SiC MOSFET在工作中常受到电、热和机械应力的耦合作用,易引发芯片与封装结构的复合失效,因此亟需研究其长期老化特性。然而,体二极管双极退化与键合线老化均会引起导通电阻和体二极管压降V_(SD)的相似变化,传统单一应力老化方法难以有...SiC MOSFET在工作中常受到电、热和机械应力的耦合作用,易引发芯片与封装结构的复合失效,因此亟需研究其长期老化特性。然而,体二极管双极退化与键合线老化均会引起导通电阻和体二极管压降V_(SD)的相似变化,传统单一应力老化方法难以有效区分这两种机制,严重影响可靠性评估的准确性。针对该问题,提出一种基于体二极管压降变化量ΔV_(SD)温度特性曲线斜率的新解耦方法:利用体二极管双极退化造成的ΔV_(SD)随温度升高而减小,而键合线老化造成的ΔV_(SD)随温度升高而增大这一差异,实现对两种退化机制的有效区分。试验结果表明,该方法能够准确解耦两种老化机制,为SiC MOSFET的可靠性建模与寿命预测提供了关键技术支撑。展开更多
