期刊文献+
共找到3,726篇文章
< 1 2 187 >
每页显示 20 50 100
纳秒激光复合离子束刻蚀技术的CVD金刚石抛光研究
1
作者 冯昱森 赵智炎 +3 位作者 于颜豪 徐颖 徐地华 李爱武 《激光杂志》 北大核心 2025年第1期214-221,共8页
高表面平整度的CVD金刚石在微刀具、光学窗口、半导体等领域具有非常广阔的应用前景。然而,由于CVD金刚石具有的高硬度、高耐磨性和化学惰性等特性,使得CVD金刚石的高精度抛光成为一个巨大的挑战。针对金刚石抛光难度问题,使用纳秒激光... 高表面平整度的CVD金刚石在微刀具、光学窗口、半导体等领域具有非常广阔的应用前景。然而,由于CVD金刚石具有的高硬度、高耐磨性和化学惰性等特性,使得CVD金刚石的高精度抛光成为一个巨大的挑战。针对金刚石抛光难度问题,使用纳秒激光复合离子束刻蚀技术抛光CVD金刚石,开展了多晶CVD金刚石激光抛光实验研究,针对激光功率和扫描速度两种激光参数研究其对CVD金刚石烧蚀深度和表面粗糙度的影响,在此基础上对激光抛光后的CVD金刚石进行离子束蚀刻抛光,研究了离子束抛光下的金刚石表面粗糙度变化,并对离子束抛光后的金刚石表面成分进行分析。通过所述方法实现了CVD金刚石样品表面粗糙度从6.687μm降到0.804μm的优异的抛光效果。此研究提供了一种旨在红外窗口、微型铣床和航天航空等领域具有应用价值的金刚石抛光方法。 展开更多
关键词 激光光学 纳秒激光抛光 离子束抛光 cvd金刚石 粗糙度
原文传递
VO_(2)对刀具CVD金刚石涂层热应力的调节作用研究
2
作者 徐洛 杜星祝 +2 位作者 吴超逸 金坚 卢文壮 《表面技术》 北大核心 2025年第12期145-151,共7页
目的通过降低热应力的方式,解决刀具CVD金刚石涂层在切削过程中易脱落的问题。方法使用热致相变材料VO_(2)作为硬质合金刀具与CVD金刚石涂层的中间层。建立M相VO_(2)(333)晶胞模型和VO_(2)/金刚石涂层体系模型,采用分子动力学模拟的方法... 目的通过降低热应力的方式,解决刀具CVD金刚石涂层在切削过程中易脱落的问题。方法使用热致相变材料VO_(2)作为硬质合金刀具与CVD金刚石涂层的中间层。建立M相VO_(2)(333)晶胞模型和VO_(2)/金刚石涂层体系模型,采用分子动力学模拟的方法,模拟VO_(2)的相变过程并计算升温过程中涂层体系的热应力变化情况。制备了VO_(2)/CVD金刚石涂层,使用X射线应力分析仪对升温过程中的涂层应力变化进行实时测量。结果建立的VO_(2)模型在330 K附近发生相变,体系能量突变,内部原子位置发生变化。仿真结果显示,VO_(2)/金刚石界面模型热应力在323.15~373.15 K发生突变,涂层应力降低约400 MPa;试验结果显示,涂层VO_(2)在323.15~328.15 K发生突变,热应力降低约300 MPa,VO_(2)的相变温度和应力调控的试验结果与仿真结果趋势一致。结论加入VO_(2)中间层可降低CVD金刚石涂层的热应力,对提高刀具CVD金刚石涂层抗剥落能力具有重要意义。 展开更多
关键词 cvd金刚石涂层 VO_(2) 热应力 热致相变材料 调节
在线阅读 下载PDF
无色和粉色CVD合成钻石的颜色成因及光谱学特征
3
作者 赵星棋 卢琪 +1 位作者 顾玮铭 秦府鑫 《宝石和宝石学杂志(中英文)》 2025年第4期99-109,共11页
选取来自两家企业的无色及粉色CVD合成钻石样品及其种晶,采用偏光显微镜、DiamondView TM、红外光谱、拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱和多激发光源低温光致发光光谱等测试方法,系统研究了样品的颜色成因与光谱学特征。结果表明,所有样品... 选取来自两家企业的无色及粉色CVD合成钻石样品及其种晶,采用偏光显微镜、DiamondView TM、红外光谱、拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱和多激发光源低温光致发光光谱等测试方法,系统研究了样品的颜色成因与光谱学特征。结果表明,所有样品在正交偏光下普遍存在异常消光,表明其晶体存在应力差异;DiamondView TM显示粉色CVD合成钻石样品表现出由NV 0中心主导的橙红色荧光,无色样品则表现为以H3中心为主的绿色荧光;红外光谱测试结果可将样品划分为Ⅰb型,粉色样品均出现与辐照及退火处理相关的1450 cm^(-1)处(H1a中心)吸收峰,部分样品出现高温高压(HPHT)相关的1510 cm^(-1)处吸收峰;根据1332 cm^(-1)处的钻石拉曼本征峰处的半高宽(FWHM)显示,晶体质量从高到低依次为种晶>无色样品>粉色样品;紫外-可见光谱与光致发光光谱测试结果进一步揭示粉色CVD合成钻石样品中存在NV 0及SiV-等中心。研究表明,CVD合成钻石样品具有强异常消光和层状生长现象,粉色CVD钻石样品经过辐照和高温高压处理,其颜色主要源于NV 0中心的形成,并在DiamondView TM下呈橙红色荧光。研究测试结果可为CVD合成钻石的检测及颜色特征判定提供一些参考依据,对于提高合成钻石处理识别的准确性及理解其光谱特征的形成机制具有借鉴意义。 展开更多
关键词 cvd合成钻石 偏光特征 发光性 晶格缺陷 光谱学特征 颜色成因
在线阅读 下载PDF
粉色CVD合成钻石的光致变色及光谱特征
4
作者 岳素伟 李坤 +1 位作者 高诗佳 金莉莉 《光谱学与光谱分析》 北大核心 2025年第11期3190-3197,共8页
无色合成钻石可经高温高压、辐照、低温退火多阶段处理形成NV色心而呈粉色,少量化学气相沉积法(CVD)合成钻石有NVH 0与SiV^(-)色心致粉色。不同机理致粉色合成钻石经短波紫外线(225 nm)照射后发生变色,选取粉色CVD合成钻石进行短波紫外... 无色合成钻石可经高温高压、辐照、低温退火多阶段处理形成NV色心而呈粉色,少量化学气相沉积法(CVD)合成钻石有NVH 0与SiV^(-)色心致粉色。不同机理致粉色合成钻石经短波紫外线(225 nm)照射后发生变色,选取粉色CVD合成钻石进行短波紫外线(225 nm)与钻石分级荧光灯(6500 K)照射实验,分析颜色变化、恢复时长及照射前后红外光谱(IR)、紫外-可见光谱(UV-Vis)、光致发光光谱(PL)特征,结果显示:样品在短波紫外线(225 nm)照射后,明度降低,整体变灰,颜色恢复需7~30 min;IR有极弱的N_(s)^(+)所致1332与950 cm^(-1)吸收峰/带,N_(s)^(0)所致1344与1130 cm^(-1)吸收峰/带,显示样品含氮量极低,可归为Ⅱa型,短波紫外线(225 nm)照射后,1344 cm^(-1)增强,1332 cm^(-1)减弱;UV-Vis显示样品为NV色心致粉色,短波紫外线(225 nm)照射后,637 nm(NV^(-))吸收强度变弱,NV^(0)与NV^(-)吸收强度与各自吸收边带中心位置的变化,是颜色发生变化的主要原因;PL可见强575与637 nm发光峰,NV^(0)峰强度为NV^(-)的2.5~6.5倍,多数样品见弱736.6与736.9 nm双峰(SiV^(-)),短波紫外线(225 nm)照射后NV^(0)、NV^(-)与SiV^(-)强度呈不同程度降低,NV^(-)与其发光边带最明显,指示NV^(0)、NV^(-)与SiV^(-)色心浓度呈不同程度降低,NV^(-)降低最为明显。综合分析认为,样品经短波紫外线(225 nm)照射,存在N^(+)+NV^(-)N^(0)+NV^(0)与N^(+)+SiV^(-)N^(0)+SiV^(0),以及N^(0)+NV^(0)N^(-)+NV^(+)或X^(+/0)+NV^(0)←→X^(0/-)+NV^(+),导致部分NV^(0)形成无光谱特征的NV^(+);NV^(0/-)色心的零声子线强度和吸收边带中心变化,导致样品颜色发生变化,白色光照可使其颜色恢复至初始状态。 展开更多
关键词 粉色cvd合成钻石 NV色心 光致变色 光谱特征
在线阅读 下载PDF
维生素D缺乏促进CVD患者血管钙化的机制研究
5
作者 朱欣然 张爽 段亚君 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期112-118,126,共8页
为探究维生素D缺乏对血管钙化(vascular calcification,VC)的作用机制,文章对心血管疾病(cardiovascular disease,CVD)患者的血清学指标进行临床研究分析,发现血清维生素D、纤维母细胞生长因子23(fibroblast growth factor 23,FGF23)、K... 为探究维生素D缺乏对血管钙化(vascular calcification,VC)的作用机制,文章对心血管疾病(cardiovascular disease,CVD)患者的血清学指标进行临床研究分析,发现血清维生素D、纤维母细胞生长因子23(fibroblast growth factor 23,FGF23)、Klotho水平均与血管钙化相关;采用HASMC细胞构建钙化模型,在去除或回补维生素D的条件下,观察钙化相关分子在蛋白和mRNA水平的表达情况。结果表明,维生素D缺乏会引起循环系统、血管组织、肾脏组织中Klotho水平下降,导致FGF23-Klotho轴紊乱,从而产生FGF23抵抗,抑制FGF23对磷酸盐的代谢过程,导致体内磷酸盐代谢紊乱,加速血管钙化的发生发展。 展开更多
关键词 维生素D FGF23-Klotho轴 血管钙化(VC) 心血管疾病(cvd) FGF23抵抗
暂未订购
CVD金刚石薄膜与涂层制备技术及关键领域应用研究进展
6
作者 吴勇 郭于洋 +3 位作者 孙清云 陈辉 杨甫 夏思瑶 《表面技术》 北大核心 2025年第16期18-38,共21页
金刚石因其优异的理化性质,在众多领域都有着广阔的应用前景,化学气相沉积则是金刚石薄膜与涂层常用的制备技术之一。详细阐述了CVD金刚石的生长机理,包括气体输送与活化、表面吸附与分解、成核与生长等过程。介绍了多种CVD金刚石制备技... 金刚石因其优异的理化性质,在众多领域都有着广阔的应用前景,化学气相沉积则是金刚石薄膜与涂层常用的制备技术之一。详细阐述了CVD金刚石的生长机理,包括气体输送与活化、表面吸附与分解、成核与生长等过程。介绍了多种CVD金刚石制备技术,如热丝化学气相沉积、微波等离子体化学气相沉积和直流等离子体增强化学气相沉积,并对其原理与特点进行了比较。在工艺调控方面,分析了气源体系选择、沉积参数调控等对金刚石膜质量和性能的影响。通过优化碳源气体种类、浓度、反应气氛以及沉积气压和温度等参数,可以显著提升金刚石膜的生长速率和质量,精准调控这些参数是实现高质量金刚石生长的关键。在应用方面,阐述并分析了金刚石薄膜在量子技术、光学、能源领域,以及金刚石涂层在机械加工、生物医学、航天领域的应用场景。尽管CVD金刚石技术已实现多领域突破应用,但其仍面临规模化生产、长期生物安全性验证及复杂工况性能优化等挑战。未来研究将聚焦多功能涂层开发、低成本制备、生物安全性验证及极端环境性能突破,进一步攻克大尺寸单晶生长、低温高质量沉积及智能化工艺控制等关键技术,以满足高端制造与科技发展需求。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 金刚石涂层 化学气相沉积 热丝化学气相沉积 微波等离子体化学气相沉积 cvd金刚石应用
在线阅读 下载PDF
LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺中防颗粒污染技术
7
作者 樊坤 黄志海 +2 位作者 王理正 王志伟 苏子懿 《电子工艺技术》 2025年第2期52-55,共4页
二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构... 二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构主要包括微环境系统和温度控制系统,重点介绍了立式LPCVD设备工艺颗粒来源、微环境系统和温度控制系统结构组成,以及微环境系统和温度控制系统的应用效果。 展开更多
关键词 半导体 cvd 温度控制 微环境 颗粒污染 二氧化硅
在线阅读 下载PDF
CVD法制备无硫膨胀石墨/碳纳米管复合材料及其导热性能研究
8
作者 王振廷 王传波 +1 位作者 尹吉勇 刘昊洋 《山东化工》 2025年第3期8-11,共4页
通过电化学法制备膨胀石墨,采用CVD法以硝酸铁为催化剂,乙炔为碳源在膨胀石墨层间原位生长碳纳米管,经过碳化石墨化提纯,二辊压延机辊压增密处理后制备出一种复合导热膜。并通过XRD、SEM、EDS对复合材料的组织结构进行表征分析,使用激... 通过电化学法制备膨胀石墨,采用CVD法以硝酸铁为催化剂,乙炔为碳源在膨胀石墨层间原位生长碳纳米管,经过碳化石墨化提纯,二辊压延机辊压增密处理后制备出一种复合导热膜。并通过XRD、SEM、EDS对复合材料的组织结构进行表征分析,使用激光导热仪对复合膜进行导热性能测试。研究结果表明,使用硝酸铁作为催化剂,乙炔为碳源成功在膨胀石墨间隙中生长出碳纳米管,管径为20 nm左右。随着通入碳源的减少,碳纳米管的产量也随之减少。制备的复合导热膜的导热性能相对于膨胀石墨膜大幅提高,导热系数提高到804.21 W/(m·K)。 展开更多
关键词 cvd 膨胀石墨 碳纳米管 制备工艺
在线阅读 下载PDF
立式雾化辅助CVD系统的设计与实现
9
作者 赵丹 向星承 +4 位作者 詹宇 陈茵豪 秦源涛 肖黎 龚恒翔 《微纳电子技术》 2025年第1期152-157,共6页
雾化辅助化学气相沉积(CVD)技术是一种高质量氧化物薄膜的低成本制备方法。设计并搭建了一套立式雾化辅助CVD系统,该系统包含了雾化源、立式反应腔体、加热、水冷和尾气处理模块。采用该系统制备了SnO_(2)薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)对... 雾化辅助化学气相沉积(CVD)技术是一种高质量氧化物薄膜的低成本制备方法。设计并搭建了一套立式雾化辅助CVD系统,该系统包含了雾化源、立式反应腔体、加热、水冷和尾气处理模块。采用该系统制备了SnO_(2)薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜样品进行分析,并用扫描电子显微镜(SEM)观察样品表面形貌。实验结果表明:采用所设计的立式雾化辅助CVD系统制备出了沿(200)晶面生长的SnO_(2)薄膜,其(200)衍射峰半高宽为0.22°。SnO_(2)薄膜表面较大的晶粒呈现类金字塔状,薄膜表面颗粒尺寸较为均匀。通过计算得出薄膜表面最大颗粒平均粒径为145 nm。所设计的系统结构合理、操作简单,制备的薄膜具有较高的质量。 展开更多
关键词 雾化辅助化学气相沉积(cvd) 薄膜沉积系统设计 立式腔体 SnO_(2)薄膜 结构与形貌
原文传递
Ultrahigh concentration of NV^(−)centers embedded in the CVD epi-diamond layer near the interface with an HPHT diamond substrate
10
作者 Yuanjie Yang Shengran Lin +4 位作者 Jiaxin Zhao Changfeng Weng Liren Lou Wei Zhu Guanzhong Wang 《Chinese Physics B》 2025年第5期498-503,共6页
The negatively charged nitrogen vacancy(NV^(−))center ensemble in as-grown chemical vapor deposition(CVD)diamond is a promising candidate for quantum sensing due to its long coherence time and excellent optical proper... The negatively charged nitrogen vacancy(NV^(−))center ensemble in as-grown chemical vapor deposition(CVD)diamond is a promising candidate for quantum sensing due to its long coherence time and excellent optical properties.However,achieving a high concentration of NV^(−)centers in as-grown CVD diamond remains a critical challenge,which constrains the performance of NV^(−)based sensors.In this study,we observe that NV^(−)center formation efficiency is significantly enhanced during the initial growth phase,with a coherence time T_(2)^(*)of 1.1μs.These findings demonstrate that high-concentration NV^(−)centers can be achieved in as-grown diamonds,greatly enhancing their utility in high-performance magnetometers and quantum sensing. 展开更多
关键词 INTERFACE high concentration nitrogen vacancy centers chemical vapor deposition(cvd) DIAMOND
原文传递
纳米硅与CVD硅碳材料,谁能实现产业化?——专访天津师范大学张波研究员
11
《中国粉体工业》 2025年第4期62-62,61,40,共3页
近年来,高性能负极材料成为目前锂离子电池的研究热点之一,硅基负极材料更是因其理论比容量远超石墨负极,成为行业突破能量密度瓶颈的核心方向。2025年6月24-25日,由中国粉体网主办的第二届硅基负极材料技术与产业高峰论坛暨2025CVD硅... 近年来,高性能负极材料成为目前锂离子电池的研究热点之一,硅基负极材料更是因其理论比容量远超石墨负极,成为行业突破能量密度瓶颈的核心方向。2025年6月24-25日,由中国粉体网主办的第二届硅基负极材料技术与产业高峰论坛暨2025CVD硅碳负极材料前沿技术论坛在安徽合肥举办。在此期间,中国粉体网采访到了天津师范大学张波研究员,就硅基负极材料产业化等一系列问题进行了探讨交流。 展开更多
关键词 纳米硅 产业化 cvd硅碳材料 锂离子电池
在线阅读 下载PDF
Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究
12
作者 赵昊 余博文 +6 位作者 李琪 李光清 刘医源 林娜 李阳 穆文祥 贾志泰 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期997-1004,共8页
宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对... 宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。 展开更多
关键词 宽禁带氧化物半导体 LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜 雾化学气相沉积法 n型导电 本征缺陷
在线阅读 下载PDF
C-H-F氛围下金刚石薄膜的低温CVD生长过程分析
13
作者 简小刚 梁晓伟 +4 位作者 姚文山 张毅 张斌华 陈哲 陈茂林 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第1期15-21,共7页
基于第一性原理的密度泛函理论对C-H-F氛围下低温CVD金刚石薄膜的生长过程进行仿真分析,计算H、F原子在氢终止金刚石表面发生萃取反应的吸附能、反应热与反应能垒,并分析CF_(3)、CF_(2)、CF 3种生长基团在带有活性位点基底上的吸附。结... 基于第一性原理的密度泛函理论对C-H-F氛围下低温CVD金刚石薄膜的生长过程进行仿真分析,计算H、F原子在氢终止金刚石表面发生萃取反应的吸附能、反应热与反应能垒,并分析CF_(3)、CF_(2)、CF 3种生长基团在带有活性位点基底上的吸附。结果表明:与H原子相比,F原子更容易在氢终止金刚石表面萃出H,并以HF形式脱附,且在C-H-F氛围下有利于在低温时产生更多的活性位点;CF_(3)、CF_(2)、CF基团在吸附后的结构和吸附能绝对值都更有利于金刚石相的生成,适当提高CF_(3)、CF_(2)、CF基团的浓度有助于实现金刚石相的更高速率生长。 展开更多
关键词 cvd金刚石薄膜 沉积机制 第一性原理 吸附 表面化学反应
在线阅读 下载PDF
新型CVD金刚石涂层刀具铣削高性能各向同性石墨研究 被引量:1
14
作者 余浚哲 邓福铭 +4 位作者 邓雯丽 陈孝洲 邢晓天 刘子逸 李灿 《硬质合金》 CAS 2024年第2期133-139,共7页
利用自主研发的新型CVD金刚石复合涂层刀具对自行研制的高密高强各向同性石墨材料进行了铣削加工试验,对比测试了新型CVD金刚石复合涂层刀具与PCD刀具的切削性能。试验结果表明,PCD刀具铣削加工25min其后刀面磨损已超过磨钝标准0.3 mm,... 利用自主研发的新型CVD金刚石复合涂层刀具对自行研制的高密高强各向同性石墨材料进行了铣削加工试验,对比测试了新型CVD金刚石复合涂层刀具与PCD刀具的切削性能。试验结果表明,PCD刀具铣削加工25min其后刀面磨损已超过磨钝标准0.3 mm,新型CVD金刚石复合涂层刀具加工到45 min时,其后刀面磨损量仅为0.25 mm,这说明新型CVD金刚石复合涂层刀具高速铣削石墨时表现出良好的耐磨性和使用寿命,可以适应高性能各向同性石墨的加工需求。铣削加工试验还发现新型CVD金刚石复合涂层刀具加工的石墨表面质量在初期不如PCD刀具,但在更长时间加工情况下,其加工表面质量优于PCD刀具。 展开更多
关键词 cvd金刚石复合涂层刀具 聚晶金刚石刀具 各向同性 石墨 高速铣削
原文传递
CVD金刚石纳秒激光烧蚀机理及抛光试验研究(内封面文章·特邀)
15
作者 张全利 许柏昕 +3 位作者 李嘉昊 刘建 吴明涛 傅玉灿 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第10期71-83,共13页
通过有限元仿真研究了激光入射角度对纳秒激光烧蚀CVD金刚石的表面创成过程影响,并结合纳秒激光烧蚀CVD金刚石的试验,探究了激光功率、激光入射倾角与光斑重叠率等参数对CVD金刚石表面形貌及表面粗糙度的影响,分析了表面损伤的形成机理... 通过有限元仿真研究了激光入射角度对纳秒激光烧蚀CVD金刚石的表面创成过程影响,并结合纳秒激光烧蚀CVD金刚石的试验,探究了激光功率、激光入射倾角与光斑重叠率等参数对CVD金刚石表面形貌及表面粗糙度的影响,分析了表面损伤的形成机理。在一定激光功率下,激光入射倾角增大会明显减轻加工表面的陷光效应,从而获得更加均匀的表面形貌。激光烧蚀CVD金刚石表面以沟槽、裂纹等为主要表面损伤特征,通过优化激光加工参数抑制了材料的表面损伤,降低了材料的表面粗糙度数值,实现了基于纳秒激光入射角度和扫描轨迹控制的CVD金刚石均匀抛光去除。 展开更多
关键词 纳秒激光烧蚀 表面粗糙度 激光抛光 cvd金刚石
原文传递
Mist CVD生长的雾滴迁移与早期沉积研究
16
作者 吴诗颖 陈琳 +2 位作者 蒋少清 郭方正 陶志阔 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第4期454-460,467,共8页
第三代半导体材料α-Ga_(2)O_(3)因其超宽带隙(5.3 eV)和超高巴利加优值(6726)在制造高功率器件等电子器件方面更具优势。在α-Ga_(2)O_(3)的诸多生长方法中,Mist CVD简化了前体输运,是亚稳相薄膜较有前景的生长技术。针对早期雾滴分布... 第三代半导体材料α-Ga_(2)O_(3)因其超宽带隙(5.3 eV)和超高巴利加优值(6726)在制造高功率器件等电子器件方面更具优势。在α-Ga_(2)O_(3)的诸多生长方法中,Mist CVD简化了前体输运,是亚稳相薄膜较有前景的生长技术。针对早期雾滴分布会制约薄膜质量的问题,使用计算流体力学(CFD)对α-Ga_(2)O_(3)的水平热壁Mist CVD系统进行了多相流反应的瞬态数值仿真研究。基于雾滴迁移与气化模型,研究影响雾滴蒸发时间的因素,解释了雾滴迁移长度对初始外延质量和平均生长速率的作用。在影响α-Ga_(2)O_(3)薄膜生长分布的诸多变量中,对衬底温度、衬底位置及衬底角度等关键参数进行了优化。结果表明,26.5°的衬底角度、距离出口78 cm的衬底位置和550℃的衬底温度具有较好的雾滴迁移分布,是有利于薄膜成核生长的优化条件,为实际生长与制备提供生长参数。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) Mist cvd 雾滴 蒸发时间 平均生长速率 均匀性
在线阅读 下载PDF
CVD-SiC阵列结构对ZrB_(2)/SiC涂层抗烧蚀性影响
17
作者 高志廷 马壮 柳彦博 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期261-274,共14页
采用飞秒激光在化学气相沉积(CVD)-SiC中间层表面制备不同尺寸的阵列,研究了阵列结构对ZrB_(2)/SiC涂层性能的影响。结果表明,随着激光刻蚀频次的增大,阵列结构的深度从30μm增大到150μm。采用氧乙炔烧蚀600 s,ZrB_(2)/SiC涂层烧蚀表... 采用飞秒激光在化学气相沉积(CVD)-SiC中间层表面制备不同尺寸的阵列,研究了阵列结构对ZrB_(2)/SiC涂层性能的影响。结果表明,随着激光刻蚀频次的增大,阵列结构的深度从30μm增大到150μm。采用氧乙炔烧蚀600 s,ZrB_(2)/SiC涂层烧蚀表面温度随CVD-SiC微结构深度增大而逐步降低,最低的表面温度达到1700℃,下降了约200℃。烧蚀中心区域的颜色从白色过渡到浅灰色。对于激光刻蚀频次为5的试样,在600 s的单次烧蚀后,质量烧蚀率和线性烧蚀率分别为-7.4×10^(-5)g/s和-13.3μm/s。阵列结构增大了ZrB_(2)/SiC涂层与CVD-SiC中间层的接触面积,从而增强了导热性能,减少了热积聚,进而改善了ZrB_(2)/SiC涂层的抗烧蚀性能。 展开更多
关键词 阵列结构 烧蚀 等离子喷涂 C/C复合材料 cvd-SiC 激光刻蚀
原文传递
CVD Al_(2)O_(3)涂层织构取向对显微组织结构和性能的影响
18
作者 瞿峻 陈响明 +4 位作者 王社权 温光华 刘萍 罗学全 李思敏 《硬质合金》 2024年第6期506-514,共9页
化学气相沉积(CVD)Al_(2)O_(3)涂层具备高硬度,良好韧性,优异的耐磨、耐热、抗氧化、化学稳定等性能,是一种综合性能优良的切削刀具涂层材料。本文采用CVD制备了具有(104)、(0012)及(012)织构取向α-Al_(2)O_(3)的MT-Ti CN/Al_(2)O_(3)/... 化学气相沉积(CVD)Al_(2)O_(3)涂层具备高硬度,良好韧性,优异的耐磨、耐热、抗氧化、化学稳定等性能,是一种综合性能优良的切削刀具涂层材料。本文采用CVD制备了具有(104)、(0012)及(012)织构取向α-Al_(2)O_(3)的MT-Ti CN/Al_(2)O_(3)/Ti N涂层。采用XRD、SEM等研究了涂层显微组织结构、织构取向及涂层性能。实验结果表明,高(0012)织构取向α-Al_(2)O_(3)涂层柱状晶晶粒更完整;α-Al_(2)O_(3)涂层织构取向会影响表层Ti N形貌及织构取向,高(0012)织构取向α-Al_(2)O_(3)表层Ti N为高(111)织构取向,(104)织构取向α-Al_(2)O_(3)表层Ti N为弱(111)+(331)混合织构取向,(012)织构取向α-Al_(2)O_(3)表层Ti N为弱(220)+(420)混合织构取向。车削42Cr Mo实验结果表明,高(0012)织构取向α-Al_(2)O_(3)涂层耐磨性能优于(104)和(012)织构取向,主要表现在高(0012)织构取向α-Al_(2)O_(3)涂层前刀面和后刀面抗磨损能力均更优。 展开更多
关键词 cvd涂层 α-Al_(2)O_(3) 织构取向 显微组织 切削性能
原文传递
退火处理对CVD生长石墨烯薄膜功函数的影响
19
作者 姜燕 程振华 宋娟 《江苏大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第3期362-366,共5页
通过退火处理去除了石墨烯薄膜上的吸附气体和杂质,改变了石墨烯表面吸附情况.利用原子力显微镜和开尔文扫描探针显微镜,对退火处理前后的石墨烯薄膜表面进行了原位扫描,分别得到其退火前、后的表面形貌和表面接触电势差图.根据表面接... 通过退火处理去除了石墨烯薄膜上的吸附气体和杂质,改变了石墨烯表面吸附情况.利用原子力显微镜和开尔文扫描探针显微镜,对退火处理前后的石墨烯薄膜表面进行了原位扫描,分别得到其退火前、后的表面形貌和表面接触电势差图.根据表面接触电势差测量结果进一步计算其功函数,并对退火处理导致的功函数变化机理进行分析.结果表明:退火处理使得石墨烯薄膜与SiO_(2)衬底间的水分子层逸出,从而导致石墨烯薄膜与SiO_(2)衬底间距减小,降低了石墨烯薄膜的P型掺杂水平,使得费米能级上升、石墨烯薄膜功函数减小. 展开更多
关键词 石墨烯 功函数 原子力显微镜 退火 表面接触电势差 化学气相沉积法
在线阅读 下载PDF
基于有限元仿真的CVD涂层刀片加工45钢寿命分析
20
作者 谢慧 黄威武 +2 位作者 王春秀 任健 文娟 《硬质合金》 2024年第5期392-399,共8页
CVD(化学气相沉积)多层复合涂层可以有效提升刀片寿命,而切削温度是影响涂层性能的重要因素之一。本文通过实验对比了不同涂层结构刀片车削45钢时的后刀面磨损,并通过有限元仿真获取了切削温度,结合有限元仿真与实验结果,基于切削温度... CVD(化学气相沉积)多层复合涂层可以有效提升刀片寿命,而切削温度是影响涂层性能的重要因素之一。本文通过实验对比了不同涂层结构刀片车削45钢时的后刀面磨损,并通过有限元仿真获取了切削温度,结合有限元仿真与实验结果,基于切削温度分析了不同CVD多层复合涂层TiC-Al_(2)O_(3)-TiN加工45钢的刀片寿命。结果表明:切削45钢时,最外层无TiN涂层的刀片寿命最低。涂层结构对刀尖最高温度影响较小,不同涂层结构刀片差异仅在10℃以内;最外层涂覆TiN涂层可以缩小前刀面高温区域,为了提高刀片寿命,在切削温度为850℃以下时,应适量降低内层的TiC涂层厚度,提高最外层的TiN涂层厚度,切削温度超过850℃后,应适量降低TiN涂层厚度,提高Al_(2)O_(3)涂层的厚度。 展开更多
关键词 cvd涂层 刀片寿命 切削温度
原文传递
上一页 1 2 187 下一页 到第
使用帮助 返回顶部