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外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控
被引量：
1
1
作者
梁前
钱国林
+2 位作者
罗祥燕
梁永超
谢泉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第21期274-282,共9页
鉴于实验上最新合成的二维半导体材料WSiN(WSN)和二维金属材料MoSH(MSH),构建了金属-半导体MSH/WSN肖特基结.在实际的金属-半导体接触应用中,肖特基势垒的存在严重降低了器件的性能.因此,获得较小的肖特基势垒甚至是欧姆接触至关重要....
鉴于实验上最新合成的二维半导体材料WSiN(WSN)和二维金属材料MoSH(MSH),构建了金属-半导体MSH/WSN肖特基结.在实际的金属-半导体接触应用中,肖特基势垒的存在严重降低了器件的性能.因此,获得较小的肖特基势垒甚至是欧姆接触至关重要.本文使用第一性原理计算研究了在外电场和双轴应变作用下MSH/WSN肖特基结势垒的变化.计算结果表明,外电场和双轴应变均可以有效地调控MSH/WSN肖特基结势垒.正向外电场能实现MSH/WSN肖特基结p型与n型肖特基接触之间的动态转化,而负向外电场可实现MSH/WSN肖特基结向欧姆接触的转化.此外,较大的双轴应变可实现MSH/WSN肖特基结p型与n型肖特基接触的相互转化.此项工作为基于WSN半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管提供理论指导.
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关键词
wsi2n4
MoSH
金属-半导体接触
肖特基接触
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职称材料
原位反应制备WSi_2/Si_3N_4复合材料的研究
被引量：
1
2
作者
沈建兴
孟宪娴
+1 位作者
刘迎凯
毕方智
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期615-619,共5页
研究了Si3N4/WSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺过程及其显微结构。用XRD、SEM、EDX以及气孔测试仪,对每一制备过程步骤中发生的显微结构变化进行了分析。结果表明预烧过程原位生成了WSi2,氮化反应使Si相几乎全部转化为Si3N4和WSi2,热压使...
研究了Si3N4/WSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺过程及其显微结构。用XRD、SEM、EDX以及气孔测试仪,对每一制备过程步骤中发生的显微结构变化进行了分析。结果表明预烧过程原位生成了WSi2,氮化反应使Si相几乎全部转化为Si3N4和WSi2,热压使α-Si3N4转化为β-Si3N4,相组成为β-Si3N4、WSi2以及少量的W5Si3。机械强度随温度上升而增加,1200℃强度达988.3MPa。
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关键词
热压烧结
WSi2/Si3N4
复合材料
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职称材料
题名
外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控
被引量：
1
1
作者
梁前
钱国林
罗祥燕
梁永超
谢泉
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第21期274-282,共9页
基金
贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地(批准号:2020-520000-83-01-324061)
国家自然科学基金(批准号:61264004)
贵州省高层次创新型人才培养项目(批准号:黔科合人才[2015]4015)资助的课题。
文摘
鉴于实验上最新合成的二维半导体材料WSiN(WSN)和二维金属材料MoSH(MSH),构建了金属-半导体MSH/WSN肖特基结.在实际的金属-半导体接触应用中,肖特基势垒的存在严重降低了器件的性能.因此,获得较小的肖特基势垒甚至是欧姆接触至关重要.本文使用第一性原理计算研究了在外电场和双轴应变作用下MSH/WSN肖特基结势垒的变化.计算结果表明,外电场和双轴应变均可以有效地调控MSH/WSN肖特基结势垒.正向外电场能实现MSH/WSN肖特基结p型与n型肖特基接触之间的动态转化,而负向外电场可实现MSH/WSN肖特基结向欧姆接触的转化.此外,较大的双轴应变可实现MSH/WSN肖特基结p型与n型肖特基接触的相互转化.此项工作为基于WSN半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管提供理论指导.
关键词
wsi2n4
MoSH
金属-半导体接触
肖特基接触
Keywords
wsi2n4
MoSH
metal-semiconductor contact
Schottky contact
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
原位反应制备WSi_2/Si_3N_4复合材料的研究
被引量：
1
2
作者
沈建兴
孟宪娴
刘迎凯
毕方智
机构
山东轻工业学院材料学院
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期615-619,共5页
基金
山东省自然科学基金项目资助(项目号Y2003F01)
文摘
研究了Si3N4/WSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺过程及其显微结构。用XRD、SEM、EDX以及气孔测试仪,对每一制备过程步骤中发生的显微结构变化进行了分析。结果表明预烧过程原位生成了WSi2,氮化反应使Si相几乎全部转化为Si3N4和WSi2,热压使α-Si3N4转化为β-Si3N4,相组成为β-Si3N4、WSi2以及少量的W5Si3。机械强度随温度上升而增加,1200℃强度达988.3MPa。
关键词
热压烧结
WSi2/Si3N4
复合材料
Keywords
hot pressing
WSi2/Si3N4
composites
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控
梁前
钱国林
罗祥燕
梁永超
谢泉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
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职称材料
2
原位反应制备WSi_2/Si_3N_4复合材料的研究
沈建兴
孟宪娴
刘迎凯
毕方智
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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