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基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应
被引量：
2
1
作者
刘静
王琳倩
黄忠孝
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第24期347-353,共7页
基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低...
基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低了栅边缘漏侧的电场峰值,使电场分布更加均匀,改善了器件的电流崩塌效应.与传统AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构相比,新器件结构对电流崩塌效应的抑制作用至少提升了22.30%.
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关键词
ALGAN/GAN
高电子迁移率晶体管
电流崩塌效应
缓冲层陷阱
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职称材料
AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
2
作者
邓小社
梁亚楠
+4 位作者
贾利芳
樊中朝
何志
张韵
张大成
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期649-657,共9页
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一...
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一。概述了AlGaN/GaN器件缓冲层陷阱的研究方法,分析了各种方法的优缺点。重点介绍了基于电容、电流瞬态测试的方法。介绍了基于电容瞬态测试方法中的热激发的电容式深能级瞬态谱(DLTS)、光激发的开启电容恢复和光激发的深能级光谱(DLOS)方法;直接通过电流瞬态测试难以区分陷阱的位置,总结了基于此方法的不同偏压条件下的电流瞬态测试、背栅电流瞬态谱、无栅极的源-漏测试结构分析方法。电容和电流瞬态测试方法具有灵敏度高的优点,适用于缓冲层陷阱的分析,为抑制电流崩塌提供了理论指导。
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关键词
AL
GA
N/Ga
N
缓冲层
陷阱能级
电容瞬态测试
电流瞬态测试
原文传递
题名
基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应
被引量：
2
1
作者
刘静
王琳倩
黄忠孝
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第24期347-353,共7页
基金
陕西省重点研发计划(批准号:2019GY-060)资助的课题~~
文摘
基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低了栅边缘漏侧的电场峰值,使电场分布更加均匀,改善了器件的电流崩塌效应.与传统AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构相比,新器件结构对电流崩塌效应的抑制作用至少提升了22.30%.
关键词
ALGAN/GAN
高电子迁移率晶体管
电流崩塌效应
缓冲层陷阱
Keywords
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor
current collapse
buffer layer trap
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
2
作者
邓小社
梁亚楠
贾利芳
樊中朝
何志
张韵
张大成
机构
北京大学软件与微电子学院
中国科学院半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期649-657,共9页
文摘
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一。概述了AlGaN/GaN器件缓冲层陷阱的研究方法,分析了各种方法的优缺点。重点介绍了基于电容、电流瞬态测试的方法。介绍了基于电容瞬态测试方法中的热激发的电容式深能级瞬态谱(DLTS)、光激发的开启电容恢复和光激发的深能级光谱(DLOS)方法;直接通过电流瞬态测试难以区分陷阱的位置,总结了基于此方法的不同偏压条件下的电流瞬态测试、背栅电流瞬态谱、无栅极的源-漏测试结构分析方法。电容和电流瞬态测试方法具有灵敏度高的优点,适用于缓冲层陷阱的分析,为抑制电流崩塌提供了理论指导。
关键词
AL
GA
N/Ga
N
缓冲层
陷阱能级
电容瞬态测试
电流瞬态测试
Keywords
A1GaN/GaN
buffer
layer
trap
level
capacitance transient measurement
currenttransient measurement
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应
刘静
王琳倩
黄忠孝
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
邓小社
梁亚楠
贾利芳
樊中朝
何志
张韵
张大成
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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