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EXISTENCE OF POSITIVE RADIAL SOLUTIONS FOR SOME QUASILINEAR ELLIPTIC EQUATIONSIN ANNULAR OMAINS
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作者 ZhangHui GuoZongming 《Applied Mathematics(A Journal of Chinese Universities)》 SCIE CSCD 1999年第3期313-320,共8页
The existence ofpositive radialsolutions ofthe equation - div(|Du|p- 2Du)= f(u) is studied in annular dom ains in Rn,n≥2. Itisproved thatiff(0)≥0, f is somewhere negativein (0,∞), lim u→0+ f′(u)= 0and lim u→... The existence ofpositive radialsolutions ofthe equation - div(|Du|p- 2Du)= f(u) is studied in annular dom ains in Rn,n≥2. Itisproved thatiff(0)≥0, f is somewhere negativein (0,∞), lim u→0+ f′(u)= 0and lim u→∞(f(u)/up- 1)= ∞, then thereisa largepositiveradialsolution on allannuli.Iff(0)< 0 and satisfiescertain condi- tions, then the equation has no radialsolution ifthe annuliare too wide. 展开更多
关键词 Quasilinear elliptic equations large solutions positive radialsolutions annular dom ains
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DISTORTION THEOREM FOR BIHOLOMORPHIC MAPPINGS IN TRANSITIVE DOMAINS (Ⅰ)
2
作者 龚昇 郑学安 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1990年第14期1169-1171,共3页
1. There are fruitful results in geometrical function theory of one complex variable. But there exist a lot of counter examples to show that the corresponding results in several complex variables are not true. For the... 1. There are fruitful results in geometrical function theory of one complex variable. But there exist a lot of counter examples to show that the corresponding results in several complex variables are not true. For the classical distortion theorem in one complex variable, H. Cartan conjectured that it is valid for the biholomorphic mappings on the unit ball B^n in C^n (n≥2). Unfortunately, this conjecture is not true(see [2]). In this report, we will consider the distortion theorem of biholomorphic mappings on transitive do- 展开更多
关键词 TRANSITIVE DOM AIN DISTORTION THEOREM kernel function.
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Designing high-reflectivity AIN composite substrates by introduction of TiO_(2) to synthesize green/white converters for high-brightness reflective laser illumination
3
作者 Qianxiong Wen Cong Zhao +7 位作者 Meilin Fu Yusai Xu Xiangjia Sun Jiaying Zheng Yanrong Liang Weidong Xiang Xiaojuan Liang Zhaoping Chen 《Journal of Rare Earths》 2025年第1期64-72,I0003,共10页
Phosphor-in-glass(PiG)has been prepared into various types of phosphor films owing to its simplicity process,exceptional color purity,and convenient color adjustability.Nevertheless,existing reflective PiGs films have... Phosphor-in-glass(PiG)has been prepared into various types of phosphor films owing to its simplicity process,exceptional color purity,and convenient color adjustability.Nevertheless,existing reflective PiGs films have encountered limitations in terms of stability and feasibility as reliable color converters,mainly attributed to issues related to thermal deposition and insufficient optical efficiency.Herein,we propose to use AlN substrate with superior thermal conductivity to coat the TiO_(2) layer to obtain TiO_(2)-AlN(TA),which enhances the reflectivity of blue light to facilitate the light conversion process.By incorporating highly thermally stable LuAG:Ce-PiGs on a TA substrate,the LuAG:Ce-PiTA converter exhibits a luminous flux of 1102 lm@6.4 W,and maintains a relative intensity of 94.6%at 473 K benefiting from the high thermal conductivity of 34.1 W/(m·K).The addition of CASN_(3):Eu to the color converter 50 L&10C-PiTA enables an impressive CRI of 90.7.Relative lumine scence intensities of LuAG:Ce-PiTA and 50 L&10C-PiTA only decrease by 5.35%and 3.28%,respectively,in the 24 h illumination aging decay test of the reflective laser module.The results confirm the suitability of the optimally designed TA substrate for LuAG:Ce color converter applications in high-power reflective laser illumination. 展开更多
关键词 TiO_(2)layer AIN substrate LuAG:Ce Color converter Laser illumination Rare earths
原文传递
沉淀前驱物制备AlN陶瓷粉末 被引量:13
4
作者 秦明礼 杜学丽 +2 位作者 李帅 孙伟 曲选辉 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1974-1979,共6页
以硝酸铝和碳黑为原料,利用化学沉淀法制备出混合均匀的Al2O3+C前驱物,并以该前驱物为原料采用碳热还原法制备了AlN粉末。研究了氮化反应温度、pH值、表面活性剂、溶液浓度、氮气流量和碳铝比等工艺参数对氮化反应的影响,得出的最佳工... 以硝酸铝和碳黑为原料,利用化学沉淀法制备出混合均匀的Al2O3+C前驱物,并以该前驱物为原料采用碳热还原法制备了AlN粉末。研究了氮化反应温度、pH值、表面活性剂、溶液浓度、氮气流量和碳铝比等工艺参数对氮化反应的影响,得出的最佳工艺参数分别为:以0.4 mol/L的硝酸铝溶液和比表面积为156 m2/g的碳黑为原料,控制原料中碳铝比为3∶1,添加适量的硬脂酸(SA)和聚乙二醇(PEG)作为表面活性剂,控制沉淀过程中pH=9,通过共沉淀工艺得到分散性好、团聚程度小的前驱物,并将此前驱物在常压和氮气流量为5 L/min的条件下于1 550℃煅烧4 h,最后将反应产物在650℃的空气中除碳4 h,制备出氮含量为33.20%,氧含量为0.98%,比表面积为4.26 m2/g的AlN粉末。 展开更多
关键词 AIN粉末 沉淀前驱物 碳热还原
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AlN纳米微粉的微波合成 被引量:8
5
作者 戴长虹 张显鹏 +3 位作者 张劲松 杨永进 曹丽华 夏非 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第11期1049-1051,共3页
Nanometer aluminum nitride powder with purity higher than 98wt% and diameter in the range of 5-80nm has been obtained by microwave heating using α-Al2O3、Al(OH)3、 colloidal Al(OH)3 as the source for aluminum, and ph... Nanometer aluminum nitride powder with purity higher than 98wt% and diameter in the range of 5-80nm has been obtained by microwave heating using α-Al2O3、Al(OH)3、 colloidal Al(OH)3 as the source for aluminum, and phenolformaldehyde resin, char, nanometer carbon black powder as the source for carbon, respectively. The effect of the type of starting materials and synthesis conditions on the purity and the size of the nanometer AlN powder has been analyzed in this paper. 展开更多
关键词 AIN 纳米微粉 微波合成 陶瓷
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纳米AlN粉末的低温烧结 被引量:9
6
作者 秦明礼 曲选辉 +3 位作者 罗铁钢 肖平安 汤春峰 段柏华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期713-716,共4页
研究了低温燃烧合成前驱物制备纳米级AlN粉末的低温烧结行为,利用XRD,SEM等手段对陶瓷粉末及烧结体进行了表征。结果表明:由于该粉末的粒径小(约为100nm),比表面积大(17.4m2/g),具有很好的烧结活性,在未使用烧结助剂时,在常压下1700℃... 研究了低温燃烧合成前驱物制备纳米级AlN粉末的低温烧结行为,利用XRD,SEM等手段对陶瓷粉末及烧结体进行了表征。结果表明:由于该粉末的粒径小(约为100nm),比表面积大(17.4m2/g),具有很好的烧结活性,在未使用烧结助剂时,在常压下1700℃获得了致密的陶瓷材料;添加5%Y2O3烧结助剂后,AlN的烧结致密化温度又降低为1600℃,比通常采用的比表面积低于5m2/g的AlN粉末的烧结致密化温度降低了200℃。分析了该种粉末促进烧结的机理,并在1650℃时制备出热导率为132.4W·m-1·K-1的AlN陶瓷。 展开更多
关键词 纳米 AIN粉末 低温烧结
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溅射沉积AlN薄膜结构与基片种类的关系 被引量:12
7
作者 许小红 武海顺 +1 位作者 张聪杰 金志浩 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期256-258,共3页
采用高真空直流磁控反应溅射成功地在5种基片上制备出多晶择优取向的AlN薄膜。结果表明,5种基片均可生长(100)面择优取向的AlN薄膜,并且具有良好的纵向组成均匀性,表面粗造度小,晶粒均匀致密。在金属电极和 Si片上... 采用高真空直流磁控反应溅射成功地在5种基片上制备出多晶择优取向的AlN薄膜。结果表明,5种基片均可生长(100)面择优取向的AlN薄膜,并且具有良好的纵向组成均匀性,表面粗造度小,晶粒均匀致密。在金属电极和 Si片上沉积的 AlN薄膜结晶度、取向性、衍射强度差别较小,两者的结构均优于在盖玻片上沉积的 AlN薄膜。 展开更多
关键词 AIN薄膜 基片 磁控反应溅射
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微波法合成AlN纳米微粉 被引量:11
8
作者 戴长虹 张显鹏 +3 位作者 张劲松 杨永进 曹丽华 夏非 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期1221-1226,共6页
以胶体Al(OH)3作铝源,分别以碳黑纳米微粉以及热解碳和酚醛树脂作碳源,用微波加热的方法合成了纯度高达98%以上的AlN纳米微粉,用化学分析法、X射线衍射法、X射线小角散射法以及透射电子显微镜等检测手段对AlN纳米... 以胶体Al(OH)3作铝源,分别以碳黑纳米微粉以及热解碳和酚醛树脂作碳源,用微波加热的方法合成了纯度高达98%以上的AlN纳米微粉,用化学分析法、X射线衍射法、X射线小角散射法以及透射电子显微镜等检测手段对AlN纳米微粉进行了表征,并分析了合成条件对AlN纳米微粉的影响. 展开更多
关键词 微波法 AIN 纳米微粉 纳米材料 粉末
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氮化铝薄膜的光学性能 被引量:11
9
作者 颜国君 陈光德 +1 位作者 邱复生 Zhaoyan Fan 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期221-223,共3页
分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与... 分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10k^293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致. 展开更多
关键词 AIN薄膜 透射谱 吸收谱 禁带带宽 自由激子
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纳米六方相氮化铝的合成和光学性能研究 被引量:9
10
作者 颜国君 陈光德 吕惠民 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第16期1688-1692,共5页
报道了以AlCl3和Mg3N2为反应物,在500℃条件下,用简易的设备,合成六方相AlN纳米材料.样品的XRD和XPS图谱表明,实验得到的AlN样品是纯的六方相AlN,其中的杂质相含量均小于仪器的探测灵敏度.TEM图表明,AlN样品呈多孔网络状结构,网络的骨... 报道了以AlCl3和Mg3N2为反应物,在500℃条件下,用简易的设备,合成六方相AlN纳米材料.样品的XRD和XPS图谱表明,实验得到的AlN样品是纯的六方相AlN,其中的杂质相含量均小于仪器的探测灵敏度.TEM图表明,AlN样品呈多孔网络状结构,网络的骨架大小在10~20nm之间.对AlN样品的光学性能的研究表明,AlN样品的禁带宽度值约为6.12eV;红外吸收谱以680cm-1为中心形成一个很宽的红外吸收带;其拉曼散射峰较AlN薄膜和AlN单晶向低波数方向移动. 展开更多
关键词 纳米AIN 合成 光学性能
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纳米多层膜中立方AlN外延生长的HRTEM观察 被引量:5
11
作者 田家万 劳技军 +2 位作者 虞晓江 李戈扬 宁兆元 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期633-634,共2页
关键词 纳米多层膜 AIN 外延生长 HRTEM 高分辨电子显微镜 立方相 氮化铝
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磁光盘多层结构AIN和AlSiN薄膜材料研究 被引量:5
12
作者 缪向水 李佐宜 +1 位作者 胡用时 林更琪 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第1期33-35,共3页
本文研究了磁光材料保护膜AIN和AISiN薄膜材料,讨论了它们的性能与溅射工艺参数的关系,研究了AIN及AlSiN薄膜对磁光盘材料的保护作用,研究同时表明:AIN及AlSiN保护膜能对磁光材料起干涉增强磁光克尔效应作用。
关键词 磁光材料 AIN AISiN 磁光盘 保护膜
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AlN基片氧化及金属化 被引量:4
13
作者 徐忠华 马莒生 +3 位作者 李志勇 韩振宇 王谦 唐祥云 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第2期1-2,共2页
研究了 Al N陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响。在 80 0℃、 10 0 0℃、 12 0 0℃和 140 0℃下对 Al N基片进行了高温处理 ,并用 XRD和 SEM分析了氧化结果。从 12 0 0℃开始 ,基片表面有较明显的氧化 ,140 0℃时 ,基片内部氧化明显... 研究了 Al N陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响。在 80 0℃、 10 0 0℃、 12 0 0℃和 140 0℃下对 Al N基片进行了高温处理 ,并用 XRD和 SEM分析了氧化结果。从 12 0 0℃开始 ,基片表面有较明显的氧化 ,140 0℃时 ,基片内部氧化明显。在氧化后的 Al N基片上金属化布线 ,发现表面轻微氧化的 Al N基片和金属化强度有一些提高 ,但氧化过度 ,反而会使金属化结合强度大幅度下降。 展开更多
关键词 金属化 AIN陶瓷 氧化 基片
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人工冰核的核化速率实验 被引量:11
14
作者 苏正军 郑国光 关立友 《气象》 CSCD 北大核心 2010年第11期46-49,共4页
如同成冰总数一样,核化速率也是催化剂性能的关键参数之一,对于科学设计和指导人工影响天气试验和作业有非常重要的意义,以前很少引起人们的关注。通过借鉴DeMott等使用的化学动力学方法,利用催化剂检测实验中时间特征等资料展开核化速... 如同成冰总数一样,核化速率也是催化剂性能的关键参数之一,对于科学设计和指导人工影响天气试验和作业有非常重要的意义,以前很少引起人们的关注。通过借鉴DeMott等使用的化学动力学方法,利用催化剂检测实验中时间特征等资料展开核化速率研究。结果表明,对于其他实验条件相同时,不同样品核化速率不同;同一样品不同温度动态特征明显不同:对于低温段(<-16℃),形成冰晶对应快过程,主要表现是凝结冻结核化、凝华核化;而较高温度(≥-12℃)时形成冰晶是慢过程(接触核化、浸入核化机制)起主要作用。建议人工影响天气外场试验和作业中选择催化剂应关注其核化速率差异,根据实验目的优选具有不同核化速率的催化剂。 展开更多
关键词 人工冰核(AIN) 核化速率 实验研究
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CaF_2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能 被引量:8
15
作者 熊焰 傅正义 王皓 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1705-1709,共5页
采用放电等离子烧结技术,添加质量分数为3%的CaF2作为烧结助剂,制备了透明氮化铝(AlN)陶瓷。样品在烧结温度1 800℃,30 MPa压力下保温15 min,达到了99.5%的相对密度和52.7%的最大透过率。SEM、XRD、TEM和EDX结果表明,烧结体具有很高的... 采用放电等离子烧结技术,添加质量分数为3%的CaF2作为烧结助剂,制备了透明氮化铝(AlN)陶瓷。样品在烧结温度1 800℃,30 MPa压力下保温15 min,达到了99.5%的相对密度和52.7%的最大透过率。SEM、XRD、TEM和EDX结果表明,烧结体具有很高的致密度、纯度,良好的晶粒形貌和微观晶体结构,晶界和三角晶界处观察不到第二相的存在。CaF2的添加引入液相烧结,促进AlN晶粒的生长和烧结体的致密化,并且与AlN颗粒反应生成的氟化物和Ca-Al-O化合物能够从烧结体中逸出,进一步净化烧结体,是制备透明AlN陶瓷的有效助剂。放电等离子烧结技术具有烧结快速、烧结体致密度高的特点,是制备透明AlN陶瓷的有效方法。 展开更多
关键词 放电等离子烧结 透明AIN陶瓷 透过率 微观结构
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偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响 被引量:5
16
作者 黄美东 董闯 +4 位作者 宫骏 卢春燕 孙超 黄荣芳 闻立时 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期675-680,共6页
在不同基体负偏压作用下,用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积(PVD)方法在单晶 St(100)基片上获得六方晶系的晶态AlN薄膜.用X射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随 偏压的变化,在扫描电子显微镜(SEM... 在不同基体负偏压作用下,用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积(PVD)方法在单晶 St(100)基片上获得六方晶系的晶态AlN薄膜.用X射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随 偏压的变化,在扫描电子显微镜(SEM)下观察沉积膜的显微组织形貌.结果表明,在较小偏压下,AlN 膜呈(002)择优取向,表面致密均匀;在较大偏压下,AlN膜呈(100)择优取向,表面形貌则粗糙不 平.AlN薄膜的择优取向及表面形貌受到不同偏压下不同离子轰击能量的影响. 展开更多
关键词 偏压 阴极电弧离子镀 物理气相沉积 AIN薄膜 择优取向 表面形貌 单晶硅基片 氮化铝薄膜 显微组织
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硅基AlN薄膜制备技术与测试分析 被引量:7
17
作者 于毅 任天令 刘理天 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期42-45,共4页
采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN... 采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理 .制备的AlN薄膜显示出良好的〈0 0 2〉择优取向性 ,摇摆曲线的半高宽达到 5 6° . 展开更多
关键词 AIN薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 半高宽
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BN坩埚中的AlN单晶生长 被引量:5
18
作者 李娟 胡小波 +6 位作者 姜守振 王英民 宁丽娜 陈秀芳 徐现刚 王继扬 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期435-436,共2页
关键词 单晶生长 AIN 宽带隙半导体材料 微电子器件 GAN材料 坩埚 BN 高热导率 紫外探测器 光电子领域
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添加 Y_2O_3 或 CaO 对 AlN 陶瓷的电性能和热导性能的影响 被引量:3
19
作者 黄莉萍 赵惠芬 +1 位作者 符锡仁 董良金 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期217-224,共8页
本文采用 Y_2O_3,CaO 为 AlN 陶瓷烧结的添加剂,测量了该材料电性能(包括体电阻率,介电常数,介质损耗因子)和热导性能以及这些性能随温度变化的关系。研究了添加量对该材料第二相组成的影响及对材料电性能和热性能影响,并对所得的结果... 本文采用 Y_2O_3,CaO 为 AlN 陶瓷烧结的添加剂,测量了该材料电性能(包括体电阻率,介电常数,介质损耗因子)和热导性能以及这些性能随温度变化的关系。研究了添加量对该材料第二相组成的影响及对材料电性能和热性能影响,并对所得的结果进行了初步讨论。指出要制得具有优良电性能和热导性能的 AlN 材料,应严格控制添加剂加入量和 AlN 粉末中的含氧量。 展开更多
关键词 AIN陶瓷 Y2O3 CAO 添加剂
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AlN电子薄膜材料的研究进展 被引量:12
20
作者 周继承 石之杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期14-16,24,共4页
AlN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料,作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。简介了AlN薄膜的制备方法,评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展,阐述了AlN... AlN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料,作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。简介了AlN薄膜的制备方法,评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展,阐述了AlN薄膜的应用,并综述了近年来AlN薄膜作为缓冲层、SOI结构的绝缘埋层和吉赫兹级声表面波器件压电薄膜的研究现状。 展开更多
关键词 AIN电子薄膜材料 电子元器件 应用 进展
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