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高J_c氧体物超导薄膜的XHREM研究
1
作者 刘维 王永刚 +2 位作者 李方华 李宏成 李林 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期159-159,共1页
XHREM——横断面HREM技术是研究薄膜,特别是外延膜的结构和膜与衬底晶格间匹配情况以及衬底表面平整性对外延膜影响的有力工具。本文对用了磁控溅射法在SrTiO<sub>3</sub>和LaAlO<sub>3</sub>两种衬底上制备的... XHREM——横断面HREM技术是研究薄膜,特别是外延膜的结构和膜与衬底晶格间匹配情况以及衬底表面平整性对外延膜影响的有力工具。本文对用了磁控溅射法在SrTiO<sub>3</sub>和LaAlO<sub>3</sub>两种衬底上制备的高T<sub>c</sub>氧化物超导薄膜的界面状态及膜的微观结构等做了晶格象观察。所观察的薄膜是超导临界电流密度（J<sub>c</sub>）大于10<sup>6</sup>A·cm<sup>-2</sup>的高质量的YB<sub>a</sub>CuO膜和GdBaCuO膜。图a是在SrTiO<sub>3</sub>衬底上制备的GdBaCuO膜XHREM象。图中上半部是沿b轴方向投影的GdBaCuO膜的晶格象,晶格间距为11.6A和3.82A。下半部为沿SrTiO<sub>3</sub>单晶（100）方向投影的晶格象。晶格间距为2.7A的二维点阵。从图a可知用磁控溅射法在SrTiO<sub>3</sub>衬底上制备的高J.GdBaCuO膜基本上是C轴方向垂直膜面的单晶膜。 展开更多
关键词 Jc氧体物 超导薄膜 xhrem 薄膜
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