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液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究(英文) 被引量:1
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作者 沈大可 韩高荣 +2 位作者 杜丕一 ZHANG X.X. SOU I.K. 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第4期335-340,共6页
用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性。通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜。室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可... 用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性。通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜。室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103。薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω·cm的暗电阻率。频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求。 展开更多
关键词 分子束外延 znsse薄膜 光电特性 液晶光阀
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简单N2气掺杂MBE法生长P型导电ZnSe和ZnSSe
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作者 青春 《电子材料快报》 1995年第12期13-13,共1页
关键词 半导体 掺杂 N2 MEB法 ZNSE znsse
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ZnSSe双光子吸收光电二极管的自相关器 被引量:1
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作者 孙涛 黄锦圣 +3 位作者 张伟力 柴路 王清月 苏荫强 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期255-256,共2页
报道一种ZnSSe双光子吸收光电二极管的新型飞秒自相关器 ,其工作波长覆盖 40 0~ 80 0nm的极宽光谱范围。用对紫外波长更为敏感的ZnMgS双光子吸收光电二极管 ,可延伸自相关器的工作波长至短于 40 0nm的紫外波段。
关键词 znsse 光电二极管 自相关器 双光子吸收 飞秒激光脉冲 锌硫硒化合物
原文传递
Composition and Band Gap Controlled AACVD of ZnSe and ZnS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>Thin Films Using Novel Single Source Precursors
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作者 Yousef Alghamdi 《Materials Sciences and Applications》 2017年第10期726-737,共12页
Polycrystalline thin films of ZnSe and ZnSxSe1-x have been deposited on glass substrates by Aerosol Assisted Chemical Vapour Deposition (AACVD) from bis(diethyldiselenocarbamato)zinc(II) and a 1:1 and 1:0.75 mixtures ... Polycrystalline thin films of ZnSe and ZnSxSe1-x have been deposited on glass substrates by Aerosol Assisted Chemical Vapour Deposition (AACVD) from bis(diethyldiselenocarbamato)zinc(II) and a 1:1 and 1:0.75 mixtures of bis(diethyldiselenocarbamato)zinc(II) and bis(diethyldithiocarbamato)zinc(II) as precursors. All films were characterized by p-XRD, SEM, EDX, Raman spectroscopy, photoluminescence (PL and UV/Vis spectroscopy. The band gap of pure ZnSe thin films was found to be 2.25 whereas the band gap of ZnSxSe1-x films varied from 2.55 to 2.66 eV depending on the sulfur content in the films. PL emission spectra showed a clear blue shift for ZnSxSe1-x films compared to ZnSe due to the sulphur content in the films which increase the band gap. The band gap of ZnSSe can be controlled by sulfur to selenium ratio in the alloy. The morphology of the ZnSe thin films changed from small randomly shaped crystallites to triangles whereas the morphology of ZnSxSe1-x was mainly based on cuboids. 展开更多
关键词 Bis(diethyldiselenocarbamato)zinc(II) ZNSE znsse AACVD SEM
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