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真空退火对Sn负极材料结构与循环性能的影响 被引量:1
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作者 赵灵智 胡社军 +1 位作者 汝强 何苗 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期25-28,共4页
用SEM、XRD、ICP、恒电流充放电方法对真空退火前后磁控溅射制备的锂离子电池用Sn负极薄膜材料的形貌、结构及循环性能进行研究。结果表明,经过200℃×8 h真空退火后,薄膜颗粒细化且均匀分布,薄膜中还出现了Cu6Sn5和Cu3Sn合金相的... 用SEM、XRD、ICP、恒电流充放电方法对真空退火前后磁控溅射制备的锂离子电池用Sn负极薄膜材料的形貌、结构及循环性能进行研究。结果表明,经过200℃×8 h真空退火后,薄膜颗粒细化且均匀分布,薄膜中还出现了Cu6Sn5和Cu3Sn合金相的特征峰,改善了膜基结合力。相对于纯Sn电极,热处理后样品的首次放电容量和首次库仑效率均略有下降,分别为709 mAh/g和67%;从第2次到30次循环的容量保持率为87%,库仑效率维持在94%-99%,均优于纯Sn电极。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极 真空退火 磁控溅射
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Fabrication and Electrical Properties of Titanium Oxide by Thermally Oxidizing Titanium on Silicon
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作者 朱晖文 赵柏儒 +2 位作者 刘晓彦 康晋锋 韩汝琦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期337-341,共5页
Polycrystalline titanium oxide films are fabricated on silicon by thermally oxidizing titanium.The current- voltage and capacitance- voltage characteristics of the Ag/Ti Ox/Si/Ag capacitors are m easured.The thicknes... Polycrystalline titanium oxide films are fabricated on silicon by thermally oxidizing titanium.The current- voltage and capacitance- voltage characteristics of the Ag/Ti Ox/Si/Ag capacitors are m easured.The thickness of the titanium oxide films arranges from15 0 nm to2 5 0 nm,and their dielectric constants are within40~ 87.As the oxida- tion tim e is shortened,the fixed charges of the titanium oxide films become less and the leakage current characteris- tics becom e better. 展开更多
关键词 high k m aterials therm ally oxidation DC m agnetron sputtering
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磁控管总体设计的探讨
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作者 江瑞文 《真空电子技术》 北大核心 1995年第5期21-24,共4页
利用磁控管阳极谐振腔隙缝处边界条件,将作用空间和谐振腔连在一起整体考虑,求解圆柱坐标波方程,得到阳极电压、阳极电流与负载关系。从而,在设计磁控管时为确定阳极电压提供了新的途径。
关键词 磁控管 作用空间 谐振腔
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