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a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索
1
作者 薛俊明 孙钟林 +1 位作者 刘志钢 周伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期135-138,共4页
本文提出在宽带隙的a SiCx∶H或 β SiC中共掺铒和氧以实现铒的 1 5 4μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了 β SiC中Er缺陷的电子结构 ,并在实验上实现了Er在a SiCx∶H中的 1 5 4μm光致发光(77K) .结果表明 ,β SiC或a Si... 本文提出在宽带隙的a SiCx∶H或 β SiC中共掺铒和氧以实现铒的 1 5 4μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了 β SiC中Er缺陷的电子结构 ,并在实验上实现了Er在a SiCx∶H中的 1 5 4μm光致发光(77K) .结果表明 ,β SiC或a SiCx :H有可能是实现Er的 1 5 展开更多
关键词 硅基合金 a-sicx:h Β-SIC Er缺陷结构 发光
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a-SiC_x:Hp-i结的电致发光
2
作者 岳瑞峰 姚永昭 刘理天 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期259-262,共4页
在以ITO薄膜为正极的透明导电玻璃上,利用PECVD方法进行B掺杂制备出具有p-i结的a-SiCx:H薄膜,然后在其上溅Al作为负电极形成“三明治”器件结构,并对它的I-V特性和发光特性进行了研究。结果表明,器件具有整流效应,正反向电压分别为8 V和... 在以ITO薄膜为正极的透明导电玻璃上,利用PECVD方法进行B掺杂制备出具有p-i结的a-SiCx:H薄膜,然后在其上溅Al作为负电极形成“三明治”器件结构,并对它的I-V特性和发光特性进行了研究。结果表明,器件具有整流效应,正反向电压分别为8 V和12 V;在正向电压高于8 V时,观测到了电致发光。最后,根据我们提出的能带模型很好地解释了实验结果。 展开更多
关键词 a-sicx:h薄膜 p-i结 PECVD 电致发光
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a-SiC_x:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光 被引量：3
3
作者 王莉 赵艳娥 +2 位作者 赵福利 陈弟虎 吴明娒 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期696-700,共5页
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx∶H(a SiCx∶H)和非晶Si∶H(a Si∶H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a SiCx∶H/nc Si∶H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截... 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx∶H(a SiCx∶H)和非晶Si∶H(a Si∶H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a SiCx∶H/nc Si∶H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a SiCx∶H/nc Si∶H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明:随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象;当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a SiCx∶H/nc Si∶H多层薄膜的发光特性和发光机理。 展开更多
关键词 a-sicx:h/Si:h多层薄膜 等离子体增强化学气相沉积 热退火
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