a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件，为了得到最佳的特性，除了改进用于制造a Si TFT的材料外，a Si TFT的几何结构达到最佳化是非常重要的。显然，a-Si TFT激活层的厚度效应应当被考虑。在本文中，在两个方面研究了a-Si TFT激...a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件，为了得到最佳的特性，除了改进用于制造a Si TFT的材料外，a Si TFT的几何结构达到最佳化是非常重要的。显然，a-Si TFT激活层的厚度效应应当被考虑。在本文中，在两个方面研究了a-Si TFT激活层的厚度效应，即弱场情况和常带宽状态或是费米能级移动密度减小方向的情况。详尽的讨论表明a-Si TFT的关态电流，开态电流以阈值电压等特性不仅与材料特性相关，而且与a-Si TFT结构设计紧密相关。展开更多
文摘a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件，为了得到最佳的特性，除了改进用于制造a Si TFT的材料外，a Si TFT的几何结构达到最佳化是非常重要的。显然，a-Si TFT激活层的厚度效应应当被考虑。在本文中，在两个方面研究了a-Si TFT激活层的厚度效应，即弱场情况和常带宽状态或是费米能级移动密度减小方向的情况。详尽的讨论表明a-Si TFT的关态电流，开态电流以阈值电压等特性不仅与材料特性相关，而且与a-Si TFT结构设计紧密相关。
