期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究
1
作者
王印月
张仿清
陈光华
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第10期1661-1664,共4页
本文通过电导率σ(T)和异质结电容-电压关系(C-V)的测量,研究了反应溅射制备的a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷。
关键词
反应溅射
a-sige
:
h
薄膜
热缺陷
原文传递
题名
反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究
1
作者
王印月
张仿清
陈光华
机构
兰州大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第10期1661-1664,共4页
文摘
本文通过电导率σ(T)和异质结电容-电压关系(C-V)的测量,研究了反应溅射制备的a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷。
关键词
反应溅射
a-sige
:
h
薄膜
热缺陷
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究
王印月
张仿清
陈光华
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
