为提高真空断路器(vacuum circuit breaker,VCB)投切无功补偿电容器组性能,通过实验研究了纵向磁场(axial magnetic field,AMF)与横向磁场(transverse magnetic field,TMF)触头对双断口真空断路器容性关合过程性能的影响。研究结果表明...为提高真空断路器(vacuum circuit breaker,VCB)投切无功补偿电容器组性能,通过实验研究了纵向磁场(axial magnetic field,AMF)与横向磁场(transverse magnetic field,TMF)触头对双断口真空断路器容性关合过程性能的影响。研究结果表明,横磁触头可显著改善预击穿特性:50%预击穿开距及分散性降低约50%,燃弧时间缩短37%,真空灭弧室(vacuum interrupter,VI)电压分配更均衡(比例由7∶3改善至6∶4),触头烧蚀更轻。本文研究可为电容器组投切用双断口真空断路器结构设计及性能优化提供理论依据。展开更多
文摘为提高真空断路器(vacuum circuit breaker,VCB)投切无功补偿电容器组性能,通过实验研究了纵向磁场(axial magnetic field,AMF)与横向磁场(transverse magnetic field,TMF)触头对双断口真空断路器容性关合过程性能的影响。研究结果表明,横磁触头可显著改善预击穿特性:50%预击穿开距及分散性降低约50%,燃弧时间缩短37%,真空灭弧室(vacuum interrupter,VI)电压分配更均衡(比例由7∶3改善至6∶4),触头烧蚀更轻。本文研究可为电容器组投切用双断口真空断路器结构设计及性能优化提供理论依据。
