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Zn,Cr∶LiNbO_3单晶的坩埚下降法生长及其荧光光谱 被引量:3
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作者 夏海平 王金浩 +2 位作者 章践立 张约品 张新民 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1237-1240,共4页
通过选择合适的化学原料(Li2O∶48.6mol%,Nb2O5∶51.4mol%)、控制生长速度(<3mm/h)及固液界面的温度梯度(20~40℃/cm)与温场,用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr双掺杂初始浓度分别为3mol%、0.1mol%,以及6mol%、0.1mol%的大尺寸铌酸... 通过选择合适的化学原料(Li2O∶48.6mol%,Nb2O5∶51.4mol%)、控制生长速度(<3mm/h)及固液界面的温度梯度(20~40℃/cm)与温场,用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr双掺杂初始浓度分别为3mol%、0.1mol%,以及6mol%、0.1mol%的大尺寸铌酸锂晶体.生长的晶体无宏观缺陷,在HeNe激光的照射下,无散射中心.测定了晶体的宽带荧光光谱(700~1200nm)及R带(710~740nm)的精细变温光谱.这些R带的光谱线由Cr离子所取代的Li(Cr3+Li)与Nb(Cr3+Nb)的发光中心以及声子辅助吸收所致. 展开更多
关键词 铬双掺杂铌酸锂晶体 坩埚下降法 光谱
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