse shaping capability of a linear transformer driver (LTD) module under different conditions is studied, by conducting the whole circuit model simulation by using the PSPICE code. Results indicate that a higher impedance profile of the internal transmission line would lead to a wider adjustment range for the output current rise time and a narrower adjustment range for the current peak. The number of cavities in series has a positive effect on the output- pulse shaping capability of LTD. Such an improvement in the output-pulse shaping capability can primarily be ascribed to the increment in the axial electric length of LTD. For a triggering time interval longer than the time taken by a pulse to propagate through the length of one cavity, the output parameters of LTD could be improved significantly. The present insulating capability of gas switches and other elements in the LTD cavities may only tolerate a slightly longer deviation in the triggering time interval. It is feasible for the LTD module to reduce the output current rise time, though it is not useful to improve the peak power effectively. 展开更多
关键词 linear transformer driver (LTD) circuit model pulsed power transmission line impedance profile trigger delay
在线阅读 下载PDF
Through-silicon-via crosstalk model and optimization design for three-dimensional integrated circuits 被引量:3
8
作者 钱利波 朱樟明 +2 位作者 夏银水 丁瑞雪 杨银堂 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期591-596,共6页
Through-silicon-via (TSV) to TSV crosstalk noise is one of the key factors affecting the signal integrity of three- dimensional integrated circuits (3D ICs). Based on the frequency dependent equivalent electrical ... Through-silicon-via (TSV) to TSV crosstalk noise is one of the key factors affecting the signal integrity of three- dimensional integrated circuits (3D ICs). Based on the frequency dependent equivalent electrical parameters for the TSV channel, an analytical crosstalk noise model is established to capture the TSV induced crosstalk noise. The impact of various design parameters including insulation dielectric, via pitch, via height, silicon conductivity, and terminal impedance on the crosstalk noise is analyzed with the proposed model. Two approaches are proposed to alleviate the TSV noise, namely, driver sizing and via shielding, and the SPICE results show 241 rnV and 379 mV reductions in the peak noise voltage, respectively. 展开更多
关键词 three-dimensional integrated circuits through-silicon-via crosstalk driver sizing via shielding
原文传递
可级联的压控晶闸管同步驱动电路
9
作者 王文东 吴朝阳 +2 位作者 王淦平 吴编 杨周炳 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第2期136-139,共4页
针对压控晶闸管脉冲工作特性和串联使用需求,设计了一种可级联的驱动电路,实现了多级串联压控晶闸管的同步开通。首先,介绍了电路拓扑及工作原理,利用推挽结构的平面耦合电感器隔离初、次级信号并传递驱动能量,解决了串联驱动小型化和... 针对压控晶闸管脉冲工作特性和串联使用需求,设计了一种可级联的驱动电路,实现了多级串联压控晶闸管的同步开通。首先,介绍了电路拓扑及工作原理,利用推挽结构的平面耦合电感器隔离初、次级信号并传递驱动能量,解决了串联驱动小型化和低压供电条件下快前沿输出的问题;其次,通过计算和仿真确定了电路参数和主要器件选型;最后,使用6级串联的MCT作为放电开关搭建了测试电路,在充电电压8.4 kV、工作重复频率20 Hz条件下,4Ω电阻负载上获得了幅值为1.958 kA的准方波脉冲电流。 展开更多
关键词 驱动电路 MOS栅控晶闸管 串联 同步 准方波脉冲
在线阅读 下载PDF
Design and Verification of a High Performance LED Driver with an Efficient Current Sensing Architecture
10
作者 Jin He Wing Yan Leung +7 位作者 Tsz Yin Man Lin He Hailang Liang Aixi Zhang Qingxing He Caixia Du Xiaomeng He Mansun Chan 《Circuits and Systems》 2013年第5期393-400,共8页
A high power buck-boost switch-mode LED driver delivering a constant 350 mA with a power efficient current sensing scheme is presented in this paper. The LED current is extracted by differentiating the output capacito... A high power buck-boost switch-mode LED driver delivering a constant 350 mA with a power efficient current sensing scheme is presented in this paper. The LED current is extracted by differentiating the output capacitor voltage and maintained by a feedback. The circuit has been fabricated in a standard 0.35 μm AMS CMOS process. Measurement results demonstrated a power-conversion efficiency over 90% with a line regulation of 8%/V for input voltage of 3.3 V and current output between 200 mA and 350 mA. 展开更多
关键词 LED driver Current Sensing CAPACITOR VOLTAGE FEEDBACK circuit
暂未订购
A Review of PVT Compensation Circuits for Advanced CMOS Technologies 被引量:1
11
作者 Andrey Malkov Dmitry Vasiounin Oleg Semenov 《Circuits and Systems》 2011年第3期162-169,共8页
The recent high-performance interfaces like DDR2, DDR3, USB and Serial ATA require their output drivers to provide a minimum variation of rise and fall times over Process, Voltage, and Temperature (PVT) and output loa... The recent high-performance interfaces like DDR2, DDR3, USB and Serial ATA require their output drivers to provide a minimum variation of rise and fall times over Process, Voltage, and Temperature (PVT) and output load variations. As the interface speed grows up, the output drivers have been important component for high quality signal integrity, because the output voltage levels and slew rate are mainly determined by the output drivers. The output driver impedance compliance with the transmission line is a key factor in noise minimization due to the signal reflections. In this paper, the different implementations of PVT compensation circuits are analyzed for cmos45nm and cmos65nm technology processes. One of the considered PVT compensation circuits uses the analog compensation approach. This circuit was designed in cmos45nm technology. Other two PVT compensation circuits use the digital compensation method. These circuits were designed in cmos65nm technology. Their electrical characteristics are matched with the requirements for I/O drivers with respect to DDR2 and DDR3 standards. DDR2 I/O design was done by the Freescale wireless design team for mobile phones and later was re-used for other high speed interface designs. In conclusion, the advantages and disadvantages of considered PVT control circuits are analyzed. 展开更多
关键词 PVT COMPENSATION PVT Control circuit Process VARIATION DDR Interface I/O driver
暂未订购
A Hybrid GA-SQP Algorithm for Analog Circuits Sizing
12
作者 Firas Yengui Lioua Labrak +3 位作者 Felipe Frantz Renaud Daviot Nacer Abouchi Ian O’Connor 《Circuits and Systems》 2012年第2期146-152,共7页
This study presents a hybrid algorithm obtained by combining a genetic algorithm (GA) with successive quadratic sequential programming (SQP), namely GA-SQP. GA is the main optimizer, whereas SQP is used to refine the ... This study presents a hybrid algorithm obtained by combining a genetic algorithm (GA) with successive quadratic sequential programming (SQP), namely GA-SQP. GA is the main optimizer, whereas SQP is used to refine the results of GA, further improving the solution quality. The problem formulation is done in the framework named RUNE (fRamework for aUtomated aNalog dEsign), which targets solving nonlinear mono-objective and multi-objective optimization problems for analog circuits design. Two circuits are presented: a transimpedance amplifier (TIA) and an optical driver (Driver), which are both part of an Optical Network-on-Chip (ONoC). Furthermore, convergence characteristics and robustness of the proposed method have been explored through comparison with results obtained with SQP algorithm. The outcome is very encouraging and suggests that the hybrid proposed method is very efficient in solving analog design problems. 展开更多
关键词 GENETIC Algorithm SEQUENTIAL QUADRATIC Programming Hybrid Optimization Analog circuits TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER Optical driver
暂未订购
一种转杯纺纱机电机驱动器故障诊断新方法
13
作者 陈丹江 柳玉甜 +1 位作者 陈军敢 张少中 《浙江万里学院学报》 2025年第4期86-92,共7页
为了提高转杯纺纱机运行的可靠性以及纺纱设备的自动化、智能化程度,对其电机驱动器主电路准电流源逆变器进行了故障诊断研究。当准电流源逆变器中单个开关器件发生短路故障时,三相输出电流会发生相应的变化。以a相为例,将一个周期的a... 为了提高转杯纺纱机运行的可靠性以及纺纱设备的自动化、智能化程度,对其电机驱动器主电路准电流源逆变器进行了故障诊断研究。当准电流源逆变器中单个开关器件发生短路故障时,三相输出电流会发生相应的变化。以a相为例,将一个周期的a相电流划分为四个区间,详细分析了a相两个开关器件在四个区间发生短路故障时三相电流的变化情况。结合开关驱动信号和三相电流变化情况,提出了一种准电流源逆变器单个开关器件短路的故障诊断方法。最后搭建了实验模型电路进行了验证,证明了提出的故障诊断方法的正确性,并给出了相应结论。 展开更多
关键词 转杯纺 电机驱动器 准电流源逆变器 短路故障 故障诊断
在线阅读 下载PDF
SiC MOSFET的短路耐受时间分析及其基于di/dt-PMOS的短路保护
14
作者 谢佳明 魏金萧 +2 位作者 吴彬兵 丰昊 冉立 《电工技术学报》 北大核心 2025年第16期5081-5091,共11页
为了提高SiC MOSFET的短路可靠性,在不同的母线电压、驱动电压、驱动电阻、主回路寄生电感以及栅极阈值电压参数下,对SiC MOSFET短路电流特性曲线进行测量,定量分析各个参数对短路电流的影响,为如何提高SiC MOSEFT的短路耐受时间提供解... 为了提高SiC MOSFET的短路可靠性,在不同的母线电压、驱动电压、驱动电阻、主回路寄生电感以及栅极阈值电压参数下,对SiC MOSFET短路电流特性曲线进行测量,定量分析各个参数对短路电流的影响,为如何提高SiC MOSEFT的短路耐受时间提供解决思路。同时,由于SiC MOSFET的短路耐受时间决定着对其进行短路保护动作的最大时间,所以这些不同参数的设置直接影响着SiC MOSFET短路保护电路的设计。在传统SiC MOSFET短路保护策略中,利用开尔文源极与功率源极之间寄生电感产生的感应电压,配合RC滤波器进行短路保护,存在SiC MOSFET在硬开关短路和负载短路中,触发短路保护动作阈值不一致的问题,即导致短路保护失败。针对此问题,提出基于di/dt-PMOS的短路保护策略,保证了阈值的一致性。通过公式推导以及实验验证了基于di/dt-PMOS的SiC MOSFET短路保护策略的有效性。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 短路耐受时间 短路保护 开尔文源极 驱动电路
在线阅读 下载PDF
一种用于无刷直流电机的栅极驱动器
15
作者 冉祥涛 于慧 +2 位作者 唐宁 施博文 王梦涵 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第10期1185-1192,共8页
针对应用于无刷直流电机的栅极驱动器的上电干扰脉冲和dV/dt噪声等可靠性问题,设计了一款具备高可靠性、低功耗及抗dV/dt噪声能力的栅极驱动器。设计中,采用了高侧PMOS架构,并通过将栅极电压回馈至两组锁存器,确保了充足的死区时间。加... 针对应用于无刷直流电机的栅极驱动器的上电干扰脉冲和dV/dt噪声等可靠性问题,设计了一款具备高可靠性、低功耗及抗dV/dt噪声能力的栅极驱动器。设计中,采用了高侧PMOS架构,并通过将栅极电压回馈至两组锁存器,确保了充足的死区时间。加入偏斜设计的SR锁存器,与前置逻辑组合过滤dV/dt噪声。在电平迁移电路中使用电流控制和电容耦合两种结构,实现了高侧到低侧的电压回馈的同时自适应调节输入脉宽;通过引入上电检测模块解决了在电源初始上电时产生的干扰脉冲,增强了鲁棒性,也降低了功耗。所设计的栅极驱动器基于0.25μm工艺,供电电压为30~60 V。在25℃典型工艺角下,通过多级缓冲器与驱动管的连接,确保了在驱动电流达到1 A时,死区时间得到充分控制,从而实现最小死区时间,大约为12 ns。 展开更多
关键词 栅极驱动器 电平移位电路 dV/dt噪声 上电检测
在线阅读 下载PDF
微显示驱动电路中音频信号干扰抑制技术研究
16
作者 洪仁辉 来升 《电声技术》 2025年第8期33-35,共3页
微显示技术在增强现实和虚拟现实设备中的广泛应用,使驱动电路的信号完整性问题日益突出。通过建立音频干扰传播模型,采用频谱分析、信噪比测量和显示质量评估等实验方法,系统分析不同频率音频信号对驱动电路的干扰机理。实验结果表明,... 微显示技术在增强现实和虚拟现实设备中的广泛应用,使驱动电路的信号完整性问题日益突出。通过建立音频干扰传播模型,采用频谱分析、信噪比测量和显示质量评估等实验方法,系统分析不同频率音频信号对驱动电路的干扰机理。实验结果表明,综合抑制技术使驱动电路信噪比从42 dB提升至67 dB,显示亮度均匀性从78%提升至95%,色彩偏差度从12%降至3%,可为高性能微显示系统的设计提供重要参考。 展开更多
关键词 微显示驱动电路 音频信号干扰 电磁兼容 滤波器设计 信号完整性
在线阅读 下载PDF
一种高压功率驱动电路设计
17
作者 荆洲 林雨佳 宋博尊 《微处理机》 2025年第5期32-36,共5页
目前MOSFET和IGBT驱动系统在新能源机器设备领域有着较广泛应用,根据设备系统中的功率驱动和开关隔离需求,设计了一种高压功率驱动器。电路采用商用1.0μm高压SOI工艺设计,高边悬浮电压的工作范围可达600 V,该芯片内置过流检测模块、基... 目前MOSFET和IGBT驱动系统在新能源机器设备领域有着较广泛应用,根据设备系统中的功率驱动和开关隔离需求,设计了一种高压功率驱动器。电路采用商用1.0μm高压SOI工艺设计,高边悬浮电压的工作范围可达600 V,该芯片内置过流检测模块、基准电压模块、欠压保护模块、脉冲产生电路模块、高低压转换模块、延迟匹配模块以及输出驱动模块等,确保电路在整个系统中工作的可靠性。其过流保护阈值为230 mV,驱动输出短路电流可达2 A。仿真结果表明,此功率驱动器电路满足设计要求。 展开更多
关键词 高压 过流保护 驱动电路
在线阅读 下载PDF
一种占空比可调的三相驱动电路设计
18
作者 荆洲 林雨佳 宋博尊 《微处理机》 2025年第3期58-63,共6页
目前三相MOSFET驱动系统在新能源汽车、工业机器人和智能家居设备领域有着较广泛应用,根据设备系统中的高集成度和三相直流电机驱动需求,设计了一种PWM占空比可调的三相驱动电路。电路采用商用0.25μm高压BCD工艺设计,通过SPEED端口电... 目前三相MOSFET驱动系统在新能源汽车、工业机器人和智能家居设备领域有着较广泛应用,根据设备系统中的高集成度和三相直流电机驱动需求,设计了一种PWM占空比可调的三相驱动电路。电路采用商用0.25μm高压BCD工艺设计,通过SPEED端口电压可设置PWM占空比0%到100%可调。当环境温度到达165.1℃可触发过温保护。该芯片内置PWM调制模块、电荷泵电路、自举监控模块、过温保护模块等,确保电路在整个系统中工作的可靠性。仿真结果表明,占空比可调的三相驱动电路满足设计要求。 展开更多
关键词 PWM调制 过温保护 驱动电路
在线阅读 下载PDF
基于多段式电平调控的SiC MOSFET驱动与保护策略
19
作者 白建成 客金坤 +2 位作者 高冲 许京涛 冯静波 《电工技术学报》 北大核心 2025年第22期7301-7312,共12页
SiC MOSFET具有低导通电阻、低开关损耗、高开关频率以及优异的反向恢复特性。器件过快的开关速度,会导致严重的开关过冲、振荡和串扰。此外其短路承受能力弱,需要保护电路具备更快的响应速度,但较高的开关变化率,又使得保护电路的快速... SiC MOSFET具有低导通电阻、低开关损耗、高开关频率以及优异的反向恢复特性。器件过快的开关速度,会导致严重的开关过冲、振荡和串扰。此外其短路承受能力弱,需要保护电路具备更快的响应速度,但较高的开关变化率,又使得保护电路的快速响应与抗噪声能力难以兼顾。为确保其安全可靠工作,该文提出基于多段式电平调控的驱动与保护方法。驱动方法解决开关过程多个目标的协同优化问题,在获得较快的开关速度和低损耗的同时,有效地抑制过冲和振荡;保护方法提出了增加补偿回路的导通压降检测电路,降低了温度和负载变化对检测精度的影响,同时提出了两段式降低栅压的关断方法,增大故障检测盲区时间以降低干扰噪声影响,并采用软关断技术,抑制关断过电压。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 多电平驱动 开关轨迹 短路保护 软关断
在线阅读 下载PDF
一种带短路保护的磁隔离IGBT驱动架构 被引量:1
20
作者 刘甲俊 李飞 +2 位作者 陈荣昕 邓玉清 肖培磊 《电子技术应用》 2025年第3期44-48,共5页
设计一种带短路保护的磁隔离IGBT驱动架构,该架构采用变压器隔离,集成去饱和检测电路、米勒钳位电路和软关断,当IGBT发生短路故障退出饱和区,便对器件执行软关断,并通过米勒钳位电路抑制栅极电压尖峰。同时通过故障反馈通道将故障信号... 设计一种带短路保护的磁隔离IGBT驱动架构,该架构采用变压器隔离,集成去饱和检测电路、米勒钳位电路和软关断,当IGBT发生短路故障退出饱和区,便对器件执行软关断,并通过米勒钳位电路抑制栅极电压尖峰。同时通过故障反馈通道将故障信号反馈给前级控制器,实现对短路故障的快速响应。仿真和实测结果表明,本架构具有8 kV的隔离耐压,去饱和检测和米勒钳位阈值分别为9 V和2 V,去饱和故障响应时间为419 ns,故障报错时间为311 ns,软关断时间为136 ns。该架构实现了短路故障保护和故障反馈,已应用在某一高耐压隔离IGBT驱动器中。 展开更多
关键词 短路保护 磁隔离 隔离IGBT驱动架构
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 30 下一页 到第
使用帮助 返回顶部