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包覆燃料微球疏松热解碳层表观密度的测定
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作者 王国华 邓传东 +4 位作者 郑娜 罗凤焱 贺含毅 曾强 赵峰 《分析试验室》 北大核心 2025年第2期253-257,共5页
表观密度是影响燃料微球疏松热解碳包覆层抗辐照性能的关键参数之一。为测定以UO_(2)为核芯的燃料微球的疏松热解碳层密度,采用扫描电镜对包覆碳层的微结构进行了观察分析;通过高温氧化去除碳层,并分别利用同步热分析和X射线衍射等对碳... 表观密度是影响燃料微球疏松热解碳包覆层抗辐照性能的关键参数之一。为测定以UO_(2)为核芯的燃料微球的疏松热解碳层密度,采用扫描电镜对包覆碳层的微结构进行了观察分析;通过高温氧化去除碳层,并分别利用同步热分析和X射线衍射等对碳层的氧化条件与包覆燃料微球的氧化产物进行了表征;在此基础上,通过称重-压汞法测定和计算疏松热解碳层的质量、体积和表观密度。结果表明,包覆层与UO_(2)核芯贴合紧密,燃料微球经温度高于816℃的空气氧化,碳包覆层被去除,核芯生成U_(3)O_(8),称重-压汞法的相对标准偏差小于2%(n=6)。该方法不依赖于燃料微球平均粒径和包覆层平均厚度的测量,适用于工程应用,为包覆燃料微球包覆碳层的表观密度测定提供了一种新方法。 展开更多
关键词 包覆燃料微球 疏松热解碳层 表观密度 称重-压汞法
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界面缓冲层对全旋涂式PVDF–TrFE/ZnO量子点传感器压电性能的影响 被引量:2
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作者 李洁 王晨 +3 位作者 方兆舟 刘茜 赵春毛 李迎春 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期13-18,共6页
首先制备了聚偏氟乙烯–三氟乙烯(PVDF-TrFE)/氧化锌(ZnO)量子点复合压电薄膜,采用广角X射线衍射仪、激光共聚焦显微镜及原子力显微镜等对其结构及形貌进行了表征。以其作为核心功能层,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为界面缓冲层,采用全旋涂法... 首先制备了聚偏氟乙烯–三氟乙烯(PVDF-TrFE)/氧化锌(ZnO)量子点复合压电薄膜,采用广角X射线衍射仪、激光共聚焦显微镜及原子力显微镜等对其结构及形貌进行了表征。以其作为核心功能层,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为界面缓冲层,采用全旋涂法成功制备了PVDF–TrFE/ZnO量子点压电传感器,分别利用落球试验及激振试验研究了PVP对传感器压电性能的影响。结果表明,添加PVP界面缓冲层的压电传感器输出电压为(1.84±0.06) V,误差棒较小,且在抗疲劳测试中经过3?500次机械循环后,输出电压仍保持在0.83 V。一方面,PVP缓冲层的亲水性使其分别与压电层中的ZnO量子点、聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)电极层紧密结合,利于电荷在压电层与电极之间的传输;另一方面,PVP缓冲层良好的成膜性改善了压电层和PEDOT:PSS电极层的层间接触,利于收集更多的压电层电荷。制备的全旋涂式PVDF–TrFE/ZnO量子点压电传感器在柔性可穿戴领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 界面缓冲层 全旋涂法 聚偏氟乙烯–三氟乙烯/氧化锌量子点压电传感器 聚乙烯吡咯烷酮
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第二代YBCO超导带材的主要制备方法与研究现状 被引量:2
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作者 王珏 李凤华 +2 位作者 樊占国 薛向欣 刘常升 《材料与冶金学报》 CAS 2005年第3期215-219,共5页
介绍了第二代超导带材基底与YBCO涂层的多种制备方法.详述了离子束辅助沉积IBAD,压延辅助基底RABiTS,倾斜基底沉积ISD等基底制备技术以及金属有机物沉积MOD,低成本电泳沉积等YBCO涂层制备技术.列举了国际上各机构第二代YBCO超导带材的... 介绍了第二代超导带材基底与YBCO涂层的多种制备方法.详述了离子束辅助沉积IBAD,压延辅助基底RABiTS,倾斜基底沉积ISD等基底制备技术以及金属有机物沉积MOD,低成本电泳沉积等YBCO涂层制备技术.列举了国际上各机构第二代YBCO超导带材的研究和发展现状. 展开更多
关键词 高温超导体 YBCO涂层方法 金属基带 隔离层 低成本技术
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全化学法制备缓冲层和YBaCuO超导涂层 被引量:1
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作者 樊占国 李英楠 +1 位作者 张聪聪 李凤华 《材料与冶金学报》 CAS 2009年第4期263-271,共9页
用化学溶液沉积法,尤其是金属有机物沉积法(MOD)制备第二代超导带材,包括缓冲层和YBaCuO涂层,在当前超导带材研究中具有重要的意义.因为其成本低、操作简单、便于规模化生产,可能成为制备高温超导带材最有前途的方法.文内详述了用化学... 用化学溶液沉积法,尤其是金属有机物沉积法(MOD)制备第二代超导带材,包括缓冲层和YBaCuO涂层,在当前超导带材研究中具有重要的意义.因为其成本低、操作简单、便于规模化生产,可能成为制备高温超导带材最有前途的方法.文内详述了用化学气相沉积,化学溶液沉积,电泳共沉积以及超声雾化热分解等方法制备YBaCuO超导涂层的国内外进展,介绍了在LaAlO3单晶上以及金属基带上制备钙钛矿结构缓冲层的主要种类和特征,也介绍了当前研究的热点之一,导电缓冲层的作用、制备方法和研究进展. 展开更多
关键词 化学法 缓冲层 导电缓冲层 YBaCuO涂层导体
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化学法在Ni-W基带上制备Ag缓冲层研究
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作者 罗清威 李凤华 +1 位作者 李英楠 樊占国 《武汉科技大学学报》 CAS 2012年第3期198-201,共4页
在双轴织构的Ni-W基带上,采用化学镀银法为YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂层导体制备Ag缓冲层薄膜,并通过XRD和φ扫描研究烧结温度和镀银次数对Ag薄膜取向的影响。结果表明,在Ar-H2混合气氛下,于870℃镀银5次所制备的薄膜具有(200)晶面单一取向;... 在双轴织构的Ni-W基带上,采用化学镀银法为YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂层导体制备Ag缓冲层薄膜,并通过XRD和φ扫描研究烧结温度和镀银次数对Ag薄膜取向的影响。结果表明,在Ar-H2混合气氛下,于870℃镀银5次所制备的薄膜具有(200)晶面单一取向;采用化学法制备的Ag薄膜有较好的外延性,且适用于涂层导体中的单一导电型缓冲层。 展开更多
关键词 涂层导体 热处理 Ag缓冲层 化学法
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室温静置对制备血小板方法的影响 被引量:7
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作者 陈永婷 《中国输血杂志》 CAS 2019年第9期887-889,共3页
目的探讨采用白膜法制备浓缩血小板,将全血分离后的白膜室温静置2 h后,对浓缩血小板回收率的影响。方法对60份室温保存和运输的新鲜全血200 mL采集后6 h内,进行容量检测和血小板计数,随机选取其中30袋分离白膜后室温静置2 h后分离血小... 目的探讨采用白膜法制备浓缩血小板,将全血分离后的白膜室温静置2 h后,对浓缩血小板回收率的影响。方法对60份室温保存和运输的新鲜全血200 mL采集后6 h内,进行容量检测和血小板计数,随机选取其中30袋分离白膜后室温静置2 h后分离血小板为静置组,剩余30份分离白膜后立即离心分离血小板为对照组。然后对两2浓缩血小板进行计数测定血小板回收率。结果静置组和对照组的浓缩血小板回收率分别为53.59%和40.66%,静置组明显高于对照组(P<0.05)。结论2种方法所制备的浓缩血小板,检测指标均符合国家质量标准,但静置2 h后分离白膜方法制备的浓缩血小板回收率更高。 展开更多
关键词 浓缩血小板 白膜法 室温静置
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无镉ZnO缓冲层的柔性CZTSSe太阳电池
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作者 唐建龙 谢暐昊 +1 位作者 邓辉 程树英 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第4期483-489,共7页
针对铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜太阳电池中CdS缓冲层带隙较小造成光损耗和Cd元素的毒性问题,提出无镉环保型CZTSSe太阳电池,分别采用溅射法和旋涂法来制备ZnO薄膜以替代CdS缓冲层.薄膜形貌表征及器件性能测试表明,相比旋涂法,溅射法制备的... 针对铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜太阳电池中CdS缓冲层带隙较小造成光损耗和Cd元素的毒性问题,提出无镉环保型CZTSSe太阳电池,分别采用溅射法和旋涂法来制备ZnO薄膜以替代CdS缓冲层.薄膜形貌表征及器件性能测试表明,相比旋涂法,溅射法制备的ZnO的薄膜质量及其CZTSSe器件性能明显更好,器件的光电转换效率(PCE)从1.0%提升到4.5%.同时,相比于CdS(E_(g)=2.4 eV),ZnO具有更大的带隙(E_(g)=3.3 eV),去除CdS膜层后,薄膜和器件在蓝光区具有更高的透光率和更好的光吸收.该设计为制备柔性CZTSSe太阳电池提供了一种新策略. 展开更多
关键词 柔性CZTSSe薄膜太阳电池 ZnO缓冲层 溅射法 旋涂法 无镉缓冲层
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浅析被覆光纤的可剥离性测试及生产工艺
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作者 徐雷 许练 +1 位作者 黄满意 马秋丽 《现代传输》 2021年第1期62-65,共4页
本文简述了被覆光纤的分类、被覆层材料和特征,比较了国内外不同标准对被覆层的可剥离性要求和测试条件的不同之处。对现有紧套被覆光纤的被覆生产工艺进行改进和优化。
关键词 室内光缆 紧套光纤 可剥离性 测试方法 被覆工艺
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MOD法生长LaMnO_3缓冲层工艺的研究 被引量:1
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作者 徐文立 熊杰 +2 位作者 郭培 赵晓辉 陶伯万 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期20-23,共4页
采用金属有机沉积(MOD)法在LaAlO3(LAO)单晶基片上沉积了LaMnO3(LMO)缓冲层薄膜,通过控制LMO薄膜关键生长工艺(如退火温度、退火时间),系统地研究了薄膜微结构的变化。实验表明:在较宽的退火温度窗口范围均能获得单一取向生长的LMO薄膜... 采用金属有机沉积(MOD)法在LaAlO3(LAO)单晶基片上沉积了LaMnO3(LMO)缓冲层薄膜,通过控制LMO薄膜关键生长工艺(如退火温度、退火时间),系统地研究了薄膜微结构的变化。实验表明:在较宽的退火温度窗口范围均能获得单一取向生长的LMO薄膜,但其面外织构特性受退火温度和退火时间的影响很大。在退火温度为750℃,退火时间为60 min的最优工艺条件下,制备的LMO缓冲层具有纯c轴取向。在该LMO缓冲层上沉积的YBa2Cu3O7–x(YBCO)超导薄膜的临界电流密度为1.0×106 A/cm2,成功证明MOD法制备LMO缓冲层的可行性。 展开更多
关键词 LMO缓冲层 YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜 MOD法 生长工艺 涂层导体 临界电流密度
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