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金属有机骨架衍生ZnSe@rGO纳米复合材料在超级电容器的应用
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作者 周美盼 魏智强 +2 位作者 李羚 丁梅杰 赵继威 《材料工程》 北大核心 2026年第1期241-249,共9页
超级电容器作为一种介于传统电容器与二次电池之间的新型储能装置,具有广阔的应用前景。本工作用Hummers法制备氧化石墨烯(GO),原位生长正十二面体结构的ZIF-8,再用CVD法成功制备纳米复合材料ZnSe@rGO。SEM照片显示,ZnSe@rGO纳米复合材... 超级电容器作为一种介于传统电容器与二次电池之间的新型储能装置,具有广阔的应用前景。本工作用Hummers法制备氧化石墨烯(GO),原位生长正十二面体结构的ZIF-8,再用CVD法成功制备纳米复合材料ZnSe@rGO。SEM照片显示,ZnSe@rGO纳米复合材料为正十二面体结构,ZnSe沿着一层纱似的rGO表面生长,且结晶性能良好。BET测试表明,ZnSe@rGO的比表面积为57.36 m^(2)·g^(-1),相比较ZIF-8@GO具有更大的比表面积。对样品进行电化学性能测试,结果表明,在3 mol·L^(-1) KOH溶液中,ZnSe@rGO纳米复合材料在电流密度为1 A·g^(-1)下的比电容高达971.4 F·g^(-1),说明该材料具有良好的赝电容行为,并且在2 A·g^(-1)的电流密度下,循环5000次后仍具有74.49%的电容保持率以及接近100%的库仑效率,具有良好的循环稳定性。组装成非对称电容器ZnSe@rGO∥AC,电流密度为1.0 A·g^(-1)时,比电容为112.5 F·g^(-1);功率密度为2057.1 W·kg^(-1)时,能量密度为40.0 Wh·kg^(-1),为非对称超级电容器提供了良好的候选材料。 展开更多
关键词 znse 石墨烯 电化学性能 超级电容器 非对称
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钠离子电池负极用立方体ZnSe/SnSe@C复合材料的制备及电化学性能
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作者 雷云平 李爱民 +2 位作者 冯丽 董雅倩 张耀辉 《机械工程材料》 北大核心 2025年第3期61-67,共7页
以氯化锌、四氯化锡和氢氧化钠为原料,聚乙二醇-4000为添加剂,通过室温水热反应制备纳米立方体ZnSn(OH)6前驱体,采用盐酸多巴胺包碳处理和高温硒化工艺制备立方体ZnSe/SnSe@C复合材料,研究了不同氯化锌和四氯化锡物质的量比(1∶1,1∶2,2... 以氯化锌、四氯化锡和氢氧化钠为原料,聚乙二醇-4000为添加剂,通过室温水热反应制备纳米立方体ZnSn(OH)6前驱体,采用盐酸多巴胺包碳处理和高温硒化工艺制备立方体ZnSe/SnSe@C复合材料,研究了不同氯化锌和四氯化锡物质的量比(1∶1,1∶2,2∶1)条件下制备复合材料的微观结构和物相组成,以及作为钠离子电池负极材料的电化学性能。结果表明:当氯化锌与四氯化锡的物质的量比为1∶2和2∶1时,复合材料中存在聚集的纳米颗粒,未发现碳均匀包覆的立方体颗粒,当氯化锌和四氯化锡的物质的量比为1∶1时,立方体形态规则,均匀分散,表面被一层碳均匀包覆;复合材料的物相均为ZnSe和SnSe的复合相,且具有较好的结晶性。当氯化锌和四氯化锡的物质的量比为1∶1时,在100 mA·g^(−1)电流密度下循环40圈后,复合材料的质量比容量仍可维持在410 mA·h·g^(−1),库伦效率约为94.6%,明显高于采用物质的量比为1∶2和2∶1的氯化锌和四氯化锡制备的复合材料,且在1 A·g^(−1)的大电流密度下循环200圈后,其质量比容量依然能够达到330 mA·h·g^(−1),库伦效率接近100%,该复合材料具有优异的循环稳定性。与氯化锌和四氯化锡物质的量比为1∶2和2∶1相比,物质的量比为1∶1的氯化锌和四氯化锡制备的复合材料具有较低的电荷转移阻抗和较快的离子扩散速率,表现出优异的电化学性能。 展开更多
关键词 立方体znse/SnSe@C复合材料 负极材料 钠离子电池 电化学性能
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ZnSe@氮掺杂多孔碳异质结构诱导的高效析氢性能
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作者 张永伟 朱闯 +2 位作者 吴文斌 马永湧 杨恒 《无机化学学报》 北大核心 2025年第4期650-660,共11页
以锌基沸石咪唑酯骨架(Zn-based zeolitic imidazolate framework,Zn-ZIF)为前驱体,通过简单的一步热解策略制备出锌纳米粒子修饰的氮掺杂多孔碳(N-C)催化剂(Zn@N-C),进一步将其负载的Zn纳米粒子通过硒化反应转化为ZnSe纳米颗粒,构建出Z... 以锌基沸石咪唑酯骨架(Zn-based zeolitic imidazolate framework,Zn-ZIF)为前驱体,通过简单的一步热解策略制备出锌纳米粒子修饰的氮掺杂多孔碳(N-C)催化剂(Zn@N-C),进一步将其负载的Zn纳米粒子通过硒化反应转化为ZnSe纳米颗粒,构建出ZnSe@N-C异质结催化剂。采用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)对催化剂的组分、结构和形貌进行了表征,并通过电化学测试系统评估了2种催化剂在析氢反应(hydrogen evolution reaction,HER)中的催化活性和稳定性。结果表明:通过硒化处理,催化剂的形貌由规整的菱形十二面体(Zn@N-C)转变为结构塌陷、褶皱变形的十二面体(ZnSe@N-C),这增加了结构缺陷,从而引入了更多的催化活性位点。同时ZnSe和N-C基底间存在异质界面结构,这促进了电子的传输,提高了催化剂的活性。ZnSe@N-C在碱性HER过程中,在10 mA·cm^(-2)的电流密度下获得了165.8 mV的过电位,优于Zn@N-C(190.8 mV)。此外,ZnSe@N-C在碱性溶液中具有良好的电化学稳定性。 展开更多
关键词 析氢反应 硒化 znse 氮掺杂多孔碳 催化剂
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室温下增益开关Fe:ZnSe中红外激光器的研究
4
作者 陈文轶 张弘 +2 位作者 朱月红 谢永丰 章龚睿健 《激光技术》 北大核心 2025年第6期849-854,共6页
为了构建一种能够在室温条件下工作的紧凑中红外短脉冲激光光源,采用基于LiNbO_(3)晶体的Er:YAG电光调Q激光器作为抽运源抽运Fe:ZnSe晶体的增益开关技术方案,进行了相关仿真分析和实验验证。结果表明,Fe:ZnSe激光器的最大输出能量为1.37... 为了构建一种能够在室温条件下工作的紧凑中红外短脉冲激光光源,采用基于LiNbO_(3)晶体的Er:YAG电光调Q激光器作为抽运源抽运Fe:ZnSe晶体的增益开关技术方案,进行了相关仿真分析和实验验证。结果表明,Fe:ZnSe激光器的最大输出能量为1.37 mJ,斜率效率相对于输入抽运能量达到20.8%;输出激光脉冲在时域上呈现典型的弛豫振荡特性;抽运能量为6.5 mJ时,激光脉冲轮廓宽度为78.2 ns;首脉冲相对于抽运脉冲延迟约94.1 ns,其脉冲宽度最低达到2.2 ns;基于速率方程组理论的仿真分析结果与实验结果基本一致,为优化激光器设计提供了理论支持。本研究成果能够为在室温条件下获取中红外波段高能短脉冲激光提供借鉴思路。 展开更多
关键词 激光器 中红外激光 ER:YAG Fe:znse 增益开关
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Thermoelectric Performance of CuInSe_(2)‑ZnSe Solid Solution
5
作者 Chengwei Sun Wang Li +6 位作者 Chengjun Li Yingchao Wei Wenyuan Ma Xin Li Qinghui Jiang Yubo Luo Junyou Yang 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 2025年第5期823-830,共8页
CuInSe_(2) is an N-type diamond-like semiconductors thermoelectric candidate for power generation at medium temperature with its environmentally friendly and cost-effective properties.However,the intrinsic high therma... CuInSe_(2) is an N-type diamond-like semiconductors thermoelectric candidate for power generation at medium temperature with its environmentally friendly and cost-effective properties.However,the intrinsic high thermal conductivity of CuInSe_(2) limits the enhancement of its thermoelectric performance.Herein,we investigate the thermoelectric performance of N-type CuInSe_(2) materials by incorporating ZnSe through a solid solution strategy.A series of(CuInSe_(2))_(1-x)(ZnSe)_(x)(x=0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)samples were synthesized,forming continuous solid solutions,while introducing minor porosity.ZnSe solid solution effectively reduces the lattice thermal conductivity of the CuInSe_(2) matrix at near-room temperatures,but has a weaker effect at higher temperatures.Due to the intrinsic low carrier concentration of the system,resulting in high resistivity,the maximum figure of merit(ZT)of(CuInSe_(2))0.8(ZnSe)0.2 reaches 0.08 at 773 K.Despite the relatively low ZT,the solid solution strategy proves effective in reducing the lattice thermal conductivity near-room temperature and offers potential for cost-effective thermoelectric materials. 展开更多
关键词 THERMOELECTRIC CuInSe_(2) znse Solid Solution
原文传递
增益开关Fe:ZnSe激光脉冲时间特性实验研究
6
作者 李英一 徐丽伟 +2 位作者 赵万利 刘彤宇 吕志伟 《光电技术应用》 2025年第3期14-18,共5页
分析了增益开关脉冲建立过程,以及泵浦能量和脉宽对输出激光脉冲的影响,设计了重复频率2Hz、波长2.79μm电光调Q Cr,Er:YSGG激光泵浦的室温运转增益开关Fe:ZnSe激光器,获得了其输出激光脉冲随泵浦能量的变化情况。研究发现随着泵浦能量... 分析了增益开关脉冲建立过程,以及泵浦能量和脉宽对输出激光脉冲的影响,设计了重复频率2Hz、波长2.79μm电光调Q Cr,Er:YSGG激光泵浦的室温运转增益开关Fe:ZnSe激光器,获得了其输出激光脉冲随泵浦能量的变化情况。研究发现随着泵浦能量由10.6mJ增加到25.3mJ,Fe:ZnSe激光脉冲数量由1个增加到7个;产生多脉冲时,相邻脉冲幅值逐渐降低,同时脉宽和间隔逐渐增大;多脉冲导致Fe:ZnSe激光脉宽与单脉冲的相比增大,激光峰值功率随能量增加较慢。此研究对于控制增益开关Fe:ZnSe激光器峰值功率和指导激光器应用具有参考价值。 展开更多
关键词 Fe:znse 增益开关 时间特性 多脉冲
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单一水热法制备Fe^(2+):ZnSe纳米晶及性质表征
7
作者 马蕾蕾 《现代盐化工》 2025年第3期36-37,共2页
量子点因其独特的量子尺寸效应在光电子领域备受关注,然而其存在的缺陷严重制约了实际应用。通过优化水相合成策略,在单一去离子水体系中成功制备出高稳定性Fe^(2+)掺杂ZnSe纳米晶。实验表明,该方法有效抑制了表面缺陷的形成。XRD与ICP-... 量子点因其独特的量子尺寸效应在光电子领域备受关注,然而其存在的缺陷严重制约了实际应用。通过优化水相合成策略,在单一去离子水体系中成功制备出高稳定性Fe^(2+)掺杂ZnSe纳米晶。实验表明,该方法有效抑制了表面缺陷的形成。XRD与ICP-OES分析证实Fe^(2+)掺杂进晶体内部,得到粒径为7 nm、结晶度良好的闪锌矿结构,其带隙最低可达到2.06 eV。该水相合成工艺为开发低成本、环境友好型光学纳米材料提供了新思路,在荧光标记、光电转换器件等领域展现出应用潜力。 展开更多
关键词 纳米晶 Fe:znse 水热法
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ZnSe量子点光电探测器的制备及其性能研究
8
作者 李静 《石河子科技》 2025年第3期16-18,共3页
本研究旨在合成ZnSe量子点并制备基于ZnSe量子点的光电探测器,评估其光电性能。采用热注入法合成ZnSe量子点,利用无水醋酸锌和硒粉作为前驱体,经过精确的温度控制和惰性气氛保护,成功获得了高质量的ZnSe量子点。随后,通过旋涂法将量子... 本研究旨在合成ZnSe量子点并制备基于ZnSe量子点的光电探测器,评估其光电性能。采用热注入法合成ZnSe量子点,利用无水醋酸锌和硒粉作为前驱体,经过精确的温度控制和惰性气氛保护,成功获得了高质量的ZnSe量子点。随后,通过旋涂法将量子点薄膜制备在ITO基底上,并在高温下进行退火处理,以提高薄膜的结构稳定性和光电性能。最终,制备的ZnSe光电探测器经过I-V特性和光谱响应测试,结果显示其在可见光波段具有良好的光电转换能力,尤其在500nm波长处的响应电流达到最大值5.8μA,表明其在光电探测应用中具有广阔的前景。 展开更多
关键词 znse量子点 光电探测器 性能
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不同形貌ZnSe的制备及光电化学性能 被引量:5
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作者 郝彦忠 酆云 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期788-792,共5页
采用水热法制备了ZnSe纳米棒和微球,用XRD,TGA—DTA和SEM等技术对其进行了表征,提出了解释ZnSe微球的形成新机理.研究结果表明,纳米棒直径为50~100nm,棒长约为200~300nm,ZnSe微球直径为3~10μm.;纳米棒在反应温度为240℃时... 采用水热法制备了ZnSe纳米棒和微球,用XRD,TGA—DTA和SEM等技术对其进行了表征,提出了解释ZnSe微球的形成新机理.研究结果表明,纳米棒直径为50~100nm,棒长约为200~300nm,ZnSe微球直径为3~10μm.;纳米棒在反应温度为240℃时具有闪锌矿和纤维锌矿型7昆晶结构,微球在反应温度为210℃时具有闪锌矿结构;将ZnSe纳米棒和微球均匀地涂在导电玻璃的导电面上,于380℃煅烧40min后制成膜电极,并进行了光电化学研究,纳米棒膜结构电极最高单色光的光电转换效率(IPCE)可达到9.09%. 展开更多
关键词 水热法 znse纳米棒 znse微球 光电化学
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ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变 被引量:1
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作者 郭子政 梁希侠 班士良 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期456-460,共5页
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料... 用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响 。 展开更多
关键词 znse znse/GaAs 静压 异质结构 直接禁带-间接禁带转变 压力系数 半导体材料 硒化锌 砷化镓 光致发光
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ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
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作者 方再利 李国华 +4 位作者 韩和相 丁琨 陈晔 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期28-32,共5页
测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0~ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激... 测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0~ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3 展开更多
关键词 TE 等电子陷阱 光致发光谱 锌硒碲三元化合物 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 静压 znseTe/znse znse 硒化锌 量子阱
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ZnSe和Cr∶ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究 被引量:1
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作者 张浩 李琳 +4 位作者 宋平新 张迎九 冷雨欣 许毅 董永军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期848-852,共5页
采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体。对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析。采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能。吸收光谱测试... 采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体。对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析。采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能。吸收光谱测试观察到了Cr2+(3d4)取代四面体配位Zn2+的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带。77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ZnSe晶体具有中心波长位于2.2μm的宽谱带发射特征。 展开更多
关键词 znse Cr∶znse 温度梯度法(TGT) 中红外
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ZnO/ZnSe复合纳米结构的制备及可见光光催化性能 被引量:18
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作者 梁建 何霞 +3 位作者 董海亮 刘海瑞 张华 许并社 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期455-460,共6页
通过热水解法,以氧化锌为模板,成功制备出形貌均一的ZnO/ZnSe复合纳米结构.为了对比不同O/Se比对光催化性能的影响,保持其它反应参数不变,调节还原剂水合肼的用量,得到不同硒化程度的ZnO/ZnSe复合纳米结构.采用场发射扫描电子显微镜、X... 通过热水解法,以氧化锌为模板,成功制备出形貌均一的ZnO/ZnSe复合纳米结构.为了对比不同O/Se比对光催化性能的影响,保持其它反应参数不变,调节还原剂水合肼的用量,得到不同硒化程度的ZnO/ZnSe复合纳米结构.采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪和透射电子显微镜对样品的形貌及结构进行了表征,通过测试该复合结构对亚甲基蓝的可见光催化降解评估了其光催化效率.结果表明,与纯ZnO比,ZnO/ZnSe复合结构在可见光区域和紫外光区域的光吸收范围变宽,显示出较高的光催化效率.原因在于ZnSe导带上的电子在扩散势能的作用下迁移到ZnO的导带上,而空穴仍保留在ZnSe价带,这样有助于光生电子和空穴对的分离,降低其复合机率,从而提高ZnO的光催化效率. 展开更多
关键词 ZNO ZNO znse 亚甲基蓝 光催化效率
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ZnSe纳米片晶的可控合成 被引量:7
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作者 李军平 徐耀 +3 位作者 赵宁 魏伟 吴东 孙予罕 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第23期2339-2343,共5页
以乙二胺四乙酸(EDTA)为稳定剂、丁胺(BA)为结构导向模板,采用水热合成方法制备了尺寸和晶型可控的ZnSe纳米片晶;利用XRD,TEM,SEM以及紫外-可见漫反射等手段对所得的产物进了表征,结果表明,通过改变水热温度和BA用量,可以实现ZnSe纳米... 以乙二胺四乙酸(EDTA)为稳定剂、丁胺(BA)为结构导向模板,采用水热合成方法制备了尺寸和晶型可控的ZnSe纳米片晶;利用XRD,TEM,SEM以及紫外-可见漫反射等手段对所得的产物进了表征,结果表明,通过改变水热温度和BA用量,可以实现ZnSe纳米片晶的大小和物相的调控,并初步分析了其形成过程. 展开更多
关键词 znse 纳米片晶 物相 形貌
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ZnSe∶Cu纳米晶/聚电解质多层膜制备和结构研究 被引量:12
15
作者 张皓 郝恩才 +1 位作者 杨柏 沈家骢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1766-1770,共5页
采用分子沉积方法制备了 Zn Se∶Cu纳米晶 /聚电解质多层膜 ,通过 X射线光电子能谱 ( XPS)和透射电镜 ( TEM)等方法对薄膜的组成及结构进行了表征 . XPS结果证实了回流处理对 Zn Se∶ Cu微粒的表面结构以及铜离子价态的影响 ,从而很好... 采用分子沉积方法制备了 Zn Se∶Cu纳米晶 /聚电解质多层膜 ,通过 X射线光电子能谱 ( XPS)和透射电镜 ( TEM)等方法对薄膜的组成及结构进行了表征 . XPS结果证实了回流处理对 Zn Se∶ Cu微粒的表面结构以及铜离子价态的影响 ,从而很好地解释了经表面修饰后 ,微粒荧光增强的现象 .TEM结果确定 Zn Se∶Cu的平均尺寸为 3nm.X射线粉末衍射结果进一步确认 Zn Se∶Cu具有纤锌矿晶体结构 . 展开更多
关键词 纳米晶 自组装 聚电解质多层膜 znse:Cu
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溶剂热法合成ZnSe纳米材料 被引量:5
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作者 吴荣 姜楠楠 +2 位作者 李锦 简基康 常爱民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期579-583,共5页
以乙酸锌为锌源,Na2SeO3 5H2O或Se粉为硒源,采用溶剂热法在乙醇胺(EA)溶剂中一步合成晶型和形貌可控的闪锌矿和纤锌矿结构的ZnSe纳米材料。利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物... 以乙酸锌为锌源,Na2SeO3 5H2O或Se粉为硒源,采用溶剂热法在乙醇胺(EA)溶剂中一步合成晶型和形貌可控的闪锌矿和纤锌矿结构的ZnSe纳米材料。利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的晶型、成分和形貌进行了表征。结果表明,Se源的选取直接决定了ZnSe纳米材料的晶型和形貌:以Na2SeO3 5H2O为源,产物为立方相闪锌矿结构的ZnSe纳米颗粒,直径30 nm左右;以Se粉为源,产物为六方相纤锌矿结构的ZnSe纳米片,厚度约50 nm。进一步的研究表明,具有合适配位能力的乙醇胺溶剂和Se源对ZnSe纳米结构的合成起重要作用。通过紫外-可见光谱(UV-Vis)和室温光致发光光谱(PL)表征了产物的光学性质。 展开更多
关键词 溶剂热 znse 闪锌矿 纤锌矿
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ZnSe薄膜的激子光谱 被引量:7
17
作者 盛传祥 王兴军 +1 位作者 俞根才 黄大鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1177-1182,共6页
采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的... 采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 . 展开更多
关键词 znse 光致发光 砷化镓 激子光谱
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Cu掺杂ZnSe高效量子点的合成及其光学特性研究 被引量:5
18
作者 郑金桔 曹盛 +3 位作者 高凤梅 尉国栋 贾龙 杨为佑 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期159-164,共6页
采用生长掺杂方式制备了Cu掺杂ZnSe高效量子点,探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响,并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征。研究表明,进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层,能够实现其... 采用生长掺杂方式制备了Cu掺杂ZnSe高效量子点,探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响,并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征。研究表明,进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层,能够实现其发光效率和稳定性的有效提高;采用配体交换能够实现ZnSe:Cu量子点由油溶性到水溶性的转变。这种新型的掺杂量子点有望替代传统含Cd量子点应用于环境友好型固体发光器件和生物标记。 展开更多
关键词 znse 量子点 生长掺杂 光学特性
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CdSe/ZnSe/ZnS多壳层结构量子点的制备与表征 被引量:8
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作者 张庆彬 曾庆辉 +3 位作者 郑金桔 孔祥贵 曲玉秋 宋凯 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期842-846,共5页
展示了一种简捷的多壳层量子点合成路线。在含有过量Se源的CdSe体系中直接注入Zn源,"一步法"合成了CdSe/ZnSe量子点;进一步以CdSe/ZnSe为"核",表面外延生长ZnS壳层制备了核/壳/壳结构CdSe/ZnSe/ZnS量子点。相对于... 展示了一种简捷的多壳层量子点合成路线。在含有过量Se源的CdSe体系中直接注入Zn源,"一步法"合成了CdSe/ZnSe量子点;进一步以CdSe/ZnSe为"核",表面外延生长ZnS壳层制备了核/壳/壳结构CdSe/ZnSe/ZnS量子点。相对于以往报道的多壳层结构量子点的制备方法,该方法通过减少壳层的生长步骤有效地简化了实验操作,缩短了实验周期,同时减少对原料的损耗。对量子点进行高温退火处理,能够大幅提高CdSe/ZnSe/ZnS量子点的发光量子产率。透射电镜、XRD以及光谱研究表明:所制备的量子点接近球形,核与壳层纳米晶均为闪锌矿结构,最终获得的CdSe/ZnSe/ZnS量子点的光致发光量子产率达到53%。为了实现量子点的表面生物功能化,通过巯基酸进行了表面配体交换修饰,使量子点表面具有水溶性的羧基功能团,并且能够维持较高的光致发光量子产率。 展开更多
关键词 CdSe/znse/ZnS量子点 外延生长 配体交换
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ZnSe单晶生长及性能研究 被引量:6
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作者 卢利平 刘景和 +3 位作者 李建立 万玉春 张亮 曾繁明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期215-218,共4页
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测... 采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。 展开更多
关键词 znse单晶 物理气相输运法 高压坩埚下降法 透过率 吸收系数 发光效率
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