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BCDS色彩设计体系 被引量:1
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作者 王鹏 《现代装饰(家居)》 2011年第4期18-19,共2页
在人类物质生活和精神生活发展的过程中,人们对家居色彩越来越重视,已经不单单是以前刷白墙的概念,通过日久天长的时代变迁不断深化对色彩的认知和运用。人们对色彩的认知、运用过程是从感性升华到理性的过程。所谓理性色彩,就是借助人... 在人类物质生活和精神生活发展的过程中,人们对家居色彩越来越重视,已经不单单是以前刷白墙的概念,通过日久天长的时代变迁不断深化对色彩的认知和运用。人们对色彩的认知、运用过程是从感性升华到理性的过程。所谓理性色彩,就是借助人所独具的判断、推理、演绎等抽象思维能力,将从大自然中直接感受到的纷繁复杂的色彩印象予以规律性的揭示,从而形成色彩的理论和法则,并运用于色彩实践中。 展开更多
关键词 色彩设计 bcds 人类物质生活 精神生活 抽象思维能力 理性色彩 整体色调 色彩心理 基准色 彩度
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具有过温限流保护的低噪声功率运算放大器设计
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作者 陈俊贤 黄金安 +2 位作者 王德文 廖聪维 王志忠 《集成电路与嵌入式系统》 2026年第3期90-96,共7页
研究了一种低噪声、高压、高输出电流功率运算放大器,包含了低噪声PMOS输入级、电压增益级以及一个由跨导线性环偏置的Class AB输出级。为确保运算放大器的稳定性,采用Cascode频率补偿。为确保电路的可靠性,集成了具有迟滞特性的过温保... 研究了一种低噪声、高压、高输出电流功率运算放大器,包含了低噪声PMOS输入级、电压增益级以及一个由跨导线性环偏置的Class AB输出级。为确保运算放大器的稳定性,采用Cascode频率补偿。为确保电路的可靠性,集成了具有迟滞特性的过温保护电路与限流电路,防止输出功率管在极端工况下发生热烧毁。电路设计基于SMIC 180 nm BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺,采用60 V DMOS与1.8 V CMOS晶体管,工作电压范围为±(4~30)V,工作温度范围为-55~+125℃。仿真验证结果显示,该运放的等效输入电压噪声为8.85 nV/√Hz,输出电流可达400 mA,直流增益为143.3 dB,单位增益带宽为6.80 MHz,压摆率为33.7 V/μs,失调电压为33.74μV,芯片面积为1.79×1.12 mm^(2)。该运算放大器在车载电子系统的精密采样、传感器接口及功率器件驱动等领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 功率运算放大器 过温保护 BCD工艺 车载电子
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基于AI语音控制的新型电力多能互补创新实践
3
作者 王伟 许红艳 +1 位作者 何姣 王晋陶 《自动化应用》 2026年第6期28-32,共5页
针对目前新型电力发展存在的统筹协调、能源存储、电力消纳技术受限等问题,利用人工智能(AI)语音控制,在传统的风光互补基础上,提出了新型电力多能互补创新实践方案。系统选用3台西门子S7-200 Smart CPU SR40作为控制单元,结合S7以太网... 针对目前新型电力发展存在的统筹协调、能源存储、电力消纳技术受限等问题,利用人工智能(AI)语音控制,在传统的风光互补基础上,提出了新型电力多能互补创新实践方案。系统选用3台西门子S7-200 Smart CPU SR40作为控制单元,结合S7以太网通信技术和传感器检测技术,建立了以水力发电站为主站、风力发电站和光伏发电站为从站的网络拓扑设计,通过不断优化程序不仅实现了新型电力手动、自动控制,而且创新融入AI语音功能,并采用8421BCD编码将语音逻辑转化为工业控制命令,增添了更加灵活的控制方案。实践证明,风光水绿能的综合场景协调控制,能解决新型电力时空发展不协调的问题,实现多能互补、时空互融的创新应用,有效助力“双碳”目标实现,促进新能源高质量发展。 展开更多
关键词 新型电力 AI语音控制 8421BCD编码 多能互补 “双碳”目标
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一种多量程轨到轨高压输出DAC设计
4
作者 肖博兮 蒋玉贺 《微处理机》 2026年第1期59-64,共6页
在0.18μm 60 V BCD工艺下,设计并实现了一种高压轨到轨输出的数模转换器电路(DAC)。该电路在12位分辨率下展现出良好的单调性。基于折叠共源共栅结构,提出了一种新型高压轨到轨输出运算放大器。其第一级采用增益自举技术,显著提升了运... 在0.18μm 60 V BCD工艺下,设计并实现了一种高压轨到轨输出的数模转换器电路(DAC)。该电路在12位分辨率下展现出良好的单调性。基于折叠共源共栅结构,提出了一种新型高压轨到轨输出运算放大器。其第一级采用增益自举技术,显著提升了运算放大器的速度与增益;第二级则运用Class AB架构,实现了轨到轨输出功能。通过灵活配置输出模式,用户可自由选择40、20、10 V三个输出量程范围。DAC输出级具备驱动±30 mA电流的能力,有效减少了对外挂运放的依赖。对DAC电路进行了全面的仿真与验证,仿真结果表明:DAC的积分非线性(INL)小于|0.3|LSB,微分非线性(DNL)小于|0.3|LSB,建立时间不超过1μs。在输入1 MHz正弦波信号时,信噪失真比(SNDR)达到72.54 dB,总谐波失真(THD)低至-80.45 dB,有效位数(ENOB)高达11.76 bit。 展开更多
关键词 BCD工艺 高压数模转换器 R-2R电阻阵列 轨到轨输出
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BCD工艺栅极驱动器总剂量效应
5
作者 许世萍 崔江维 +7 位作者 郑齐文 刘刚 邢康伟 李小龙 施炜雷 王信 李豫东 郭旗 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第5期86-93,共8页
针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升... 针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升的现象,同时发现总剂量辐射对输出电阻几乎无影响。对比两种栅极驱动器辐照前后的测试结果,证明环栅加固方法对抑制总剂量辐射引起的边缘漏电有一定的效果,但辐照总剂量达到500 krad(Si)时,加固器件发生功能失效。通过仿真模拟各级晶体管辐射损伤对器件最终输出结果的影响,确定初级施密特反相器内阈值电压漂移影响转换电压,而末级晶体管阈值电压漂移导致输出高电平下降。 展开更多
关键词 BCD工艺 栅极驱动器 总剂量效应 环栅加固器件
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一款BCD工艺编码器控制电路的抗总剂量性能研究
6
作者 许世萍 崔江维 +7 位作者 郑齐文 李小龙 刘刚 邢康伟 陈亚文 施炜雷 郭旗 李豫东 《核技术》 北大核心 2025年第8期72-80,共9页
针对一款采用环栅加固方法自主设计研制的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺光电编码器控制电路,开展了电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)辐射效应研究。为揭示编码器辐射损伤机理,设计编码器总体电路及电路中的不同模块,通过对总体电路与... 针对一款采用环栅加固方法自主设计研制的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺光电编码器控制电路,开展了电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)辐射效应研究。为揭示编码器辐射损伤机理,设计编码器总体电路及电路中的不同模块,通过对总体电路与模块电路的测试,比较电路各部分输出参数受总剂量辐照的影响规律。结果表明,辐照中编码器电路分模块出现不同程度的输出特性退化,但总体输出在总剂量5 Mrad(Si)范围内依旧保持稳定。结合仿真的方法,确定了NMOSFET器件Q8栅漏电容随辐照增加带来的影响是比较器模块输出发生“台阶”式辐射损伤的原因,而反相器模块开关阈值的退化来自辐照导致的阈值电压漂移。 展开更多
关键词 BCD工艺 编码器控制电路 电离总剂量辐射效应 比较器模块 栅漏电容
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一种VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法
7
作者 葛超洋 谢儒彬 +4 位作者 李燕妃 鞠镇毅 彭洪 丁兵 常瑞恒 《微电子学》 北大核心 2025年第5期868-875,共8页
针对标准0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺中的VNPN(Vertical NPN)双极器件,分析了总电离剂量辐射(TID)加固的重点区域。提出了一种新颖的VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法,利用薄氧化层和多晶硅双层结构取代基射结上方的浅沟槽隔... 针对标准0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺中的VNPN(Vertical NPN)双极器件,分析了总电离剂量辐射(TID)加固的重点区域。提出了一种新颖的VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法,利用薄氧化层和多晶硅双层结构取代基射结上方的浅沟槽隔离(STI)结构。由于薄氧化层厚度远小于STI氧化层厚度,在相同总电离剂量辐射下,薄氧化层产生的氧化层固定电荷和界面态的数量大大减少,显著加强了VNPN双极器件的抗总电离剂量辐射能力。选取了3种典型VNPN双极器件,进行了总电离剂量辐射实验。实验结果表明,采用该加固方法的3种VNPN双极器件在1500 Gy(Si)总电离剂量辐射后,归一化电流增益均能保持在0.900左右,验证了薄氧化层和多晶硅双层结构加固方法的有效性。对3种加固的VNPN双极器件进行了本征基区尺寸偏差实验,研究了本征基区尺寸对总电离剂量辐射后归一化电流增益的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量辐射下,本征基区尺寸越小,归一化电流增益越大。因此,使用薄氧化层和多晶硅双层结构是一种有效的VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法。另外,缩小本征基区尺寸能够进一步降低VNPN双极器件在总电离剂量辐射前后归一化电流增益的变化幅度,从而确保器件在总电离剂量辐射后的性能与总电离剂量辐射前的初始值基本一致。 展开更多
关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺
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基于SOIBCD工艺的高灵敏度纵向集成型霍尔器件研究
8
作者 孙与飏 李沂宸 +1 位作者 郑贵强 张加宏 《传感技术学报》 北大核心 2025年第10期1727-1733,共7页
基于三维仿真,提出了一种基于SOIBCD工艺的高灵敏度纵向集成型霍尔器件,通过增加浅P阱隔离结构和深槽插指结构(DTFs)优化电流路径分布,抑制短路效应并提高纵向电流比例,从而提高器件的灵敏度。测试结果表明:新结构的灵敏度为464V/AT,相... 基于三维仿真,提出了一种基于SOIBCD工艺的高灵敏度纵向集成型霍尔器件,通过增加浅P阱隔离结构和深槽插指结构(DTFs)优化电流路径分布,抑制短路效应并提高纵向电流比例,从而提高器件的灵敏度。测试结果表明:新结构的灵敏度为464V/AT,相比传统结构提升了102%,器件初始失调电压为0.64mV,输入电阻为14kΩ,在298K~398K温度范围内,电阻的一阶温漂为8500×10^(-6)/K,表现出良好的稳定性。该器件的制备工艺与现有SOIBCD工艺兼容,可以实现全集成、高精度磁场检测芯片的制备。 展开更多
关键词 纵向霍尔器件 全集成 深槽插指 绝缘体上硅 BCD
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基于BCD工艺的LDMOS器件栅结构优化研究进展
9
作者 鲁文举 赵杰 +2 位作者 曹磊 田凯 刘存生 《微电子学与计算机》 2025年第5期139-147,共9页
LDMOS(Lateral Double-diffused complementary Metal Oxide Semiconductor)器件具有开关速度快、驱动能力强、输入阻抗高、热稳定性好等特点,主要应用于智能功率集成电路,是BCD工艺中的主流功率器件。目前关于LDMOS器件研究的热点主要... LDMOS(Lateral Double-diffused complementary Metal Oxide Semiconductor)器件具有开关速度快、驱动能力强、输入阻抗高、热稳定性好等特点,主要应用于智能功率集成电路,是BCD工艺中的主流功率器件。目前关于LDMOS器件研究的热点主要集中在对其结构的优化,重点是如何平衡击穿电压和比导通电阻这一对矛盾优化参数。为了平衡这两种参数以获得更高性能的LDMOS器件,提出了各种性能优化方法。在LDMOS器件中引入多栅结构作为一种有效的性能提升方法有着其得天独厚的优势,但相关研究较少。以近年来报道的LDMOS器件各种新结构中的多栅结构优化为主,分析了多栅结构对于LDMOS器件的性能的影响,详细讨论了双栅、平面栅、槽栅、漂移区栅和三栅在改善LDMOS器件性能中所起的作用和效果,最后总结了这些新结构与传统结构的优缺点。 展开更多
关键词 LDMOS BCD工艺 多栅结构 比导通电阻 击穿电压
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一种高增益低功耗锁相放大器电路设计
10
作者 张建亮 殷树娟 王小妮 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2025年第6期109-118,共10页
针对便携式电子设备在微弱信号检测中对高增益、低功耗电路的需求,基于SMIC 180 nm BCD混合信号工艺,设计了一款高增益低功耗锁相放大器电路。采用二阶全通滤波器设计移相电路,实现0°~360°全相位连续可调,突破了传统移相范围... 针对便携式电子设备在微弱信号检测中对高增益、低功耗电路的需求,基于SMIC 180 nm BCD混合信号工艺,设计了一款高增益低功耗锁相放大器电路。采用二阶全通滤波器设计移相电路,实现0°~360°全相位连续可调,突破了传统移相范围的限制;采用减法电路+并联耦合对结构,构建四象限模拟乘法器,有效降低了电路功耗;采用有源低通滤波器替代无源电阻电容(resistor-capacitor, RC)滤波器以提升增益。仿真结果表明,该电路在1.8 V电源供电下,增益达109 dB,功耗为659.7μW,全相位锁相放大性能稳定,相较于同类设计,其在增益与功耗控制方面优势显著,可有效满足便携式设备对微弱信号高精度检测的需求。 展开更多
关键词 锁相放大器 低功耗 低通滤波器 模拟乘法器 BCD工艺
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考虑多种因素大断面高速公路隧道超欠挖安全技术研究 被引量:1
11
作者 张健 《建筑机械》 2025年第1期167-172,共6页
在隧道工程的建设过程中,爆破掘进所导致的超欠挖问题始终是影响工程质量、安全及成本的关键因素。为了深入研究高速公路隧道新奥法施工开挖过程中超欠挖现象的安全技术问题,文章以延吉至长春高速公路大断面隧道施工为案例,针对隧道Ⅲ... 在隧道工程的建设过程中,爆破掘进所导致的超欠挖问题始终是影响工程质量、安全及成本的关键因素。为了深入研究高速公路隧道新奥法施工开挖过程中超欠挖现象的安全技术问题,文章以延吉至长春高速公路大断面隧道施工为案例,针对隧道Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ级围岩段构建了数值模型,模拟了隧道断面的爆破过程。通过钻孔测斜数据(BCD)和Midas GTS折减强度有限元分析模型,推测了最危险的滑动面,并采用不平衡推力传递法,基于BCD推断的滑动面计算了安全系数。进一步以BCD和有限元法确定的滑动面为基础,建立了多台阶边坡上限分析模型,以研究不同围岩加固措施对边坡安全稳定的影响。此外,还从洞身开挖、洞内装渣、运渣、爆破作业、初期支护、二衬施工、竖井施工等多个方面分析了造成超欠挖的原因,并探讨了相应的超欠挖安全技术控制措施。 展开更多
关键词 大断面高速公路 隧道超欠挖 BCD Midas GTS 安全技术
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具有准谐振、动态采样功能的反激式原边反馈电源管理芯片
12
作者 林洁 牟维凤 +3 位作者 谢加雨 程鹏铭 李嘉鹏 雷登宇 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期147-153,共7页
为降低反激式变换器开关损耗和提高输出电压精度,设计了一种具有准谐振(QR)和动态采样功能的交流/直流(AC/DC)反激式原边反馈电源管理芯片。在断续导通模式(DCM)下,当次级电流降低为零时,开关管漏极产生谐振,准谐振电路能够检测到谐振... 为降低反激式变换器开关损耗和提高输出电压精度,设计了一种具有准谐振(QR)和动态采样功能的交流/直流(AC/DC)反激式原边反馈电源管理芯片。在断续导通模式(DCM)下,当次级电流降低为零时,开关管漏极产生谐振,准谐振电路能够检测到谐振电压的最低点,实现谷底导通,理论上能降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。并采用随负载变化而改变采样点的方式来提高输出电压的精度。采用华虹90 nm BCD工艺制作了AC/DC反激式电源管理芯片,在交流输入电压85~265 V的测试条件下,实现了谷底导通,芯片平均效率为76.7%,在输入电压最大且满载情况下效率最高为83%。 展开更多
关键词 BCD工艺 准谐振 原边反馈 开关损耗 动态采样
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一种高压同步升压转换器
13
作者 吕子豪 陈君涛 孙诗强 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1033-1041,共9页
为了得到高于5 V的输出电压并提高能量转换效率,设计了一款能够工作在连续导通模式、不连续导通模式以及极轻载模式的高压同步升压转换器。采用两级电荷泵对自举电容快速充电,建立浮动电源轨BST-SW以控制n型续流功率管。通过高压过零检... 为了得到高于5 V的输出电压并提高能量转换效率,设计了一款能够工作在连续导通模式、不连续导通模式以及极轻载模式的高压同步升压转换器。采用两级电荷泵对自举电容快速充电,建立浮动电源轨BST-SW以控制n型续流功率管。通过高压过零检测电路在续流阶段检测电感电流过零时刻,并向控制逻辑反馈。续流功率管关断后高压过零检测电路进入锁定状态,以减小静态功耗并避免误触发。采用BCD工艺完成了高压同步升压转换器的设计及流片,芯片核心面积为2950μm×1600μm。在输入电压7.2 V、输出电压12 V的测试条件下,连续导通模式下最高能量转换效率为94.6%;在不连续导通模式下实现了电感电流的过零关断,能量转换效率高达93.1%。 展开更多
关键词 升压转换器 同步控制 电荷泵 过零检测 BCD工艺
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物联网产业视点(2025年9月)
14
《物联网技术》 2025年第19期1-1,共1页
芯片国芯科技新一代BLDC电机驱动芯片测试成功9月4日,国芯科技宣布,公司自主研发的新一代汽车电子BLDC电机驱动控制芯片CBC2100B在内部测试中取得成功。该芯片基于130 nm BCD工艺研发,适用于汽车电子及工业控制领域,并拥有完全自主知识... 芯片国芯科技新一代BLDC电机驱动芯片测试成功9月4日,国芯科技宣布,公司自主研发的新一代汽车电子BLDC电机驱动控制芯片CBC2100B在内部测试中取得成功。该芯片基于130 nm BCD工艺研发,适用于汽车电子及工业控制领域,并拥有完全自主知识产权。公司已向客户送样,相关应用开发正在进行中。目前尚未通过第三方检测,客户应用仍存在不确定性。 展开更多
关键词 CBC2100B 130 nm BCD工艺 BLDC电机驱动芯片 国芯科技
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1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究 被引量:10
15
作者 乔明 方健 +2 位作者 肖志强 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1447-1452,共6页
提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了... 提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43·8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中. 展开更多
关键词 多区 LDMOS RESURF BCD工艺
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高亮度白光LED驱动控制器设计 被引量:18
16
作者 杨旸 赵梦恋 +2 位作者 陆佳颖 李帆 吴晓波 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期111-117,共7页
针对多种应用条件下高亮度白光LED的驱动要求,提出一种对于不同应用电路拓扑具有广泛适应性的LED驱动控制器芯片.设计采用峰值电流模式控制策略以适应LED的控制特性.针对不同应用拓扑对宽供电电压适应性的要求,引入高精度线性调压器为... 针对多种应用条件下高亮度白光LED的驱动要求,提出一种对于不同应用电路拓扑具有广泛适应性的LED驱动控制器芯片.设计采用峰值电流模式控制策略以适应LED的控制特性.针对不同应用拓扑对宽供电电压适应性的要求,引入高精度线性调压器为系统提供稳定的基准电压与工作电压;针对常用的Buck、Boost和Buck-Boost3种拓扑分别提供灵活的接入端口;为支持不同拓扑下的电流检测,构造一个兼具高端与低端电流检测功能的运算放大器;应用分段线性补偿解决斜率补偿中补偿不足或过补偿的问题.芯片实现了3000:1的高调光比,并给出了整个控制器芯片和模块的电路设计.该芯片在1.5μmBCD(bipolar-CMOS-DMOS)工艺下设计与流片,样片测试的结果与设计目标基本一致,取得了预期的效果. 展开更多
关键词 LED驱动控制器 峰值电流模式控制 PWM调光 BCD工艺
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一种改进的高精度低功耗过温保护电路 被引量:16
17
作者 吴俊 邹雪城 +3 位作者 李思臻 鲁力 杨诗洋 洪毅 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第2期103-106,共4页
为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,文中提出一种改进的高精度、低功耗,具有迟滞功能,结构简单的过温保护电路.基于JAZZBCD0.5μm工艺库模型,采用Cadence的Spectre仿真器进行模拟验证,结果表明:当温度超过140℃时,电路输出信号... 为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,文中提出一种改进的高精度、低功耗,具有迟滞功能,结构简单的过温保护电路.基于JAZZBCD0.5μm工艺库模型,采用Cadence的Spectre仿真器进行模拟验证,结果表明:当温度超过140℃时,电路输出信号发生翻转,控制芯片停止工作;当温度降至118℃时,恢复芯片工作.在电源电压VDD工作范围2.9~6V内,过温保护阈值变化量为0.275℃,迟滞阈值变化量为0.225℃.典型工作状态下,电路的静态电流为46μA.因此该电路适用于各种电源管理芯片. 展开更多
关键词 过温保护 高精度 迟滞 BCD工艺
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一种精简的高速率功率MOS驱动器 被引量:9
18
作者 何惠森 来新泉 +3 位作者 许文丹 赵永瑞 田磊 杜含笑 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期168-174,共7页
设计了一种具有新颖的死区产生方法的高压功率MOS驱动电路,利用电阻调节驱动MOS管栅极电容充放电的时延,来产生极短的死区时间,可精简电路结构,提高驱动速率,并且无需电流偏置,就能有效降低电流源噪声.基于0.4μm BCD工艺,经Cadence环... 设计了一种具有新颖的死区产生方法的高压功率MOS驱动电路,利用电阻调节驱动MOS管栅极电容充放电的时延,来产生极短的死区时间,可精简电路结构,提高驱动速率,并且无需电流偏置,就能有效降低电流源噪声.基于0.4μm BCD工艺,经Cadence环境下进行仿真验证.结果表明,该驱动电路能够产生10ns以下的死区时间,且传输时延低于70ns.对采用该驱动电路的一款功率因数校正芯片进行测试,驱动输出开关信号的上升沿时间为90ns,下降沿时间为55ns.功率因数可达0.995,总谐波失真为6.5%. 展开更多
关键词 驱动电路 功率MOSFET 功率因数校正 BCD工艺 死区时间
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宽输入快速启动的高精度电压基准电路设计 被引量:6
19
作者 王辉 王松林 +2 位作者 来新泉 代国定 郭宝龙 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期272-276,共5页
采用BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路.利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTL BUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1 V左右,从而提高电压基准精度.运用MOS器件的自偏特性,迅... 采用BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路.利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTL BUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1 V左右,从而提高电压基准精度.运用MOS器件的自偏特性,迅速给电压基准提供一个偏置,完成了整个电路的快速启动.该电路与基准电路结合后,当输入电压在6.3~14 V的范围内时,其基准电压摆动小于2 mV;启动时间为20μs左右.与同类电路相比,该电压基准输出摆动缩小了60%,启动时间缩短了40%. 展开更多
关键词 BIPOLAR CMOS DMOS(BCD) 电压基准 快速启动
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一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计 被引量:9
20
作者 刘浩 陈志 +5 位作者 葛佳乐 于奇 宁宁 王向展 邓春健 李竞春 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期53-56,共4页
为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路。采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证。结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50 m... 为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路。采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证。结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50 mV内。输入在6~40 V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13 mV和0.3 mV幅度。线性稳压器直流下PSRR可达-85 dB,在1 MHz工作频率下,输入电压为6 V和40 V时,模拟电源变化幅度分别不超过24 mV和46 mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3 V和0.8 V。该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中。 展开更多
关键词 降压稳压电路 降压预调整 线性稳压器 BCD工艺
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