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三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
被引量：
1
1
作者
陈振
袁海荣
+5 位作者
陆大成
王晓晖
刘祥林
韩培德
汪度
王占国
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期17-20,共4页
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。
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关键词
GAN
三甲基镓流量
缓冲层
MOVPE
在线阅读
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职称材料
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
2
作者
陈振
袁海荣
+5 位作者
陆大成
王晓晖
刘祥林
韩培德
汪度
王占国
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期17-20,共4页
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。
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关键词
GAN
三甲基镓流量
缓冲层
MOVPE
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职称材料
题名
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
被引量：
1
1
作者
陈振
袁海荣
陆大成
王晓晖
刘祥林
韩培德
汪度
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期17-20,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1)
国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
文摘
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。
关键词
GAN
三甲基镓流量
缓冲层
MOVPE
Keywords
GaN
TMGa f
l
ow rate
buffer l ayer
MOVPE
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
2
作者
陈振
袁海荣
陆大成
王晓晖
刘祥林
韩培德
汪度
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期17-20,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1)
国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
文摘
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。
关键词
GAN
三甲基镓流量
缓冲层
MOVPE
Keywords
GaN
TMGa f
l
ow rate
buffer l ayer
MOVPE
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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1
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
陈振
袁海荣
陆大成
王晓晖
刘祥林
韩培德
汪度
王占国
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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职称材料
2
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
陈振
袁海荣
陆大成
王晓晖
刘祥林
韩培德
汪度
王占国
《发光学报》
EI
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CSCD
北大核心
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