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Deep Level Transient Fourier Spectroscopy and Photoluminescence of Vanadium Acceptor Level in n-Type 4H-SiC
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作者 王超 张义门 +2 位作者 张玉明 王悦湖 徐大庆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期240-243,共4页
Deep level transient Fourier spectroscopy (DLTFS) measurements are used to characterize the deep impurity levels in n-type 4H-SiC by vanadium ions implantation. Two acceptor levels of vanadium at Ec - 0.81 and Ec - ... Deep level transient Fourier spectroscopy (DLTFS) measurements are used to characterize the deep impurity levels in n-type 4H-SiC by vanadium ions implantation. Two acceptor levels of vanadium at Ec - 0.81 and Ec - 1.02eV with the electron capture cross section of 7.0 × 10^16 and 6.0 × 10^-16 cm^2 are observed, respectively. Low-temperature photoluminescence measurements in the range of 1.4-3.4eV are also performed on the sample, which reveals the formation of two electron traps at 0.80 and 1. 16eV below the conduction band. These traps indicate that vanadium doping leads to the formation of two deep acceptor levels in 4H-SiC,with the location of 0.8±0.01 and 1. 1 ±0.08eV below the conduction band. 展开更多
关键词 4H-SIC vanadium doping acceptor level
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β相氧化镓p型导电研究进展 被引量:1
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作者 查显弧 万玉喜 张道华 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期177-189,共13页
β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺... β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现β-Ga_(2)O_(3)p型掺杂的主要策略。对于β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结,提高晶体质量、减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对β-Ga_(2)O_(3)的p型导电问题,系统阐述了β-Ga_(2)O_(3)电子结构,实验表征及理论计算掺杂能级方法,p型掺杂困难原因,以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案,以及不同方案的协同实现体相β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂仍需要深入探索,p-n同质及异质结的器件性能需要进一步优化。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) p型导电 电子结构 受主能级 固溶 P-N结
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基于氮杂螺环配体的Cu(Ⅰ)配合物延迟荧光材料的设计合成及性能研究
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作者 张登朝 贾吉慧 +5 位作者 梁栋 蔡显宝 赵雨晴 胡祥龙 江钰冰 卢灿忠 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第8期887-893,共7页
本研究通过采用具有室温磷光发射性质的给体-受体(D-A)型配体10-苯基-10H-螺[吖啶-9,9'-(4,5-二氮芴)](Spiro2N),与辅助膦配体双(2-二苯基磷苯基)醚(POP)结合,成功设计了具有热活化延迟荧光(TADF)性质的Cu(Ⅰ)配合物发光材料Cu-P-Sp... 本研究通过采用具有室温磷光发射性质的给体-受体(D-A)型配体10-苯基-10H-螺[吖啶-9,9'-(4,5-二氮芴)](Spiro2N),与辅助膦配体双(2-二苯基磷苯基)醚(POP)结合,成功设计了具有热活化延迟荧光(TADF)性质的Cu(Ⅰ)配合物发光材料Cu-P-Spiro2N.通过核磁共振谱图确认了Cu(Ⅰ)配合物的分子结构.进一步利用X射线单晶衍射表征了配合物Cu-P-Spiro2N的晶体结构.结果表明,配合物Cu-P-Spiro2N属于三斜晶系,晶胞参数分别为α=90.14(2)°,β=115.43(3)°,γ=115.55(3)°,a=15.10(6)nm,b=15.15(4)nm,c=16.62(6)nm.由于配体分子Spiro2N具有两个相互正交的π共轭平面结构,使得其最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)具有很小的重叠,但具有相对较大的单重态-三重态能隙差(?EST).金属Cu(Ⅰ)片段与配体Spiro2N配位后,降低了HOMO-LUMO之间的能隙差,电荷转移(CT)态能级下降.这使得配合物Cu-P-Spiro2N具有极小的?EST(0.05 eV).小的?EST有利于加速反系间窜越过程,进而实现TADF发射.该类配合物的发射主要来自于D-A型配体Spiro2N,表现为金属微扰的配体内电荷转移(ILCT)性质.室温下,在掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜(10%(w))中,配合物Cu-P-Spiro2N表现出强烈的黄光发射,发射峰值位于551 nm,光致发光量子效率为49%,激发态寿命为6.3μs.本研究结果表明,通过Cu(Ⅰ)离子配位,可调控配体分子激发态能级,降低?EST,从而实现TADF发射. 展开更多
关键词 Cu(Ⅰ)配合物 热活化延迟荧光 D-A型配体 能级调控
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Cu与非金属双受主能级协同作用对TiO_2光学特性的影响 被引量:4
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作者 陈小雨 冯庆 周晴 《计算物理》 CSCD 北大核心 2017年第1期99-108,共10页
采用基于密度泛函理论(DFT)体系下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究纯锐钛矿相TiO_2在3 d金属杂质Cu与非金属杂质C、N、F单掺及共掺情况下受主能级的协同作用.模拟计算掺杂前后的晶体结构、结合能、缺陷形成能、能带结构、分态密度... 采用基于密度泛函理论(DFT)体系下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究纯锐钛矿相TiO_2在3 d金属杂质Cu与非金属杂质C、N、F单掺及共掺情况下受主能级的协同作用.模拟计算掺杂前后的晶体结构、结合能、缺陷形成能、能带结构、分态密度及光学性质.结果发现:Cu-N共掺杂体系和Cu、N单掺杂体系对可见光的利用比其它体系好.Cu-N共掺体系与Cu、N分别单掺体系相比,有更小的禁带宽度,且浅受主能级上出现了更大的态密度分布.对光学性质的研究发现,Cu-N共掺体系有最高的吸收系数和反射率,因此,该体系对可见光的利用效果最好.其原因是Cu与N元素分别产生受主能级协同作用导致对可见光的响应效果最理想. 展开更多
关键词 密度泛函理论 第一性原理 受主能级 光学性质
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碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究 被引量:1
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作者 武红磊 郑瑞生 +1 位作者 孟姝 黄俊毅 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2011年第2期109-112,共4页
采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物... 采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0.19 eV,比单个碳受主低0.28 eV.利用碳硅共掺方法,在实验上制备出空穴浓度为1.4×1014cm-3、迁移率为52 cm2/(V.s)的p型氮化铝晶体. 展开更多
关键词 半导体材料 掺杂 第一性原理计算 氮化铝 受主能级 电阻率
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可接受环境风险水平研究方法 被引量:4
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作者 范小杉 罗宏 《生态经济》 北大核心 2011年第7期174-176,共3页
可接受环境风险水平的确定是开展环境风险预警、实现高效环境风险管理的必要前提。在界定可接受风险水平概念、分析及其内涵的基础上,结合环境风险评价和风险受体调查问卷,初步构建了可接受风险水平研究方法体系,为进一步完善环境风险... 可接受环境风险水平的确定是开展环境风险预警、实现高效环境风险管理的必要前提。在界定可接受风险水平概念、分析及其内涵的基础上,结合环境风险评价和风险受体调查问卷,初步构建了可接受风险水平研究方法体系,为进一步完善环境风险管理提供科学依据。 展开更多
关键词 风险 可接受风险水平 风险受体
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MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质 被引量:3
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作者 郭红霞 张义门 +6 位作者 陈雨生 周辉 龚仁喜 何宝平 关颖 韩福斌 龚建成 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期170-174,共5页
通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱... 通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱为中性 ,使界面态陷阱将引起的阈值电压漂移 ;而对 PMOSFET,当费米能级临近价带 (P沟晶体管反型 )时 ,施主型界面态陷阱带正电荷 ,受主型界面态陷阱为中性 ,界面态陷阱将引起负的阈值电压漂移。理论模拟的转移特性与测试结果吻合。文中从器件工艺参数出发 ,初步建立了总剂量电离辐照模型 。 展开更多
关键词 MOS器件 界面陷阱 费米能级 氮化物陷阱电荷 辐照 阈值电压漂移
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铁注入Al_2O_3陶瓷及退火改变材料表面电阻率的研究
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作者 李世普 王国梅 +2 位作者 邢宁 任卫 陈晓明 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第12期718-723,共6页
本文主要阐述铁注入Al_2O_3陶瓷退火前后的表面电性能。应用卢瑟福背散射分析(RBS)、俄歇电子能谱分析(AES)和X-光电子能谱分析(XPS)等测试手段,研究了注入层结构、注入射程和纵向浓度分布。最后,扼要地叙述了注入层的导电机制。
关键词 陶瓷 退火 电阻率 注入 AL2O3
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含硼氮配位键的高分子电子受体材料 被引量:4
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作者 刘俊 王利祥 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第12期1856-1869,共14页
全高分子太阳能电池用高分子电子给体材料和高分子电子受体材料的共混物作为光电活性层,是光伏技术的重要发展方向之一.鉴于高分子受体材料的种类和数量都很少,开发新型高分子受体材料是发展全高分子太阳能电池的关键.有别于采用酰亚胺... 全高分子太阳能电池用高分子电子给体材料和高分子电子受体材料的共混物作为光电活性层,是光伏技术的重要发展方向之一.鉴于高分子受体材料的种类和数量都很少,开发新型高分子受体材料是发展全高分子太阳能电池的关键.有别于采用酰亚胺结构设计高分子受体材料的传统思路,我们从硼氮配位键降低π-共轭体系最低未占分子轨道(LUMO)能级的基本原理出发,在国际上率先提出了用硼氮配位键设计高分子受体材料的策略.本文旨在总结我们在含硼氮配位键的高分子受体材料方向的研究进展.首先阐明了硼氮配位键降低LUMO能级的原理,揭示出硼氮配位键在重复单元和高分子中的3个作用,然后介绍了硼氮配位键高分子受体材料的2种分子设计方法,阐明了硼氮配位键高分子受体材料在LUMO轨道和LUMO能级调控方面的特征,介绍了硼氮配位键高分子受体材料的吸收光谱调控、能级结构调控和电子迁移率调控,实现了全高分子太阳能电池的器件效率从2015年的0.14%到目前的>6%的转变.最后,展望了硼氮配位键高分子受体材料在高性能全高分子太阳能电池方面的前景和重点发展方向. 展开更多
关键词 硼氮配位键 高分子太阳能电池 电子受体 能级结构 电子迁移率
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δ掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的拉曼光谱 被引量:1
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作者 黄海北 郑卫民 +2 位作者 丛伟艳 孟祥艳 翟剑波 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期278-282,共5页
通过显微拉曼(Raman)光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍(Be)原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底(100)面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200 A,并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺... 通过显微拉曼(Raman)光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍(Be)原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底(100)面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200 A,并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺杂.在4.2 K液氦温度下,对样品进行了Raman光谱测量,并与光致发光(PL)光谱进行了对比,清楚地观测到了受主原子从基态能级1S_(3/2)(Γ_6)到第一激发态能级2S_(3/2)(Γ_6)之间的跃迁.根据量子力学中的变分原理和打靶法算法,计算了量子阱中类氢受主Be原子1 s到2 s能级间跃迁能量,并和实验结果进行了比较.计算结果表明,受主1 s到2 s能级间跃迁的能量随量子阱宽度减小而单调增加,并且与实验结果符合较好. 展开更多
关键词 拉曼光谱 多量子阱 打靶法 受主能级
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Ce-N共掺锐钛矿TiO2(001)取向电子结构和光学性质 被引量:4
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作者 董明慧 苑光明 +2 位作者 王学文 刘恩超 张彩丽 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第11期14-20,共7页
采用第一性原理研究了Ce和N共掺杂锐钛矿TiO2的稳定性、电子结构和光学性质.结果表明在锐钛矿TiO2中Ce倾向于间隙掺杂,而N更倾向于O替位掺杂;Ce单掺杂和Ce-N共掺杂都能使TiO2带隙宽度减小,同时N原子还能在价带顶引入浅受主能级,有利于... 采用第一性原理研究了Ce和N共掺杂锐钛矿TiO2的稳定性、电子结构和光学性质.结果表明在锐钛矿TiO2中Ce倾向于间隙掺杂,而N更倾向于O替位掺杂;Ce单掺杂和Ce-N共掺杂都能使TiO2带隙宽度减小,同时N原子还能在价带顶引入浅受主能级,有利于可见光的吸收和阻止光生载流子-空穴复合;Ce单掺杂和Ce-N共掺杂锐钛矿TiO2(001)取向都满足光催化制氢条件,因此都具有良好的光催化特性.综合分析带边位置和吸收光谱发现Ce-N共掺杂能有效提高锐钛矿TiO2(001)取向的光催化制氢能力. 展开更多
关键词 锐钛矿TIO2 第一性原理 电子结构 光学性质 光催化 受主能级
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Ag-X(X=F,Cl,Br,I)共掺杂锐钛矿TiO2的可见光吸收 被引量:3
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作者 董明慧 苑光明 +2 位作者 王学文 唐顺磊 白志明 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第1期29-35,共7页
TiO2是一种常见的光触媒,但由于带隙较宽制约了其应用。采用第一性原理研究了Ag-X(X=F,Cl,Br,I)共掺杂对锐钛矿TiO2的结合能、态密度、吸收系数和带边位置的影响。研究结果表明:Ag-X共掺杂锐钛矿TiO2的结合能分别为-6.43、-5.54、-4.36... TiO2是一种常见的光触媒,但由于带隙较宽制约了其应用。采用第一性原理研究了Ag-X(X=F,Cl,Br,I)共掺杂对锐钛矿TiO2的结合能、态密度、吸收系数和带边位置的影响。研究结果表明:Ag-X共掺杂锐钛矿TiO2的结合能分别为-6.43、-5.54、-4.36和-3.97 eV,因此Ag-X都是稳定结构。Ag-X共掺杂对锐钛矿TiO2的光学性质产生了以下几个方面的影响:首先,锐钛矿TiO2带隙宽度由3.15 eV分别减小到2.85、2.57和2.21 eV,导致吸收系数产生红移;其次,带隙中杂化出新的能级,有利于可见光的吸收;最后,Ag-X共掺杂后的锐钛矿TiO2具有良好的光催化活性。 展开更多
关键词 锐钛矿TIO2 第一性原理 电子结构 光学性质 受主能级 吸收系数 光催化
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Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)掺杂对闪锌矿ZnS可见光吸收的影响研究
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作者 董明慧 王学文 +1 位作者 尹田田 李娜 《可再生能源》 CAS 北大核心 2020年第11期1446-1452,共7页
闪锌矿ZnS是一种常见的光触媒,是催化水制氢原料。闪锌矿ZnS的带隙较宽(3.68 eV),这在一定程度上制约了闪锌矿ZnS对可见光的吸收。为了增加闪锌矿ZnS对可见光的吸收效率,拓宽其工程应用范围,文章基于第一性原理分析了Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn,... 闪锌矿ZnS是一种常见的光触媒,是催化水制氢原料。闪锌矿ZnS的带隙较宽(3.68 eV),这在一定程度上制约了闪锌矿ZnS对可见光的吸收。为了增加闪锌矿ZnS对可见光的吸收效率,拓宽其工程应用范围,文章基于第一性原理分析了Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)掺杂对闪锌矿ZnS的稳定性、光学吸收特性以及催化特性的影响。分析结果表明:Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)掺杂闪锌矿ZnS的结合能分别为-2.33,-2.21,-2.18,-2.06,-1.93 eV,因此,掺杂后的结构比较稳定;Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn)掺杂闪锌矿ZnS后,闪锌矿ZnS的带隙宽度分别由3.68 eV减小至3.12,2.85,2.63,2.32 eV,并且能够在禁带中引入了p-d杂化能级,这有利于可见光的吸收;Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)掺杂闪锌矿ZnS后,闪锌矿ZnS导带边位置分别为-1.03,-0.93,-0.905,-0.865,-0.79 eV,闪锌矿ZnS价带边位置分别为2.29,2.19,1.945,1.765,1.53 eV,上述导、价带边位置均满足光水解制氢条件。 展开更多
关键词 硫化锌 结合能 电子结构 吸收系数 受主能级
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Engineering of Energy Levels for Fully Conjugated D-A Block Copolymers via Tuning the Ratios of Donor P3HT and Acceptor PNDIT
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作者 Shifan Wang Yan Guo +2 位作者 Jie Yang Youtian Tao Wei Huang 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2015年第8期865-872,共8页
Fully conjugated donor-acceptor (D-A) block copolymers, P3HT-b-PNDIT, containing p-type poly(3-hexylthio- phene) (P3HT) and n-type poly(naphthalene bismide) (PNDIT) segments are synthesized in a one-pot reac... Fully conjugated donor-acceptor (D-A) block copolymers, P3HT-b-PNDIT, containing p-type poly(3-hexylthio- phene) (P3HT) and n-type poly(naphthalene bismide) (PNDIT) segments are synthesized in a one-pot reaction via Stille coupling polycondensation. Various D-A block copolymers with low polydispersities (1.42--1.56) are ob- tained through further separation via preparative GPC. The structural and molecular features of block copolymers are verified by 1H NMR, FTIR spectra, UV-Vis absorption, differential scanning calorimetry (DSC) and cyclic voltammetry (CV). It is found that optical and electrochemical properties of D-A block copolymers are strongly de- pendent on the combination ratio of the donor P3HT and acceptor PNDIT segment. By reducing the acceptor block lengths, the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy levels of D-A block copolymers sequentially rise, leading to the sequential decrease of energy gaps. To the best of our knowledge, this is the first report on engineer- ing the energy levels of fully conjugated D-A block copolymers by tuning donor and acceptor chain lengths. More- over, compared to D/A polymer blends, the all-conjugated D-A block copolymer films show significant fine struc- tures and much smoother film morphologies. 展开更多
关键词 block copolymers DONOR acceptor energy level
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δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响(英文)
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作者 郑卫民 黄海北 +4 位作者 李素梅 丛伟艳 王爱芳 李斌 宋迎新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1240-1246,共7页
在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱... 在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。 展开更多
关键词 掺杂剂量 δ-掺杂 GaAs/AlAs量子阱 受主的扩散分布
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砷化镓异质外延薄膜的近红外光致发光研究
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作者 姜俊华 梁家昌 +1 位作者 高瑛 赵家龙 《中国民航学院学报》 1995年第3期86-92,共7页
本文通过在硅衬底上用MOCVD方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光,研究了在液氮温度下峰值为1.13与1.04eV两个发光带的发光特性。这两个发光带的峰值随激发强度的变化特性表明,这两个发光带均属施主... 本文通过在硅衬底上用MOCVD方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光,研究了在液氮温度下峰值为1.13与1.04eV两个发光带的发光特性。这两个发光带的峰值随激发强度的变化特性表明,这两个发光带均属施主-受主对复合发光。由于发光带中存在着强的电子-声子耦合,所以应在施主-受主对复合发光的能量表示式中计及Franck-Condon位移能,从而获得了施主-受主对复合发光的新的能量表示式。通过对复合发光带峰能随激光强度变化的实验与理论表达式的拟合,确定了峰值为1l.13与1.04eV这两个发光带的施主-受主对的能级结构。 展开更多
关键词 外延薄膜 近红外 光致发光 能级结构 砷化镓
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硅n^+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象
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作者 傅春寅 鲁永令 曾树荣 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第3期284-289,共6页
在研究硅n^+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。
关键词 硅n^+-p结 DLTS 金深受主能级
全文增补中
Fine-tuning HOMO energy levels between PM6 and PBDB-T polymer donors via ternary copolymerization 被引量:1
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作者 Xiaojun Li Ruijie Ma +5 位作者 Tao Liu Yiqun Xiao Gaoda Chai Xinhui Lu He Yan Yongfang Li 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第9期1256-1261,共6页
To achieve high-efficiency polymer solar cells(PSCs),it is not only important to develop high-performance small molecule acceptors(SMAs)but also to find a matching polymer donor to achieve optimal morphology and match... To achieve high-efficiency polymer solar cells(PSCs),it is not only important to develop high-performance small molecule acceptors(SMAs)but also to find a matching polymer donor to achieve optimal morphology and matching electronic properties.Currently,state-of-the-art SMAs mostly rely on a donor polymer named PM6.However,as the family of SMAs continues to expend,PM6 may not be the perfect polymer donor due to the requirement of energy level matching.In this work,we tune the energy level of PM6 via the strategy of ternary copolymerization.We achieve two donor polymers(named PL-1 and PL-2)with upshifted HOMO(the highest occupied molecular orbital)energy level(compared with PM6),and can thus match with the SMAs with upshifted HOMO energy levels compared with Y6.These two copolymers exhibit slightly higher order of molecular packing and similar charge transport properties,which demonstrate that the method of ternary copolymerization can fine tune the HOMO level of donor polymers,while the morphology and mobility of the blend film remain mostly unaffected.Among them,the best device based on PL-1:Y6 exhibits power conversion efficiencies(PCEs)of 16.37%with lower open circuit voltage(Voc)but higher short circuit current voltage(Jsc)and fill factor(FF)than that of the device based on PM6:Y6.This work provides an effective approach to find polymer matches for the SMAs with upshifted HOMO levels. 展开更多
关键词 polymer solar cells polymer donors random ternary copolymers tuning energy levels higher HOMO level acceptors
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