期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型
1
作者
赵金凤
杜孟君
+3 位作者
张冬利
王槐生
单奇
王明湘
《电子器件》
CAS
北大核心
2020年第5期953-958,共6页
本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依...
本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依赖关系。通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO)。研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流-电压曲线拟合得以验证。
展开更多
关键词
漏端
offset
薄膜晶体管
非晶铟镓锌氧化物
电阻
开态电流模型
在线阅读
下载PDF
职称材料
T恤印花的工艺与方法
被引量：
1
2
作者
申鸿
王雪筠
《纺织科技进展》
CAS
2008年第1期50-52,共3页
介绍了多种印花工艺,如胶印、水印、发泡立体印花、静电植绒印花等。另介绍了一些新的、科技含量高的新工艺,如变色印花、香味印花、夜光印花等。
关键词
胶印
水印
植绒印花
变色印花
香味印花
夜光印花
在线阅读
下载PDF
职称材料
新型集成三漏CMOS磁敏传感器
3
作者
楼利民
张维新
《工业仪表与自动化装置》
1992年第5期22-26,共5页
本文介绍了一种新型的集成三漏CMOS磁敏传感器的电路原理、电路特点及研制结果,该电路制作在0.9×0.9mm^2的芯片面积上。该器件具有以下优点:高磁灵敏度,良好的稳定性及温度特性、功能强、显示出良好的工程应用价值。
关键词
三漏MOSFET
磁灵敏度
传感器
在线阅读
下载PDF
职称材料
结合国外规范谈建筑给排水设计中常忽视的问题
被引量：
10
4
作者
张怡
李爱莲
《给水排水》
CSCD
北大核心
2019年第1期139-143,共5页
在给排水和消防设计中,有些细节问题很容易被忽视。结合国外规范和工程经验,讨论了污废水立管"偏置"时管径的确定及其通气做法、排水管泡沫压力问题、高层建筑排水立管消能问题、溢流口的设置方法、虹吸雨水的应用范围、自动...
在给排水和消防设计中,有些细节问题很容易被忽视。结合国外规范和工程经验,讨论了污废水立管"偏置"时管径的确定及其通气做法、排水管泡沫压力问题、高层建筑排水立管消能问题、溢流口的设置方法、虹吸雨水的应用范围、自动喷水灭火系统的泄水和试水等问题。
展开更多
关键词
偏置
泡沫压力
溢流口
虹吸雨水
泄水
国外规范
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型
1
作者
赵金凤
杜孟君
张冬利
王槐生
单奇
王明湘
机构
苏州大学电子信息学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2020年第5期953-958,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(61974101,61971299)
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题项目(2018KF006,2019KF007)。
文摘
本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依赖关系。通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO)。研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流-电压曲线拟合得以验证。
关键词
漏端
offset
薄膜晶体管
非晶铟镓锌氧化物
电阻
开态电流模型
Keywords
drain offset
TFT
a-IGZO
resistance
on-current model
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
T恤印花的工艺与方法
被引量：
1
2
作者
申鸿
王雪筠
机构
四川大学轻纺学院
重庆师范大学
出处
《纺织科技进展》
CAS
2008年第1期50-52,共3页
文摘
介绍了多种印花工艺,如胶印、水印、发泡立体印花、静电植绒印花等。另介绍了一些新的、科技含量高的新工艺,如变色印花、香味印花、夜光印花等。
关键词
胶印
水印
植绒印花
变色印花
香味印花
夜光印花
Keywords
offset
printing
drain
printing
ilock printing
color change stamp
aroma stamp
night stamp
分类号
TS194.4 [轻工技术与工程—纺织化学与染整工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
新型集成三漏CMOS磁敏传感器
3
作者
楼利民
张维新
机构
天津大学
出处
《工业仪表与自动化装置》
1992年第5期22-26,共5页
文摘
本文介绍了一种新型的集成三漏CMOS磁敏传感器的电路原理、电路特点及研制结果,该电路制作在0.9×0.9mm^2的芯片面积上。该器件具有以下优点:高磁灵敏度,良好的稳定性及温度特性、功能强、显示出良好的工程应用价值。
关键词
三漏MOSFET
磁灵敏度
传感器
Keywords
Triple-
drain
MOSFET
cross-coupling input
offset
voltage for zero magnetic
induction magnetic sensitivity
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
结合国外规范谈建筑给排水设计中常忽视的问题
被引量：
10
4
作者
张怡
李爱莲
机构
清华大学建筑设计研究院有限公司
出处
《给水排水》
CSCD
北大核心
2019年第1期139-143,共5页
文摘
在给排水和消防设计中,有些细节问题很容易被忽视。结合国外规范和工程经验,讨论了污废水立管"偏置"时管径的确定及其通气做法、排水管泡沫压力问题、高层建筑排水立管消能问题、溢流口的设置方法、虹吸雨水的应用范围、自动喷水灭火系统的泄水和试水等问题。
关键词
偏置
泡沫压力
溢流口
虹吸雨水
泄水
国外规范
Keywords
offset
Subs pressure
Scupper
Siphonic rainwater system
Sprinkler riser
drain
Foreign codes
分类号
TU82 [建筑科学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型
赵金凤
杜孟君
张冬利
王槐生
单奇
王明湘
《电子器件》
CAS
北大核心
2020
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
T恤印花的工艺与方法
申鸿
王雪筠
《纺织科技进展》
CAS
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
新型集成三漏CMOS磁敏传感器
楼利民
张维新
《工业仪表与自动化装置》
1992
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
结合国外规范谈建筑给排水设计中常忽视的问题
张怡
李爱莲
《给水排水》
CSCD
北大核心
2019
10
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
