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nBn结构长波红外碲镉汞器件优化设计
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作者 覃钢 孔金丞 +4 位作者 任洋 陈卫业 杨晋 秦强 赵俊 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第7期815-820,共6页
分析了Type-I型能带对nBn结构碲镉汞器件性能的影响。通过理论计算获得了势垒层组分、掺杂浓度与能带带阶的关系,确定了nBn结构长波器件吸收层掺杂浓度与暗电流的关系。优化了nBn结构长波红外碲镉汞器件的掺杂浓度、势垒层与吸收层之间... 分析了Type-I型能带对nBn结构碲镉汞器件性能的影响。通过理论计算获得了势垒层组分、掺杂浓度与能带带阶的关系,确定了nBn结构长波器件吸收层掺杂浓度与暗电流的关系。优化了nBn结构长波红外碲镉汞器件的掺杂浓度、势垒层与吸收层之间的组分过渡,建立了二维器件仿真模型并对nBn结构长波红外碲镉汞器件的能带结构进行了计算,结果表明器件结构参数的优化可以有效降低器件工作所需的开启电压,同时在吸收层内几乎不会形成耗尽区,从而有效抑制SRH产生-复合电流及隧穿电流。计算了器件结构参数优化后的长波红外碲镉汞nBn器件暗电流的变温特性,器件工作温度达到110 K以上。为高性能势垒结构长波红外碲镉汞器件的研制提供了理论依据。 展开更多
关键词 nBn结构 长波红外 碲镉汞 能带带阶 暗电流
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低信噪比下无线声传感网络采样率偏移估计方法
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作者 石擎 杨飞然 +1 位作者 陈先梅 杨军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期2131-2140,共10页
现有的采样率偏移(Sampling Rate Offset,SRO)估计算法在低信噪比条件下性能严重下降.为了解决这个问题,本文提出一种基于子带二次互相关函数的频率滑动窗二次互相关(Frequency Sliding Double-Cross Correlation Processing,FS-DXCP)算... 现有的采样率偏移(Sampling Rate Offset,SRO)估计算法在低信噪比条件下性能严重下降.为了解决这个问题,本文提出一种基于子带二次互相关函数的频率滑动窗二次互相关(Frequency Sliding Double-Cross Correlation Processing,FS-DXCP)算法.该方法使用频域滑动窗口构建无线节点观测信号间的子带二次互相关函数矩阵,进而利用奇异值分解来自适应地消除低信噪比频段对二次互相关函数估计的影响,最后搜寻二次互相关函数的极大值点获得SRO的估计.计算机仿真实验表明:在信噪比为-5 dB时,所提方法的采样率频偏平均估计误差为4.21百万分率(part per million,ppm),这比现有的DXCP-PHAT算法的估计误差降低了约8.17 ppm.所提算法有效提升了低信噪比条件下采样率频偏的估计精度. 展开更多
关键词 无线声传感网络 采样率偏移估计 子带处理
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Cs_(2)AgBi_(0.75)Sb_(0.25)Br_(6)钙钛矿太阳能电池的优化设计
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作者 王月荣 田汉民 +2 位作者 张登琪 刘维龙 马旭蕾 《物理学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2024年第2期317-326,共10页
双钙钛矿太阳能电池以其低成本、高性能、环境友好、稳定性强而备受关注.本研究使用Silvaco TCAD分析了Cs_(2)AgBi_(0.75)Sb_(0.25)Br_(6)太阳能电池的钙钛矿层厚度、能带偏移、金属电极功函数、传输层厚度及掺杂浓度与器件效率的关系,... 双钙钛矿太阳能电池以其低成本、高性能、环境友好、稳定性强而备受关注.本研究使用Silvaco TCAD分析了Cs_(2)AgBi_(0.75)Sb_(0.25)Br_(6)太阳能电池的钙钛矿层厚度、能带偏移、金属电极功函数、传输层厚度及掺杂浓度与器件效率的关系,以提升器件性能.基于空穴传输层为Spiro-OMeTAD,电子传输层为ZnO的器件进行初始研究,其显示出12.66%的光电转换效率.结果表明,当钙钛矿层厚度大于500 nm时,效率趋于饱和.最佳导带偏移量为0—+0.5 eV,最佳价带偏移量为-0.1—+0.2 eV.在改变器件的电子传输层为ZnOS,空穴传输层分别为MoO_(3),Cu_(2)O和CuSCN的情况下,优化其厚度和掺杂浓度,最终空穴传输层为Cu_(2)O的双钙钛矿太阳能电池理论光电转换效率达22.85%,比目前报道的理论效率值相对提升了25.6%.此外,当金属电极功函数小于-4.9 eV时易实现最佳效率.本工作为开发高性能无铅钙钛矿太阳能电池提供了理论指导. 展开更多
关键词 双钙钛矿太阳能电池 光电转换效率 能带偏移 电极功函数
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线性光学采样算法中的多普勒补偿研究
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作者 施锡平 刘尉悦 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期729-737,共9页
基于双光梳的时频传递技术在实验中已经实现稳定的时频传输。然而,当双光梳两端存在相对运动而产生多普勒效应时,涉及的线性光学采样算法将不能满足要求。为了能够精确解算多普勒效应导致的干涉信号时间延时和频率偏移,本文推荐了一种... 基于双光梳的时频传递技术在实验中已经实现稳定的时频传输。然而,当双光梳两端存在相对运动而产生多普勒效应时,涉及的线性光学采样算法将不能满足要求。为了能够精确解算多普勒效应导致的干涉信号时间延时和频率偏移,本文推荐了一种基于宽带互模糊函数的时差频差联合估计算法。仿真模拟了特定参数下,光梳延时为38.78 fs,相对速度在0~1800 m/s之间的若干组干涉信号,所推荐算法仿真得出时延误差为0,速度误差小于0.3 m/s。相对于窄带互模糊函数,该算法具有更好的大速度下时间及频率尺度估计性能。 展开更多
关键词 量子信息 量子精密测量 线性光学采样 多普勒效应 时差频差 宽带互模糊函数
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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析 被引量:5
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作者 薛玉明 孙云 +4 位作者 李凤岩 朴英美 刘维一 周志强 李长健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期841-844,共4页
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对... 本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0-0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好。 展开更多
关键词 铜铟硒薄膜太阳电池 异质结 结构 制备 半导体材料 能带边失调值
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GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究 被引量:1
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作者 罗向东 徐仲英 +3 位作者 潘钟 李联合 林耀望 葛维琨 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期25-29,共5页
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局... 用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6~ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b) 展开更多
关键词 GaNAs 带阶 光荧光谱 光跃迁 能带弯曲参数 单量子阱 GAAS 发光性质
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Cd对纤锌矿ZnO极化特性的影响以及Zn_(0.75)Cd_(0.25)O/ZnO界面能带偏差的第一性原理研究 被引量:2
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作者 吴孔平 慈能达 +3 位作者 汤琨 叶建东 朱顺明 顾书林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2577-2582,共6页
基于第一性原理GGA+U方法研究了Zn1-xCdxO合金的晶格常数以及自发极化随Cd组分x的变化关系,其中极化特性的计算采用Berry-phase方法,同时计算了禁带宽度随Cd组分x的变化关系,并得到了能隙弯曲参数0.69。此外,通过计算宏观平均静电势的... 基于第一性原理GGA+U方法研究了Zn1-xCdxO合金的晶格常数以及自发极化随Cd组分x的变化关系,其中极化特性的计算采用Berry-phase方法,同时计算了禁带宽度随Cd组分x的变化关系,并得到了能隙弯曲参数0.69。此外,通过计算宏观平均静电势的方法得到了(5+3)Cd0.25Cd0.75O/Zn O超晶格界面处的价带偏差为0.13 e V,导带偏差与价带偏差的比值为4/13,并且Zn1-xCdxO/Zn O界面两侧能带呈现I型排列,这些研究结果将对Zn1-x CdxO/Zn O界面二维电子气的设计与优化起到重要作用。 展开更多
关键词 自发极化 静电势平均 能带偏差 锌镉氧合金
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300mm口径W波段辐射计偏馈反射面天线设计 被引量:4
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作者 彭树生 吴礼 李向芹 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期545-549,共5页
为W波段辐射计设计了一副口径为300 mm偏馈反射面天线,天线要求的工作频率为94.5 GHz,副瓣电平低于-25 dB,交叉极化电平低于-30 dB,半功率波束宽度优于1°.采用较小偏置角以改善偏置天线的交叉极化特性,采用焦面场匹配法和模比法设... 为W波段辐射计设计了一副口径为300 mm偏馈反射面天线,天线要求的工作频率为94.5 GHz,副瓣电平低于-25 dB,交叉极化电平低于-30 dB,半功率波束宽度优于1°.采用较小偏置角以改善偏置天线的交叉极化特性,采用焦面场匹配法和模比法设计了匹配馈源,通过仿真优化设计,得到良好的波瓣等化电平和驻波比.测量结果表明,测量值与理论值吻合,满足辐射计的指标要求. 展开更多
关键词 W波段 偏馈反射面天线 匹配馈源 模比法
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应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究 被引量:2
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作者 方晓明 沈学础 +2 位作者 侯宏启 冯巍 周钧铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期270-278,共9页
在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观... 在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。 展开更多
关键词 INGAAS-GAAS 量子阱 光电谱 应变层
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多晶CdS/CdTe异质结界面的能带偏移 被引量:1
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作者 黄代绘 吴海霞 +1 位作者 李卫 冯良桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1144-1148,共5页
采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe,并对其结构和光学性质进行了研究.原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS/CdTe异质结,研究了其结构、电子学性质.获得的CdS/CdTe半导体异质结的价带偏移ΔEV=0.98eV±0.05eV,导带偏移ΔEc=0.07... 采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe,并对其结构和光学性质进行了研究.原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS/CdTe异质结,研究了其结构、电子学性质.获得的CdS/CdTe半导体异质结的价带偏移ΔEV=0.98eV±0.05eV,导带偏移ΔEc=0.07±0.1eV. 展开更多
关键词 真空沉积 Cds/CdTe异质结 价带偏移 导带偏移
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带通滤波器法电压积分型定子磁链观测器 被引量:31
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作者 李红 罗裕 +1 位作者 韩邦成 陈彦鹏 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第9期8-16,共9页
针对定子磁链观测的低通滤波器法电压积分模型受电压电流零漂,积分初值和定子电阻误差的影响,使得观测结果存在直流偏置的问题,提出了能消除直流偏置的带通滤波器法电压积分模型。针对电压积分型定子磁链观测器基本模型进行了误差分析,... 针对定子磁链观测的低通滤波器法电压积分模型受电压电流零漂,积分初值和定子电阻误差的影响,使得观测结果存在直流偏置的问题,提出了能消除直流偏置的带通滤波器法电压积分模型。针对电压积分型定子磁链观测器基本模型进行了误差分析,建立了带通滤波器法定子磁链观测器模型,分析了带通滤波器法定子磁链观测器能够消除直流偏置的原理,并给出了幅值和相位的误差补偿方法。对带通滤波器法定子磁链观测器进行仿真和实验表明:带通滤波器法定子磁链观测器解决了低通滤波器法中的直流偏置问题,消除了观测结果的直流偏置,对观测结果进行幅值和相位误差补偿后,观测的定子磁链与参考磁链波形一致。 展开更多
关键词 磁链 观测 误差分析 低通滤波器法 消除直流偏置 带通滤波器法 误差补偿
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三元合金异质结(AlP)_x(Si_2)_(1-x)/GaP和(GaP)_x(Si_2)_(1-x)/GaP的价带带阶 被引量:1
12
作者 蔡淑惠 郑金成 +1 位作者 王仁智 郑永梅 《计算物理》 CSCD 北大核心 1997年第4期542-544,共3页
采用基于LMTOASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了两组晶格匹配三元合金异质结(AlP)x(Si2)1-x/GaP和(GaP)x(Si2)1-x/GaP的价带带阶ΔEv(x)值。研究表明,两组异质结的... 采用基于LMTOASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了两组晶格匹配三元合金异质结(AlP)x(Si2)1-x/GaP和(GaP)x(Si2)1-x/GaP的价带带阶ΔEv(x)值。研究表明,两组异质结的ΔEv(x)值随合金组分x的变化都是非线性的,且表现出非单调的关系。 展开更多
关键词 半导体异质结 价带带阶 平均键能 三元合金
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SiGeC三元合金的研究进展 被引量:1
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作者 赵雷 左玉华 王启明 《微纳电子技术》 CAS 2004年第7期1-9,14,共10页
SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能光电器件的制备。本文总结了近年来关于SiGeC的性能、制备和应用方面的若干研究结果,并对SiGeC进一步的... SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能光电器件的制备。本文总结了近年来关于SiGeC的性能、制备和应用方面的若干研究结果,并对SiGeC进一步的研究方向提出了自己的建议。 展开更多
关键词 SIGEC 应变补偿 能带偏移 制备 应用
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AIN、GaN立方晶体的静态性质和AIN/GaN异质结的价带偏移 被引量:1
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作者 何国敏 郑永梅 王仁智 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期30-35,共6页
采用LMTO能带从头计算方法,计算了闪锌矿(立方)结构AIN和GaN的静态性质;用平均键能方法,预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的△Ev值;最后,采用超原胞(AIN)n(GaN... 采用LMTO能带从头计算方法,计算了闪锌矿(立方)结构AIN和GaN的静态性质;用平均键能方法,预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的△Ev值;最后,采用超原胞(AIN)n(GaN)n(001),(n=1,3,5)界面自洽计算方法,考察了超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和验证了价带偏移△Ev计算结果的准确性。 展开更多
关键词 静态性质 应变层 异质结 价带偏移 半导体材料
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异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用 被引量:1
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作者 王仁智 黄美纯 柯三黄 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期470-474,共5页
由半导体的LMTO能带计算平均健能E_1,并以平均键能E_1作为参考能级计算共阴离子异质结的△E值.在LMTO能带计算中采用不同处理d态的计算方法,系统地研究d态在△E,理论计算中的作用,研究结果表明,d态对主要能带的杂化程度显著地影响△E值... 由半导体的LMTO能带计算平均健能E_1,并以平均键能E_1作为参考能级计算共阴离子异质结的△E值.在LMTO能带计算中采用不同处理d态的计算方法,系统地研究d态在△E,理论计算中的作用,研究结果表明,d态对主要能带的杂化程度显著地影响△E值;适当处理d态之后,以E为参考能级的△E计算方法可以得到接近于界面自洽方法(SCIC或SCSC)的准确结果。 展开更多
关键词 异质结 价带边不连续
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交通仿真软件在线控系统中的应用研究 被引量:6
16
作者 金双泉 李硕 杜攀峰 《公路交通科技》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期104-107,共4页
线控研究对改善整个城市交通状况具有重要意义。本文以CORSIM模型分析长沙市五一路主要交叉口的研究作为背景,就交通仿真模型在线控系统中的应用作了初步系统的分析,并提出二次相位差调整的概念和效益。
关键词 线控系统 仿真 相位差 绿波带
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线控系统中相位差优化模型的研究 被引量:56
17
作者 万绪军 陆化普 《中国公路学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期99-102,共4页
以使沿干线双向行驶的车辆延误最小为目标 ,以最优化理论为基础 ,通过对上、下行车辆在交叉口的延误规律进行分析研究 ,建立起线控系统相位差调节的优化模型 ,为干线交通流畅通提供了一种优化控制方法。
关键词 相位差 绿波带 线控系统 优化模型 交通控制
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Interface formation energy,bonding,energy band alignment in α-NaYF4 related core shell models:For future multi-layer core shell luminescence materials 被引量:1
18
作者 黄勃龙 董浩 +2 位作者 Wong Ka-Leung 孙聆东 严纯华 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期315-334,共20页
To break through the bottle-neck of quantum yield in upconversion (UC) core-shell system, we elucidated that the energy transfer efficiency in core-shell system had an evident contribution from the charge transfer o... To break through the bottle-neck of quantum yield in upconversion (UC) core-shell system, we elucidated that the energy transfer efficiency in core-shell system had an evident contribution from the charge transfer of interface with related to two factors: (i) band offsets and (2) binding energy area density. These two variables were determined by material intrinsic properties and core-shell thickness ratio. We further unraveled the mechanism of non-radiative energy transfer by charge transfer induced dipole at the inter- face, based on a quasi-classical derivation from F6rster type resonant energy transfer (FRET) model. With stable bonding across the interface, the contributions on energy transfer in both radiative and non-radiative energy transfer should also be accounted together in Auzel's energy transfer (ETU) model in core-shell system. Based on the discussion about interface bonding, band offsets, and forma- tion energies, we figured out the significance of interface bonding induced gap states (IBIGS) that played a significant role for influ- encing the charge transfer and radiative type energy transfer. The interface band offsets were a key factor in dominating the non-radiative energy transfer, which was also correlated to core-shell thickness ratio. We found that the energy area density with re- lated to core/shell thickness ratio followed the trend of Boltzman sigmoidal growth function. By the physical trend, this work contrib- uted a reference how the multi-layered core-shell structure was formed starting from the very beginning within minimum size. A route was paved towards a systematic study of the interface to unveil the energy transfer mechanism in core-shell systems. 展开更多
关键词 INTERFACE band-offset CORE-SHELL ENERGY-TRANSFER rare earths
原文传递
掺碳锗硅合金最新研究进展 被引量:2
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作者 亓震 叶志镇 《材料科学与工程》 CSCD 1998年第3期22-25,共4页
SiGeC三元合金近几年来受到人们的广泛关注,碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。本文对碳加入锗硅材料中后应变的缓解及碳对合金能带结构的影响进行了概述,并对其机理做了总结。
关键词 能带结构 价带补偿 硅锗碳合金
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采用高斯投影实现AutoCAD地形图换带 被引量:5
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作者 陈泽远 《测绘通报》 CSCD 北大核心 2020年第12期138-143,共6页
地形图高斯投影换带是工程项目勘测和施工过程中一项重要的工作,利用GIS软件可实现高斯投影换带,但无法解决任意高程面上的投影问题,而且在AutoCAD图与GIS图转换过程中容易出现图形信息的丢失。本文研究了3种常用的椭球膨胀高斯投影换... 地形图高斯投影换带是工程项目勘测和施工过程中一项重要的工作,利用GIS软件可实现高斯投影换带,但无法解决任意高程面上的投影问题,而且在AutoCAD图与GIS图转换过程中容易出现图形信息的丢失。本文研究了3种常用的椭球膨胀高斯投影换带方法,并在AutoCAD平台中实现了DXF文件坐标直接修改法和图形实体位置属性修改法。通过工程实例表明,本文方法理论严密,投影转换结果准确,软件实用性强。 展开更多
关键词 AUTOCAD 高斯投影换带 抵偿高程面 椭球膨胀
原文传递
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