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电子束法沉积ZnIn2Se4薄膜的性质研究
1
作者 张瑞峰 李兴林 《薄膜科学与技术》 1993年第2期93-97,共5页
关键词 znin2se4 电子束 沉积 薄膜 性能
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电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征
2
作者 张瑞峰 于亚莉 +1 位作者 孙玉茹 李文范 《真空科学与技术》 CSCD 1992年第1期32-36,共5页
研究了电子束法沉积ZnIn_2Se_4薄膜的工艺条件,所得致密、均匀膜的导电类型可以通过不同气氛处理得到控制。该膜的最佳参数为:电阻率ρ为2.35×10^(-1)Ω·cm,Hall迁移率μ_H为106cm^2·V^(-1)·S^(-1),载流子浓度N是1.... 研究了电子束法沉积ZnIn_2Se_4薄膜的工艺条件,所得致密、均匀膜的导电类型可以通过不同气氛处理得到控制。该膜的最佳参数为:电阻率ρ为2.35×10^(-1)Ω·cm,Hall迁移率μ_H为106cm^2·V^(-1)·S^(-1),载流子浓度N是1.51×10^(17)cm^(-3),禁带宽度E_(?)为2.23eV。采用XPS技术研究了膜的组成、结构、价态。 展开更多
关键词 薄膜 电子束沉积 结构 znin2se4
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