ZnGa_2O_4∶Cr^(3+)红色荧光粉的光致及电致发光性能 被引量：7

1

作者 乔彬 唐子龙 +1 位作者 张中太 陈雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1291-1295,共5页

采用柠檬酸络合溶胶-凝胶法合成ZnGa2O4∶Cr3+红色荧光粉,在空气气氛中1000℃煅烧得到ZnGa2O4单相.对粉体进行X射线光电子能谱(XPS)和电子顺磁共振(EPR)测试,结果显示,在空气气氛中煅烧,铬离子以三价形式存在(Cr3+),未出现高价铬离子(Cr... 采用柠檬酸络合溶胶-凝胶法合成ZnGa2O4∶Cr3+红色荧光粉,在空气气氛中1000℃煅烧得到ZnGa2O4单相.对粉体进行X射线光电子能谱(XPS)和电子顺磁共振(EPR)测试,结果显示,在空气气氛中煅烧,铬离子以三价形式存在(Cr3+),未出现高价铬离子(Cr5+,Cr6+).Cr3+取代Ga3+占据八面体格位,位于695nm的红光发射带属于Cr3+的2E-4A2跃迁.Cr3+的激发带与基质发射带间有大面积重叠,两者间存在有效的能量传递.利用丝网印刷方法制成电致发光器件,与硫化物电致发光器件相似,ZnGa2O4∶Cr3+电致发光器件的亮度与电压满足L=L0exp(-bV-1/2)关系,且亮度与频率成正比.器件的Q-V曲线为闭合回路,发光效率η约为13lm·W-1. 展开更多

关键词 znga2O4:Cr^3+ 柠檬酸溶胶-凝胶法 光致发光 电致发光

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ZnGa_2O_4纳米晶的制备和结构表征 被引量：2

2

作者 焦正 刘锦淮 +1 位作者 边历峰 钱逸泰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期671-672,共2页

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2 O4纳米晶。XRD、SEM和TEM结构分析结果表明 ,喷射共沉淀法制备的Zn Ga2 O4纳米晶颗粒细小均匀 ,形状完整。与化学共沉淀法相比 ,粒子尺寸明显减小 ,小于 10nm ,同时ZnO杂相峰消失。分析了喷射共沉淀法的机... 采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2 O4纳米晶。XRD、SEM和TEM结构分析结果表明 ,喷射共沉淀法制备的Zn Ga2 O4纳米晶颗粒细小均匀 ,形状完整。与化学共沉淀法相比 ,粒子尺寸明显减小 ,小于 10nm ,同时ZnO杂相峰消失。分析了喷射共沉淀法的机理 ,并对实验结果进行了解释。 展开更多

关键词 znga2O4 纳米晶 制备 结构表征 化学共沉淀

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ZnGa2O4长余辉发光特性的研究 被引量：2

3

作者 黄尚永 张希清 +1 位作者 黄海琴 姚志刚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2777-2780,共4页

以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 n... 以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga3+替代了部分Zn2+后相对变形八面体中Ga3+的2EA→4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0*后变形八面体中氧空位向其周围的O2-的V0*→O2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因:温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn2+空位,从而多余的的Ga3+出现在这些空位上,其2EA到4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。 展开更多

关键词 znga2O4 长余辉 原料配比 烧结温度 发光特性

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柠檬酸溶胶-凝胶法合成ZnGa_2O_4:Mn^(2+)纳米粉末的结构和发光性能研究 被引量：2

4

作者 史强 张俊英 +3 位作者 杨春 薛道齐 王锡铭 王天民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期492-494,498,共4页

采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4∶Mn2+粉末。利用XRD、SEM、IR、EPR和PL光谱手段,表征了样品的结构、形貌和发光性能。结果表明,柠檬酸溶胶-凝胶法制备的ZnGa2O4∶Mn2+颗粒均匀,在650℃热处理7h即可得到结晶性好、粒径约为50nm的粉... 采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4∶Mn2+粉末。利用XRD、SEM、IR、EPR和PL光谱手段,表征了样品的结构、形貌和发光性能。结果表明,柠檬酸溶胶-凝胶法制备的ZnGa2O4∶Mn2+颗粒均匀,在650℃热处理7h即可得到结晶性好、粒径约为50nm的粉末;掺杂的锰是+2价的,不仅存在于四面体间隙中,也存在于八面体间隙中;当Mn2+的掺杂浓度为0.3%(原子分数),退火温度为800℃时,样品的绿色发光强度最大。 展开更多

关键词 柠檬酸溶胶-凝胶法 znga2O4∶Mn^2+ 发光性能

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pH值对水热法制备ZnGa_2O_4粉体的影响 被引量：2

5

作者 李朝建 黄可龙 +2 位作者 全玉 张学英 赵学辉 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期456-460,共5页

采用水热法制备了ZnGa2O4纳米粉体，使用XRD、SEM、TEM及AFM对不同pH值条件下产物的结构及微观形貌进行了表征。结果表明pH值调节严重影响ZnGa2O4的晶相及粒度：当pH≥7．5时，可得到纯相的ZnGa2O4纳米粉体；随着pH的增加，晶胞参数增... 采用水热法制备了ZnGa2O4纳米粉体，使用XRD、SEM、TEM及AFM对不同pH值条件下产物的结构及微观形貌进行了表征。结果表明pH值调节严重影响ZnGa2O4的晶相及粒度：当pH≥7．5时，可得到纯相的ZnGa2O4纳米粉体；随着pH的增加，晶胞参数增加，所得样品的平均粒径不断减小，其粒径范围为6～11nm，发射峰位置在450nm左右。所得样品的晶型很完整，GaO（OH）为细长棒状，ZnGa2O4晶粒为四方形和圆形。 展开更多

关键词 PH值 znga2O4 水热合成 纳米

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ZnGa_2O_4的制备及其光学性能 被引量：5

6

作者 刘素琴 李朝建 +2 位作者 黄可龙 张学英 全玉 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期300-303,共4页

　以GaO(OH)和ZnO为原料,采用高温固相法合成了ZnGa2O4荧光粉。对样品进行了XRD及发射光谱表征。当n(Ga)∶n(Zn) =2∶1 .2时,制得的ZnGa2O4为纯相;n(Ga)∶n(Zn) =2∶0. 9时合成的ZnGa2O4的发光性能最好,以GaO(OH)和ZnO为原料制备的ZnGa2... 　以GaO(OH)和ZnO为原料,采用高温固相法合成了ZnGa2O4荧光粉。对样品进行了XRD及发射光谱表征。当n(Ga)∶n(Zn) =2∶1 .2时,制得的ZnGa2O4为纯相;n(Ga)∶n(Zn) =2∶0. 9时合成的ZnGa2O4的发光性能最好,以GaO(OH)和ZnO为原料制备的ZnGa2O4,其发光强度是以α- Ga2O3或β- Ga2O3为原料制备的ZnGa2O4的发光强度的 2倍。 展开更多

关键词 znga2O4荧光 固相法

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尖晶石型ZnGa_2O_4纳米晶的制备及光催化性能 被引量：3

7

作者 薛珲 朱兰瑾 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第23期22-26,共5页

采用共沉淀法合成了尖晶石型ZnGa2O4纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、氮吸附、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、电子自旋共振谱(ESR)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行了详细的表征。共沉淀法合成的Zn-Ga2O4纳米晶紫外光下降解水... 采用共沉淀法合成了尖晶石型ZnGa2O4纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、氮吸附、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、电子自旋共振谱(ESR)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行了详细的表征。共沉淀法合成的Zn-Ga2O4纳米晶紫外光下降解水杨酸的活性明显高于高温固相法合成的ZnGa2O4。对不同方法合成的ZnGa2O4活性差异的原因进行了探讨,提出了ZnGa2O4降解水杨酸的反应机理。 展开更多

关键词 尖晶石 znga2O4纳米晶 共沉淀 光催化

原文传递

ZnGa_2O_4:Eu^(3+)红色荧光粉的光致及电致发光性能 被引量：2

8

作者 史强 王长征 +1 位作者 王利 张俊英 《聊城大学学报（自然科学版）》 2010年第1期20-23,共4页

采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4:Eu3+红色荧光粉,利用XRD、SEM、PL和EL光谱手段,表征了样品的结构、形貌和发光性能.结果表明:Eu3+的掺杂浓度是6at%,在空气气氛中800℃热处理5h即可获得结晶性好的ZnGa2O4单相;SEM结果表明粉末样品... 采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4:Eu3+红色荧光粉,利用XRD、SEM、PL和EL光谱手段,表征了样品的结构、形貌和发光性能.结果表明:Eu3+的掺杂浓度是6at%,在空气气氛中800℃热处理5h即可获得结晶性好的ZnGa2O4单相;SEM结果表明粉末样品颗粒形状不规则,粒径大小在30～50nm之间;PL和EL光谱图显示两者发光机制的本质相同,最强峰位于613nm处,属于红光发射,是5D0→7F2电偶极跃迁发射所致. 展开更多

关键词 znga2O4:Eu3+ 光致发光 电致发光

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ZnGa_2O_4∶Mn^(2+)粉末的电致发光性能

9

作者 史强 张俊英 +1 位作者 王长征 王利 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期942-945,共4页

采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4∶Mn2+粉末,利用丝网印刷技术制得交流粉末电致发光器件,并对其电致发光性能进行了测定和分析。结果表明:器件所发出的绿光(504nm)是Mn2+的3d5电子构型内4T1→6A1跃迁所致;启亮电压为100V左右;发光... 采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4∶Mn2+粉末,利用丝网印刷技术制得交流粉末电致发光器件,并对其电致发光性能进行了测定和分析。结果表明:器件所发出的绿光(504nm)是Mn2+的3d5电子构型内4T1→6A1跃迁所致;启亮电压为100V左右;发光亮度与所加驱动电压满足B=Boexp(-bV-1/2)关系,这与传统电致发光器件类似,且在3000Hz以内发光亮度与频率成正比。讨论了ZnGa2O4∶Mn2+粉末的光致发光(PL)和电致发光(EL)的机理。 展开更多

关键词 znga2O4∶Mn2+ 电致发光 丝网印刷

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微波溶剂热法制备ZnGa_2O_4及其在光催化氧化除As(Ⅲ)中的应用

10

作者 田勤奋 谢伟臻 +2 位作者 曹圳 刘美珍 庄建东 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期116-120,122,共6页

通过微波溶剂热法合成宽禁带ZnGa_2O_4纳米光催化剂,并利用X射线衍射仪(XRD)、氮气吸脱附仪、紫外-可见漫反射仪(UV-Vis DRS)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、电子顺磁共振谱仪(ESR)等技术系统表征了不同制备条件对样品物相和... 通过微波溶剂热法合成宽禁带ZnGa_2O_4纳米光催化剂,并利用X射线衍射仪(XRD)、氮气吸脱附仪、紫外-可见漫反射仪(UV-Vis DRS)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、电子顺磁共振谱仪(ESR)等技术系统表征了不同制备条件对样品物相和微观形貌、比表面积和孔结构、光吸收性能和光催化活性物种等结构和性质的影响。同时,比较了TiO_2和ZnGa_2O_4纳米颗粒在光催化氧化As(Ⅲ)中的性能差异。结果表明,在紫外光照射下,微波溶剂热法制备的ZnGa_2O_4纳米颗粒具有良好的As(Ⅲ)的光催化氧化能力(40 min可达99.1%),相比于TiO_2光催化剂(84.5%)有很大提高。此外,通过对ZnGa_2O_4纳米光催化剂氧化去除As(Ⅲ)光催化机理的初步探索发现,超氧自由基(O2·-)和空穴(h+vb)是此过程中起主要作用的中间反应活性物种。 展开更多

关键词 znga2O4 微波溶剂热法 光催化 As(Ⅲ)氧化

原文传递

ZnGa_2O_4纳米晶的自蔓延燃烧合成及其液相光催化性能　　

11

作者 薛珲 朱兰瑾 《漳州师范学院学报（自然科学版）》 2010年第4期100-103,共4页

以硝酸锌和硝酸镓为前驱物,以氨基乙酸为燃料,采用自蔓延燃烧法成功地合成出ZnGa2O4纳米晶.利用X射线衍射(XRD)、氮吸附、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HTEM)表征了ZnGa2O4纳米晶的晶相结构、比表面积、表面形貌和晶粒大小... 以硝酸锌和硝酸镓为前驱物,以氨基乙酸为燃料,采用自蔓延燃烧法成功地合成出ZnGa2O4纳米晶.利用X射线衍射(XRD)、氮吸附、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HTEM)表征了ZnGa2O4纳米晶的晶相结构、比表面积、表面形貌和晶粒大小.考察了其在紫外光下对液相中甲基橙(MO)的光催化降解性能.结果表明:自蔓延燃烧法合成的ZnGa2O4是具有大孔结构的纳米材料,颗粒小和比表面积大,具有良好的光催化降解MO的性能;通过调控硝酸根离子与氨基乙酸的摩尔比,可实现对ZnGa2O4的晶粒大小及比表面积的调控. 展开更多

关键词 znga2O4纳米晶 自蔓延燃烧 光催化

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尖晶石型ZnGa_2O_4光学性质的第一性原理计算

12

作者 琚行松 张智慧 《唐山师范学院学报》 2012年第5期16-20,共5页

首先采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法(包括PBE、PBESOL、PW91、RPBE、WC)对尖晶石型ZnGa2O4的结构进行了优化,得到和实验值最接近晶格常数a0=0.837 8 nm;然后在结构优化的基础上采用GGA-WC计算ZnGa2O4的... 首先采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法(包括PBE、PBESOL、PW91、RPBE、WC)对尖晶石型ZnGa2O4的结构进行了优化,得到和实验值最接近晶格常数a0=0.837 8 nm;然后在结构优化的基础上采用GGA-WC计算ZnGa2O4的电子结构和光学性质。结果表明,ZnGa2O4为间接带隙复合氧化物,带隙宽为2.335 eV;ZnGa2O4的静态介电常数为3.45,静态折射率为1.85,介电函数吸收边位于4.0 eV附近;ZnGa2O4的反射系数在19.3 eV附近取得最大值,吸收系数在11.0 eV^17.5eV间取值均较大,电子能量损失谱的共振峰在20.5 eV处,并与此能量时反射系数R(ω)的陡降相对应。 展开更多

关键词 znga2O4 第一性原理 能带结构 态密度 光学性质

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近红外长余辉纳米探针ZnGa2O4∶Cr^3+,Sn^4+的制备及Fe^3+含量的时间分辨检测 被引量：4

13

作者 林静 邵康 +4 位作者 王锴 张聪 滕渊洁 潘再法 佘远斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期734-743,共10页

鉴于长余辉材料免实时激发特性可有效消除激发光源及复杂样品自体荧光的干扰,近红外长余辉材料在生物成像领域受到了广泛关注。但其在荧光传感应用方面的报道相对较少,尤其是利用长余辉纳米粒子来检测金属阳离子鲜有报道。本文采用水热... 鉴于长余辉材料免实时激发特性可有效消除激发光源及复杂样品自体荧光的干扰,近红外长余辉材料在生物成像领域受到了广泛关注。但其在荧光传感应用方面的报道相对较少,尤其是利用长余辉纳米粒子来检测金属阳离子鲜有报道。本文采用水热法制备了Sn4+共掺的近红外长余辉纳米材料ZnGa2O4∶Cr3+,Sn4+(ZGSC),再以包硅处理得到在水溶液中分散性良好的荧光探针ZnGa2O4∶Cr3+,Sn4+@SiO2(ZGSC@SiO2)。基于Fe3+对长余辉材料ZGSC@SiO2的荧光猝灭效应,构建了一种选择性好、无背景干扰的近红外长余辉荧光探针ZGSC@SiO2,用于Fe3+的定量检测。采用时间分辨光谱可有效地消除背景干扰,实现了高信噪比检测,其线性范围为50~800μmol/L,检出限为25.12μmol/L。选取了3种补铁口服液作为实际样品,对其总铁含量以及Fe3+的含量进行检测,并进行了加标实验。实验结果表明,测定结果中总铁含量与标示值吻合;3种样品中总铁含量的加标回收率为99.00%~99.79%,相对标准偏差(RSD)为2.416%~3.808%;Fe3+含量的加标回收率为99.90%~102.69%,RSD为3.263%~4.296%,满足测定要求。根据样品中总铁含量和Fe3+含量,可计算得出Fe2+含量,因此该荧光传感体系具有可同时检测Fe3+与Fe2+的优点,可以用于补铁口服液中有效价态Fe2+的质量控制检测。 展开更多

关键词 近红外长余辉材料 znga2O4∶Cr^3+ Sn^4+ 铁离子 时间分辨光谱

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八面体结构ZnGa_2O_4微晶的制备及其光催化性能 被引量：2

14

作者 刘亮亮 曹丽云 +3 位作者 黄剑锋 张晓薇 吴建鹏 王开通 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第10期2091-2096,共6页

以乙酸锌和氧化镓为反应原料,以乙二胺四乙酸(EDTA)为配位剂,采用溶胶-凝胶法制备了八面体结构的ZnGa2O4微晶。通过TG-DSC,XRD、SEM等分析方法对ZnGa2O4微晶进行了测试和表征。研究了其物相组成、显微结构、形成机理及光催化性能。结果... 以乙酸锌和氧化镓为反应原料,以乙二胺四乙酸(EDTA)为配位剂,采用溶胶-凝胶法制备了八面体结构的ZnGa2O4微晶。通过TG-DSC,XRD、SEM等分析方法对ZnGa2O4微晶进行了测试和表征。研究了其物相组成、显微结构、形成机理及光催化性能。结果表明,在700℃、4～6 h时可以成功制备出八面体结构的ZnGa2O4单晶,其暴露的晶面族{111};八面体结构ZnGa2O4的合成是一个受ZnO的产生速率所控制的过程;光催化降解罗丹明B的实验表明,八面体结构ZnGa2O4微晶有着较好的光催化性能。 展开更多

关键词 znga2O4单晶 EDTA配位溶胶-凝胶法 光催化 降解速率常数

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立方纳米结构ZnGa_2O_4的制备及光催化性质 被引量：1

15

作者 姜雁博 矫淑杰 +2 位作者 高世勇 王东博 王金忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期602-609,共8页

首先采用水热法在FTO衬底上制备出α-GaOOH纳米柱阵列,再以α-GaOOH纳米柱/FTO结构作为前驱体进行水热反应,经溶解再结晶过程,α-GaOOH纳米柱可转变为边长约为500 nm的ZnGa_2O_4纳米立方块。在模拟太阳光源辐照下的一系列光催化实验结... 首先采用水热法在FTO衬底上制备出α-GaOOH纳米柱阵列,再以α-GaOOH纳米柱/FTO结构作为前驱体进行水热反应,经溶解再结晶过程,α-GaOOH纳米柱可转变为边长约为500 nm的ZnGa_2O_4纳米立方块。在模拟太阳光源辐照下的一系列光催化实验结果表明:样品对亚甲基蓝具有较强的吸附作用和较高的光催化活性,对罗丹明B、刚果红的吸附能力和光催化作用都很弱,对甲基橙只有较弱的光催化作用;H_2O_2可以作为电子捕捉剂和供氧剂,促进样品的导带电子参与活性自由基的形成,使样品对染料表现出持续较高的光催化活性。 展开更多

关键词 α-GaOOH纳米柱 znga2O4纳米立方块 水热法 光催化

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煅烧温度对络合溶胶-凝胶法制备ZnGa_2O_4微晶形貌及光催化性能的影响 被引量：1

16

作者 刘亮亮 黄剑锋 +2 位作者 曹丽云 吴建鹏 张晓薇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期354-358,共5页

采用EDTA络合溶胶-凝胶法制备了尖晶石结构的ZnGa2O4微晶。通过XRD、SEM等分析方法对ZnGa2O4微晶进行了测试和表征。研究了不同煅烧温度对其物相组成、显微结构及光催化性能的影响。结果表明,以乙酸锌和氧化镓为反应原料,以乙二胺四乙... 采用EDTA络合溶胶-凝胶法制备了尖晶石结构的ZnGa2O4微晶。通过XRD、SEM等分析方法对ZnGa2O4微晶进行了测试和表征。研究了不同煅烧温度对其物相组成、显微结构及光催化性能的影响。结果表明,以乙酸锌和氧化镓为反应原料,以乙二胺四乙酸为络合剂,在650～800℃能合成单一物相的ZnGa2O4微晶。在700℃时可以成功制备八面体形的ZnGa2O4微晶,在800℃时可以合成棒状的ZnGa2O4微晶;随着温度从650～800℃逐渐升高,其对罗丹明B的光催化降解性能逐渐提高。 展开更多

关键词 znga2O4微晶 溶胶-凝胶法 降解速率常数 光催化

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ZnGa_2O_4:Cr^(3+)近红外长余辉荧光粉制备与光学性能研究 被引量：1

17

作者 刘海波 罗莉 +1 位作者 王银海 黄保裕 《广东工业大学学报》 CAS 2016年第1期83-88,共6页

采用高温固相法制备了ZnGa_2O_4:Cr^(3+)近红外(660-1300 nm)长余辉荧光粉,并系统地研究了样品的荧光、长余辉、光激励发光及热释光性能.样品的余辉激发谱测试结果显示,ZnGa_2O_4:Cr^(3+)长余辉材料的余辉主要源自O^(2-)-Ga^(3+)之间的... 采用高温固相法制备了ZnGa_2O_4:Cr^(3+)近红外(660-1300 nm)长余辉荧光粉,并系统地研究了样品的荧光、长余辉、光激励发光及热释光性能.样品的余辉激发谱测试结果显示,ZnGa_2O_4:Cr^(3+)长余辉材料的余辉主要源自O^(2-)-Ga^(3+)之间的电荷迁移跃迁激发,而非Cr^(3+)离子的本征跃迁激发.光激励发光性能的研究表明,ZnGa_2O_4:Cr^(3+)在紫外光激发的余辉完全衰减后可以被近红外光再次激发出明亮的余辉,这说明ZnGa_2O_4:Cr^(3+)在紫外光信息写入后可以用红外光进行信息读出.根据实验测试结果采用导带电子复合发光模型对样品的发光机理进行了详细的阐述. 展开更多

关键词 znga2O4:Cr^3+ 长余辉 光激励发光

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溶胶-凝胶法合成ZnGa2O4∶Eu及其光学性能

18

作者 刘晴 邓佳闽 李友芬 《北京化工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期38-41,共4页

以柠檬酸为络合剂,通过溶胶-凝胶法合成了铕为激活剂的ZnGa2O4∶Eu荧光粉。讨论了煅烧温度、保温时间和激活剂的浓度对该荧光粉发光性能的影响。利用X-射线衍射、荧光分光光度计等手段对ZnGa2O4∶Eu荧光粉的相组成和发光性能进行了检测... 以柠檬酸为络合剂,通过溶胶-凝胶法合成了铕为激活剂的ZnGa2O4∶Eu荧光粉。讨论了煅烧温度、保温时间和激活剂的浓度对该荧光粉发光性能的影响。利用X-射线衍射、荧光分光光度计等手段对ZnGa2O4∶Eu荧光粉的相组成和发光性能进行了检测。实验结果表明,以Zn(CH3COO)2.2H2O和Ga2O3为原料,通过溶胶-凝胶法,在950～1000℃煅烧4h可合成出ZnGa2O4荧光体。当n(Zn)∶n(Ga)为1∶4时,所得成品的最强发射峰位于613nm处,为Eu3+特征5D0→7F2跃迁,其对应于红色光谱。Eu3+离子在ZnGa2O4晶体中占据的位置为非反演对称中心。 展开更多

关键词 znga2O4 铕 发光材料 溶胶-凝胶法

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ZnGa_2Se_4:V^(3+)光谱的理论研究

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作者 李东阳 杜懋陆 《西南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2014年第2期261-264,共4页

应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体... 应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂,并与实验值进行比较.计算结果与实验值符合很好.研究发现:在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时,在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的;晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响,因此不能忽略. 展开更多

关键词 V3+ znga2Se4 光谱

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n(Zn)∶n(Ga)比值对合成ZnGa_2O_4结构及光致发光性能的影响 被引量：2

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作者 李春潮 张学英 +1 位作者 吴钢 管督 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期963-966,共4页

以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1... 以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1·ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响。2·ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga—O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga—O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn)∶n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3·ZnGa2O4的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义。 展开更多

关键词 znga204 n(Zn):n(Ga) 晶体结构 光致发光

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