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Reducing the Short Circuit Levels in Kuwait Transmission Network
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作者 W. AI-Hasawi M. Gilany 《Journal of Energy and Power Engineering》 2010年第5期45-51,共7页
This paper describes the study analysis performed to evaluate the available and potential solutions to control the highly increasing short circuit (SC) levels in Kuwait power system. The real Kuwait High Voltage (H... This paper describes the study analysis performed to evaluate the available and potential solutions to control the highly increasing short circuit (SC) levels in Kuwait power system. The real Kuwait High Voltage (HV) network was simulated to examine different measures at both 275 kV and 132 kV stations. The simulation results show that the short circuit currents exceed the permissible levels (40 kA in the 132 kV network and 63 kA in the 275 kV network) in some specific points. The examined measures include the a study on changing the neutral point policy, changing some lines from alternating current (AC) to direct current (DC), dividing specific bus bars in some generating stations and applying current limiters. The paper also presents a new plan for the transmission network in order to manage the expected increase in short circuit levels in the future. 展开更多
关键词 Short circuit level network splitting fault current limiter power transmission planning.
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Graph Modeling for Static Timing Analysis at Transistor Level in Nano-Scale CMOS Circuits
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作者 Abdoul Rjoub Almotasem Bellah Alajlouni Hassan Almanasrah 《Circuits and Systems》 2013年第2期123-136,共14页
The development and the revolution of nanotechnology require more and effective methods to accurately estimating the timing analysis for any CMOS transistor level circuit. Many researches attempted to resolve the timi... The development and the revolution of nanotechnology require more and effective methods to accurately estimating the timing analysis for any CMOS transistor level circuit. Many researches attempted to resolve the timing analysis, but the best method found till the moment is the Static Timing Analysis (STA). It is considered the best solution because of its accuracy and fast run time. Transistor level models are mandatory required for the best estimating methods, since these take into consideration all analysis scenarios to overcome problems of multiple-input switching, false paths and high stacks that are found in classic CMOS gates. In this paper, transistor level graph model is proposed to describe the behavior of CMOS circuits under predictive Nanotechnology SPICE parameters. This model represents the transistor in the CMOS circuit as nodes in the graph regardless of its positions in the gates to accurately estimating the timing analysis rather than inaccurate estimating which caused by the false paths at the gate level. Accurate static timing analysis is estimated using the model proposed in this paper. Building on the proposed model and the graph theory concepts, new algorithms are proposed and simulated to compute transistor timing analysis using RC model. Simulation results show the validity of the proposed graph model and its algorithms by using predictive Nano-Technology SPICE parameters for the tested technology. An important and effective extension has been achieved in this paper for a one that was published in international conference. 展开更多
关键词 Critical Path Estimation Graph Models MOSFETS SEQUENTIAL circuits TRANSISTOR level Static TIMING Analysis
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聚合物整平剂用于浅孔超填充电镀的性能研究
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作者 王丹蕾 宋子豪 +2 位作者 聂凯旋 李哲 孙蓉 《电镀与精饰》 北大核心 2026年第1期1-7,共7页
设计制备了一种新型二元共聚物型酸性硫酸电镀铜整平剂L。在酸铜基础镀液(VMS)中,添加2~4 mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、200 mg/L聚乙二醇(PEG,MW10000)和20~30 mg/L整平剂L,并以电流密度1.5~2.1 A/dm^(2)电镀填充深径比1:2的印制电路... 设计制备了一种新型二元共聚物型酸性硫酸电镀铜整平剂L。在酸铜基础镀液(VMS)中,添加2~4 mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、200 mg/L聚乙二醇(PEG,MW10000)和20~30 mg/L整平剂L,并以电流密度1.5~2.1 A/dm^(2)电镀填充深径比1:2的印制电路板(PCB)微孔。结果表明:整平剂L及其配方技术可兼容可溶磷铜阳极和不溶铱钛阳极(添加10 g/L FeSO_(4)·7H_(2)O)工艺,表现出优异且稳定的填平能力。镀液具有宽泛的添加浓度和施镀电流控制窗口,镀层平整均匀、结构致密,无铜瘤或包芯等形貌缺陷,具有良好的抗拉强度、延展性和热冲击可靠性,能够满足包括高密度互连板、封装基板等在内高端PCB的应用需要。 展开更多
关键词 印制电路板 电镀铜 微孔超填充 聚合物整平剂
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Investigating mesoscopic circuits with entangled state representations
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作者 梁宝龙 王继锁 +1 位作者 孟祥国 杨芹英 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第1期462-466,共5页
By employing the continuous parameter entangled state representations, we investigate the energy level and the wave function for a capacitively and mutual-inductively coupled LC mesoscopic circuit. It is found that in... By employing the continuous parameter entangled state representations, we investigate the energy level and the wave function for a capacitively and mutual-inductively coupled LC mesoscopic circuit. It is found that investigating the meso- scopic circuit in such representations can bring us the following conveniences. Firstly, the dynamical equation is naturally transformed into a single-variable differential equation. Second/y, the center-of-mass kinetic energy is included in the energy level of the system. Thus it is instructive to introduce the entangled state representation into the investigation of mesoscopic circuits. 展开更多
关键词 mesoscopic circuit energy level wave function entangled state
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A Novel Integrated Circuit Driver for LED Lighting
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作者 Yanfeng Jiang Dong Zhang Ming Yu 《Circuits and Systems》 2014年第7期161-169,共9页
A novel integrated circuit for driving LED lighting has been proposed, designed and fabricated. Besides the typical parts of LED driver, an integral part was added at the output terminal of error amplifier in the driv... A novel integrated circuit for driving LED lighting has been proposed, designed and fabricated. Besides the typical parts of LED driver, an integral part was added at the output terminal of error amplifier in the driver. In this way, a novel average current mode can be set up to take the place ordinary peak current control mode. In addition, a BUCK low-level topology was adopted, too. It can be used to drive up to eight 1 W HB LED lights with 350 mA constant current. In this way, the LED driver displays high performance, in which output current with less 1% error and total efficiency as high as 96%. The feasibility of the design has been verified by actual measurement on the fabricated chip. 展开更多
关键词 LED LIGHTING DRIVER INTEGRAL circuit Low-level TOPOLOGY
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An equivalent circuit model for terahertz quantum cascade lasers:Modeling and experiments
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作者 姚辰 徐天鸿 +2 位作者 万文坚 朱永浩 曹俊诚 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期257-260,共4页
Terahertz quantum cascade lasers(THz QCLs) emitted at 4.4 THz are fabricated and characterized. An equivalent circuit model is established based on the five-level rate equations to describe their characteristics. In... Terahertz quantum cascade lasers(THz QCLs) emitted at 4.4 THz are fabricated and characterized. An equivalent circuit model is established based on the five-level rate equations to describe their characteristics. In order to illustrate the capability of the model, the steady and dynamic performances of the fabricated THz QCLs are simulated by the model.Compared to the sophisticated numerical methods, the presented model has advantages of fast calculation and good compatibility with circuit simulation for system-level designs and optimizations. The validity of the model is verified by the experimental and numerical results. 展开更多
关键词 TERAHERTZ quantum cascade laser equivalent circuit model five-level rate equations
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Random testing for system-level functional verification of system-on-chip 被引量:4
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作者 Ma Qinsheng Cao Yang +1 位作者 Yang Jun Wang Min 《Journal of Systems Engineering and Electronics》 SCIE EI CSCD 2009年第6期1378-1383,共6页
In order to deal with the limitations during the register transfer level verification, a new functional verification method based on the random testing for the system-level of system-on-chip is proposed.The validity o... In order to deal with the limitations during the register transfer level verification, a new functional verification method based on the random testing for the system-level of system-on-chip is proposed.The validity of this method is proven theoretically.Specifically, testcases are generated according to many approaches of randomization.Moreover, the testbench for the system-level verification according to the proposed method is designed by using advanced modeling language.Therefore, under the circumstances that the testbench generates testcases quickly, the hardware/software co-simulation and co-verification can be implemented and the hardware/software partitioning planning can be evaluated easily.The comparison method is put to use in the evaluation approach of the testing validity.The evaluation result indicates that the efficiency of the partition testing is better than that of the random testing only when one or more subdomains are covered over with the area of errors, although the efficiency of the random testing is generally better than that of the partition testing.The experimental result indicates that this method has a good performance in the functional coverage and the cost of testing and can discover the functional errors as soon as possible. 展开更多
关键词 VLSI circuit VERIFICATION random process FUNCTION TESTING SYSTEM-ON-CHIP system-level.
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一种用于高性能FPGA的多功能I/O电路
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作者 罗旸 刘波 +3 位作者 曹正州 谢达 张艳飞 单悦尔 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期265-272,共8页
为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列(FPGA)的高速率、多功能数据传输需求,设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出(I/O)电路,工作电压为0.95 V,单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设计同一... 为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列(FPGA)的高速率、多功能数据传输需求,设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出(I/O)电路,工作电压为0.95 V,单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设计同一边沿流水技术的双倍数据速率(DDR)电路,可以使数据不仅能在相同的时钟沿输出,而且能在同一个时钟周期输出。通过分级采样结合时钟分频和偏移技术,仅需4个时钟周期即可完成8∶1数据的转换。另外,该I/O电路还可以对数据输入输出的延时进行调节,采用粗调和细调相结合的方式,共提供512个延时抽头,并且延时的分辨率达到4 ps。仿真和实测结果表明,该多功能I/O电路能为高性能FPGA提供灵活、多协议的高速数据传输功能。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列(FPGA) 输入输出(I/O)电路 多电平标准 双倍数据速率(DDR) 串并转换器(SerDes)
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丰枯水期视角下鄱阳湖区生态安全格局差异性研究
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作者 钱云 肖江 李宝勇 《江西农业大学学报》 北大核心 2025年第3期817-831,共15页
【目的】全球气候变化对湖泊湿地生态安全格局产生巨大影响,鄱阳湖近年来遭受了更为剧烈的水文变化,但既往研究缺乏季节变化下的格局差异及其影响关键地域等的精细解析。旨在探究鄱阳湖季节性水位变化对生态安全格局的影响机制,揭示差... 【目的】全球气候变化对湖泊湿地生态安全格局产生巨大影响,鄱阳湖近年来遭受了更为剧烈的水文变化,但既往研究缺乏季节变化下的格局差异及其影响关键地域等的精细解析。旨在探究鄱阳湖季节性水位变化对生态安全格局的影响机制,揭示差异化区域的生态保护修复需求,为实施动态保护修复提供科学依据。【方法】以鄱阳湖区为研究对象,综合运用生态系统服务和生态敏感性评价方法识别生态源,通过多因子修正阻力面,运用电路理论识别生态廊道、夹点和障碍点,构建两期生态安全格局,划定3类生态过渡区,提出差异化保护策略。【结果】(1)水位变化对鄱阳湖区生态安全格局产生显著影响。丰水期生态源地总面积3 555.23 km^(2),呈“中心集聚”分布;枯水期生态源地总面积减少62%,降至1 366.94 km^(2),转为“一带多点”分布。(2)枯水期生态廊道总长度较丰水期增加1.5倍,覆盖面积扩大25%,但夹点与障碍点数量激增,多分布于非保护区的自然水体和林地,加剧生态网络不稳定性。(3)识别出农田-湿地、水体-湿地和城市-湿地3类过渡区,主要位于已设立的自然保护区内,分别面临农业与渔业生产冲突、航运和挖砂影响及建设侵占等威胁。【结论】揭示了鄱阳湖生态安全格局存在显著季节性分异特征,提出“丰水期强化核心水域保护-枯水期优先修复破碎化源地与廊道-过渡区分类管控”的动态保护策略,为季节性敏感型湖泊湿地适应性管理提供科学路径。 展开更多
关键词 丰枯水期 鄱阳湖区 电路理论 水位变化 生态安全格局
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Protection of ±500 kV HVDC Double-circuit Converter Station from Lightning Induced Overvoltage 被引量:1
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作者 DONG Manling YUAN Zhiyong +3 位作者 LI Tianwei ZHAO Xiangen ZHANG Jiaxin HE Junjia 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期2053-2060,共8页
In order to obtain reasonable schemes of arrester in converter stations, the arrester scheme of "Xiluodu-Guangdong HVDC ± 500 kV double circuit transmission" project against lighting induced overvoltage... In order to obtain reasonable schemes of arrester in converter stations, the arrester scheme of "Xiluodu-Guangdong HVDC ± 500 kV double circuit transmission" project against lighting induced overvoltage, which was designed according to the main principle of lightning protection in converter station, is discussed. A calculation of the lighting induced overvoltage in Zhaotong converter station un- der various operation modes is performed with ATP-EMTP software, then the surge arrester configuration of the converter station is decided, and the arrester protection schemes of smoothing reactor and neutral line are studied. It is concluded that additional protection is necessary because of the relatively large gap between protected disconnecting switch and arrester of metallic return transfer bus. Plus, the smoothing reactor (SR) arrester near the valve hall could be removed to improve the scheme’s economic performance. 展开更多
关键词 高压直流输电 过电压保护 换流站 双回路 雷电感应 ATP-EMTP 平波电抗器 避雷器
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国产集成电路典型工艺可靠性风险分析及应用解决方案
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作者 翟芳 邹雅冰 赵文志 《电子产品可靠性与环境试验》 2025年第2期66-75,共10页
随着国家科技自主战略的深入推进,我国集成电路产业蓬勃发展,大量国产集成电路获得应用。值得关注的是,近年来在国产集成电路规模应用的过程中,也暴露出一些风险和问题,直接影响到产品质量和应用可靠性。基于对当前国产集成电路应用现... 随着国家科技自主战略的深入推进,我国集成电路产业蓬勃发展,大量国产集成电路获得应用。值得关注的是,近年来在国产集成电路规模应用的过程中,也暴露出一些风险和问题,直接影响到产品质量和应用可靠性。基于对当前国产集成电路应用现状的广泛调研,系统分析了国产集成电路制造工艺及板级装联工艺存在的应用风险,对国产集成电路应用瓶颈问题开展了较为深入的原因分析,并从工艺可靠性保障的视角对国产集成电路应用的解决方案进行了探讨。 展开更多
关键词 国产集成电路 工艺风险 板级装联工艺 可靠性保障
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基于多通道的二维递归融合图和LMCR模型的NPC型三电平逆变器故障诊断
12
作者 毕贵红 王小玲 +3 位作者 陈冬静 赵四洪 陈世语 陈仕龙 《高电压技术》 北大核心 2025年第3期1269-1283,I0002,I0003,共17页
中点钳位(neutral point clamped,NPC)型三电平逆变器并网工作环境恶劣,IGBT面临单管与双管同时故障的挑战,这使得故障特征之间的差异变得非常微弱,进而导致双管故障的识别精度难以有效提升。为此,提出了一种新的故障诊断方法,该方法结... 中点钳位(neutral point clamped,NPC)型三电平逆变器并网工作环境恶劣,IGBT面临单管与双管同时故障的挑战,这使得故障特征之间的差异变得非常微弱,进而导致双管故障的识别精度难以有效提升。为此,提出了一种新的故障诊断方法,该方法结合了多通道的二维递归融合图和轻量化多尺度残差(lightweightmultiscale convolutional residuals,LMCR)网络。首先,通过仿真获取三相电流信号作为故障信号;再利用递归图(recurrence plot,RP)将三相电流信号分别转化为二维图并进行多通道融合,以捕捉时间序列中的周期性、突变点和趋势等特征;最后,将递归融合图作为输入,输入到LMCR模型中进行故障识别,LMCR模型整合多级Inception结构和残差网络,用于提取不同尺度的特征并融合这些特征,从而保证网络的梯度消失和爆炸。实验结果显示,该方法在IGBT故障识别中表现出色,无噪声环境下平均识别准确率达100%,噪声环境中也达到了92.53%,充分证明了该方法具有较强的特征提取能力和优异的抗噪性能。 展开更多
关键词 NPC型三电平逆变器 开路故障 递归图 深度学习 多尺度特征
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低功耗增量式Sigma-Delta ADC的设计
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作者 岳佳琪 李敬国 喻松林 《激光与红外》 北大核心 2025年第1期75-80,共6页
通过将模-数转换器(ADC)集成到红外焦平面读出电路中实现模拟信号的数字化以及基于数字信号的智能化的技术,是目前国际上最先进的红外焦平面数字化技术。作为数字化读出电路的核心组成部分,ADC的性能指标直接影响着整体电路性能。ADC的... 通过将模-数转换器(ADC)集成到红外焦平面读出电路中实现模拟信号的数字化以及基于数字信号的智能化的技术,是目前国际上最先进的红外焦平面数字化技术。作为数字化读出电路的核心组成部分,ADC的性能指标直接影响着整体电路性能。ADC的系统架构可以分为芯片级ADC,列级ADC和像素级ADC,列级ADC是目前在红外焦平面应用最广泛的结构。依据列级数字化读出电路对ADC的要求,本文设计了一种二阶前馈增量式Sigma-Delta ADC,采用1.8 V的电源电压,ADC转换速率为26kS/s,要实现14 bit的量化精度,单个ADC功耗小于100μW。采用CMOS工艺进行电路设计,仿真结果表明,所设计的增量式Sigma-Delta ADC能够满足系统设计指标。 展开更多
关键词 低功耗电路 列级ADC 增量式Sigma-Delta ADC
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CMOS图像传感器瞬时剂量率效应模拟方法研究
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作者 彭治钢 伏琰军 +6 位作者 韦源 左应红 牛胜利 朱金辉 李培 董志勇 贺朝会 《现代应用物理》 2025年第3期121-132,共12页
CMOS图像传感器由于其高集成度和较好的抗辐射特性,在辐射环境中具有广泛的应用前景,其辐射效应得到了高度关注。本文针对典型结构的四晶体管CMOS图像传感器(CMOS image sensor, CIS),采用Sentaurus TCAD(technology computer aided des... CMOS图像传感器由于其高集成度和较好的抗辐射特性,在辐射环境中具有广泛的应用前景,其辐射效应得到了高度关注。本文针对典型结构的四晶体管CMOS图像传感器(CMOS image sensor, CIS),采用Sentaurus TCAD(technology computer aided design)和SPICE(simulation program with integrated circuit emphasis)相结合的方法,研究了CMOS像元、读出电路和列级模数转换器(analog-to-digital converter,ADC)的瞬时剂量率效应。仿真结果表明:在积分时间一定时,瞬时γ辐照会导致CMOS图像传感器的输出信号随γ射线剂量率的增加先线性增大,后趋于饱和。同时,瞬时γ射线入射的时间不同,CMOS图像传感器的输出信号也会有明显差异。对于读出电路和列级ADC,当γ射线剂量率小于1×10^(9) rad(Si)·s^(-1)时,其输出信号无明显变化;当剂量率达到1×10^(10) rad(Si)·s^(-1)及以上时,读出电路中相关双采样电路的采样信号大幅降低,列级ADC出现输出中断和数据位翻转等现象。对于工作在卷帘式快门模式的CMOS像素阵列,瞬时剂量率效应会导致输出图像出现亮条纹。本工作为CMOS图像传感器瞬时剂量率效应的研究提供了一种模拟方法。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 瞬时剂量率效应 电路级仿真 TCAD仿真
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基于电平转换的引信起爆控制电路设计 被引量:1
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作者 梁鹏飞 郝淑文 吴奇 《工程技术研究》 2025年第1期187-189,共3页
文章设计了一种基于双微控制单元架构的引信起爆控制系统,通过TXB0108芯片实现多通道双向电平转换,采用模块化设计思路构建控制电路,实现了信号处理、时序控制和安全保护等功能。实验结果表明,系统响应时间<1 ms,工作温度为-45~90℃... 文章设计了一种基于双微控制单元架构的引信起爆控制系统,通过TXB0108芯片实现多通道双向电平转换,采用模块化设计思路构建控制电路,实现了信号处理、时序控制和安全保护等功能。实验结果表明,系统响应时间<1 ms,工作温度为-45~90℃,抗振动性能达2 200g,各项指标均优于设计要求。该系统具有高可靠性、高精度和高安全性的特点,可满足电子引信的工程应用需求。 展开更多
关键词 电子引信 电平转换 起爆控制电路
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一种用于无刷直流电机的栅极驱动器
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作者 冉祥涛 于慧 +2 位作者 唐宁 施博文 王梦涵 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第10期1185-1192,共8页
针对应用于无刷直流电机的栅极驱动器的上电干扰脉冲和dV/dt噪声等可靠性问题,设计了一款具备高可靠性、低功耗及抗dV/dt噪声能力的栅极驱动器。设计中,采用了高侧PMOS架构,并通过将栅极电压回馈至两组锁存器,确保了充足的死区时间。加... 针对应用于无刷直流电机的栅极驱动器的上电干扰脉冲和dV/dt噪声等可靠性问题,设计了一款具备高可靠性、低功耗及抗dV/dt噪声能力的栅极驱动器。设计中,采用了高侧PMOS架构,并通过将栅极电压回馈至两组锁存器,确保了充足的死区时间。加入偏斜设计的SR锁存器,与前置逻辑组合过滤dV/dt噪声。在电平迁移电路中使用电流控制和电容耦合两种结构,实现了高侧到低侧的电压回馈的同时自适应调节输入脉宽;通过引入上电检测模块解决了在电源初始上电时产生的干扰脉冲,增强了鲁棒性,也降低了功耗。所设计的栅极驱动器基于0.25μm工艺,供电电压为30~60 V。在25℃典型工艺角下,通过多级缓冲器与驱动管的连接,确保了在驱动电流达到1 A时,死区时间得到充分控制,从而实现最小死区时间,大约为12 ns。 展开更多
关键词 栅极驱动器 电平移位电路 dV/dt噪声 上电检测
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基于切换调制策略的ANPC三电平逆变器开路故障诊断方法研究 被引量:1
17
作者 陈怡薇 徐永海 +2 位作者 袁敞 宋昕一 孙曙光 《电力系统保护与控制》 北大核心 2025年第2期27-37,共11页
由于开关器件故障是有源中性点箝位(active neutral point clamped,ANPC)三电平逆变器故障的主要类型,快速定位故障器件对提升ANPC三电平逆变器的可靠性具有重要意义。针对ANPC三电平逆变器开关器件开路故障,从传播路径的角度分析了不... 由于开关器件故障是有源中性点箝位(active neutral point clamped,ANPC)三电平逆变器故障的主要类型,快速定位故障器件对提升ANPC三电平逆变器的可靠性具有重要意义。针对ANPC三电平逆变器开关器件开路故障,从传播路径的角度分析了不同调制算法下开关器件故障对输出电流的影响以及输出电流与负载侧电压的相位差对故障电流波形的影响。以三相输出电流作为故障特征量,提出一种基于切换调制策略的ANPC三电平逆变器开路故障诊断方法。首先采用电流平均值法先对故障开关器件的大致范围进行判定,然后切换调制策略以实现故障器件的精确定位。最后,通过仿真与实验验证了该方法可以在1个基波周期内实现故障定位,具有检测速度快、抗干扰能力强的优点,且无需额外增加用于故障检测的传感器。 展开更多
关键词 ANPC三电平逆变器 切换调制策略 开路故障 故障诊断
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积水报警系统在地铁固定式架车机中的应用 被引量:1
18
作者 田毅波 王永康 《农业装备与车辆工程》 2025年第9期118-122,共5页
针对地铁固定式架车机中积水报警系统的应用需求,提出了一种基于51单片机的积水报警系统设计方案。通过选择合适的水位传感器、设计信号处理算法并构建报警机制,实现了实时水位监测与自动报警功能。实验结果表明,该系统在不同环境条件... 针对地铁固定式架车机中积水报警系统的应用需求,提出了一种基于51单片机的积水报警系统设计方案。通过选择合适的水位传感器、设计信号处理算法并构建报警机制,实现了实时水位监测与自动报警功能。实验结果表明,该系统在不同环境条件下能够准确检测水位变化并及时触发报警,提高了故障预警的准确性与响应速度。所设计的积水报警系统具有较高的灵敏度与可靠性,能够保障固定式架车机的安全运行,为地铁积水监控提供了技术参考。 展开更多
关键词 地铁固定式架车机 积水报警 51单片机 检测电路 水位监测
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基于片上实时监测与自适应补偿的抗总剂量带隙基准
19
作者 郭仲杰 任瑗 +2 位作者 王亚朋 邱子忆 李梦丽 《北京航空航天大学学报》 北大核心 2025年第12期4072-4079,共8页
带隙基准电路在总剂量辐射环境下会出现双极晶体管基极电流泄漏,电流增益下降,从而造成带隙基准输出电压偏移,使得带隙基准的可靠性下降。针对传统带隙基准基于工艺、版图和器件的总剂量加固方法会带来的成本过高、版图面积过大、普适... 带隙基准电路在总剂量辐射环境下会出现双极晶体管基极电流泄漏,电流增益下降,从而造成带隙基准输出电压偏移,使得带隙基准的可靠性下降。针对传统带隙基准基于工艺、版图和器件的总剂量加固方法会带来的成本过高、版图面积过大、普适性不高等问题,提出一种片上总剂量实时监测与自适应补偿方法,实现电路级的总剂量加固,提高了带隙基准的抗辐射能力。基于0.18μm BCD工艺对所提方法进行具体电路设计、后端物理实现与全面验证,结果表明:不同工艺角下,分别在总剂量辐照为100~300 krad(Si)辐射条件下,带隙基准的输出电压偏移由加固前偏移电压为3.4~18.5 mV(100~300 krad)改善为加固后最大偏移电压为1 mV(100~300 krad),为电路与系统级的带隙基准抗辐照加固设计提供了一种新方法。 展开更多
关键词 总剂量效应 带隙基准 自适应补偿 电路级加固 实时监测
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三电平电路损耗分析及温升优化方法研究
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作者 陈坤鹏 肖文勋 《电器与能效管理技术》 2025年第2期24-28,40,共6页
针对二极管中点箝位(NPC)三电平电路损耗分布不平衡的问题,采用有源中点箝位(ANPC)三电平电路,选择不同的电流通路将器件损耗分散在不同的开关管上。通过损耗的理论计算、热仿真以及实验验证,对两种电路的器件损耗和温升展开对比分析。... 针对二极管中点箝位(NPC)三电平电路损耗分布不平衡的问题,采用有源中点箝位(ANPC)三电平电路,选择不同的电流通路将器件损耗分散在不同的开关管上。通过损耗的理论计算、热仿真以及实验验证,对两种电路的器件损耗和温升展开对比分析。结果表明,ANPC电路对于平衡器件损耗,降低器件温升,有显著的作用。 展开更多
关键词 三电平电路 损耗分析 温升优化 平衡器件
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