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有效书写记忆介质的编码构造方法
1
作者 符方伟 沈世镒 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第7期115-117,共3页
本文证明线性码的陪集构成的线性陪集码可以渐近达到有效书写记忆介质的容量，并且说明线性码的覆盖半径是有效书写记忆介质的线性陪集码的一个重要参数．本文同时给出有效书写记忆介质的纠错码的一种构造方法．
关键词 有效 书写记忆介质 容量 线性码 编码 纠错码
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有效书写记忆介质的纠错编码
2
作者 舒友高 《广西工学院学报》 CAS 1995年第4期7-11,共5页
本文讨论有效书写记忆介质纠错码，给出ＷＥＭ纠错码的等价描述，利用线性分组码构造ＷＥＭ纠错码，推广了文［２］的一些结果。
关键词 线性码 覆盖半径 WEM 纠错编码 汉明距离
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