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有序介孔硅-壳聚糖修饰电极差分脉冲溶出伏安法测定锡(Ⅱ)含量 被引量：3
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作者 张玲 刘楠 +1 位作者 矫淞霖 张谦 《沈阳师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2018年第6期497-503,共7页
实验利用介孔泡沫硅(MCF)具有较大孔径、大的比表面积、高吸附性能的特点,以壳聚糖为粘接剂,将MCF成功修饰到玻碳电极上,制备了MCF/Chit/GC电极。使用差分脉冲溶出伏安技术,研究了锡(Ⅱ)在该电极上的溶出伏安特性。实验结果表明:MCF的存... 实验利用介孔泡沫硅(MCF)具有较大孔径、大的比表面积、高吸附性能的特点,以壳聚糖为粘接剂,将MCF成功修饰到玻碳电极上,制备了MCF/Chit/GC电极。使用差分脉冲溶出伏安技术,研究了锡(Ⅱ)在该电极上的溶出伏安特性。实验结果表明:MCF的存在,改变了常规平面电极对锡离子检测不灵敏的状况。利用锡(Ⅱ)浓度与其峰电流之间的线性关系,以MCF/Chit/GC为工作电极,可实现浓度范围为6.25～43.75μmol/L的锡(Ⅱ)的测定。 展开更多
关键词 介孔泡沫硅 锡(Ⅱ)离子 差分脉冲溶出伏安法 修饰电极
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