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原位反应制备WSi_2/Si_3N_4复合材料的研究 被引量:1
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作者 沈建兴 孟宪娴 +1 位作者 刘迎凯 毕方智 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期615-619,共5页
研究了Si3N4/WSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺过程及其显微结构。用XRD、SEM、EDX以及气孔测试仪,对每一制备过程步骤中发生的显微结构变化进行了分析。结果表明预烧过程原位生成了WSi2,氮化反应使Si相几乎全部转化为Si3N4和WSi2,热压使... 研究了Si3N4/WSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺过程及其显微结构。用XRD、SEM、EDX以及气孔测试仪,对每一制备过程步骤中发生的显微结构变化进行了分析。结果表明预烧过程原位生成了WSi2,氮化反应使Si相几乎全部转化为Si3N4和WSi2,热压使α-Si3N4转化为β-Si3N4,相组成为β-Si3N4、WSi2以及少量的W5Si3。机械强度随温度上升而增加,1200℃强度达988.3MPa。 展开更多
关键词 热压烧结 wsi2/si3n4 复合材料
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氮掺杂碳量子点促进Bi_(2)MoO_(6)/g-C_(3)N_(4)的可见光驱动电荷转移以高效降解环丙沙星
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作者 王晓云 陈礼洪 +2 位作者 陈可轩 傅俊浩 付爱民 《环境科学学报》 北大核心 2026年第2期158-175,共18页
以水热法制备了氮掺杂碳量子点(N-CQDs),并进一步合成了N-CQDs@Bi_(2)MoO_(6)/g-C_(3)N_(4)(NCD@BMCN)间接Z型异质结光催化材料,通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外-可见光漫反射光谱(UV-Vis DRS)、X... 以水热法制备了氮掺杂碳量子点(N-CQDs),并进一步合成了N-CQDs@Bi_(2)MoO_(6)/g-C_(3)N_(4)(NCD@BMCN)间接Z型异质结光催化材料,通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外-可见光漫反射光谱(UV-Vis DRS)、X射线光电子能谱(XPS)、电化学阻抗(EIS)、时间分辨荧光衰减光谱(TRFL)等手段对NCD@BMCN的形貌及其化学性能进行表征.研究发现NCD可显著缩小纳米复合材料的带隙,NCD@BMCN具有高比表面积、高光电流密度和低电荷转移电阻,因此有着出色的电荷转移效率,从而增强了CIP的光降解能力.降解实验表明,当NCD@BMCN投加量为1.0 g·L^(-1),CIP浓度为50 mg·L^(-1),在pH=8条件下,经可见光照射30 min可以实现CIP的降解率达到98.2%,反应速率常数为0.14 min^(-1),TOC去除率为87.2%;复合材料经6次重复使用对CIP的降解率仍能达到95.5%;水中有机物及阴离子浓度与CIP降解率呈负相关;通过淬灭实验及电顺磁共振分析可知降解CIP的过程中,主要的活性物种为·OH、·O_(2)^(-),其贡献率分别为93.57%、87.86%降解机理主要是由于NCD@BMCN具有间接Z型结构,NCD既能作为光吸收体产生更多e^(-)、h^(+)以增强光催化活性,又能抑制电荷载流子复合过程.高效实现了光激发条件下e^(-)-h^(+)的界面转移和空间分离,抑制了光生载流子的复合,使光催化性能显著提升.高效液相色谱-质谱检测发现,NCD@BMCN对CIP的光降解过程主要包括脱氟、脱酸、脱甲基化、羟基化、开环、脱胺基等反应,并最终将CIP氧化为CO_(2)、H_(2)O和小分子有机物. 展开更多
关键词 氮掺杂碳量子点(n-CQDs) Bi_(2)MoO_(6)/g-C_(3)n_(4) 电荷桥接 定向电荷转移 光催化性能 环丙沙星(CIP)
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Self-powered horizontally structured n–n heterojunction photodetector based on Si–GaN/β-Ga_(2)O_(3) for UV detection
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作者 Muzi Li Maolin Zhang +3 位作者 Xueqiang Ji Shan Li Lili Yang Weihua Tang 《Chinese Physics B》 2026年第2期639-646,共8页
With the rapid advancement of optoelectronic technology,high-performance photodetectors are increasingly in demand in fields such as environmental monitoring,optical communication,and defense systems,where ultraviolet... With the rapid advancement of optoelectronic technology,high-performance photodetectors are increasingly in demand in fields such as environmental monitoring,optical communication,and defense systems,where ultraviolet detection is critical.However,conventional semiconductor materials suffer from limited UV-visible detection capabilities owing to their narrow bandgaps and high dark currents.To address these challenges,wide-bandgap semiconductors have emerged as promising alternatives.Here,we fabricated a horizontally structured n–n heterojunction photodetector by growingβ-Ga_(2)O_(3) on Si–GaN via plasma-enhanced chemical vapor deposition.The device exhibits a self-powered photocurrent of 3.5 nA at zero bias,enabled by the photovoltaic effect of the space charge region.Under 254-nm and 365-nm illumination,it exhibits rectification behavior,achieving a responsivity of 0.475 m A/W(0 V,220??W/cm~2 at 254 nm)and 257.6 mA/W(-5 V),respectively.Notably,the photodetector demonstrates a high photocurrent-to-dark current ratio of 10~5 under-5-V bias,highlighting its potential for self-powered and high-performance UV detection applications. 展开更多
关键词 si–Gan/β-Ga_(2)O_(3) horizontally structured nn heterojunction SELF-POWERED
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Strategically designing and fabricating nitrogen and sulfur Co-doped g-C_(3)N_(4) for accelerating photocatalytic H_(2) evolution 被引量:1
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作者 Haitao Wang Lianglang Yu +2 位作者 Jiahe Peng Jing Zou Jizhou Jiang 《Journal of Materials Science & Technology》 2025年第5期111-119,共9页
Doping engineering is an effective strategy for graphitic carbon nitride(g-C_(3)N_(4))to improve its photocat-alytic hydrogen evolution reaction(HER)performance.In this work,a novel nitrogen and sulfur co-doped g-C_(3... Doping engineering is an effective strategy for graphitic carbon nitride(g-C_(3)N_(4))to improve its photocat-alytic hydrogen evolution reaction(HER)performance.In this work,a novel nitrogen and sulfur co-doped g-C_(3)N_(4)(N,S-g-C_(3)N_(4))is elaborately designed on the basis of theoretical predictions of first-principle density functional theory(DFT).The calculated Gibbs free energy of adsorbed hydrogen(ΔGH∗)for N,S-g-C_(3)N_(4) at the N-doping active sites is extremely close to zero(0.01 eV).Inspired by the theoretical predictions,the N,S-g-C_(3)N_(4) is successfully fabricated through ammonia-rich pyrolysis synthesis strategy,in which ammonia is in-situ obtained by pyrolyzing melamine.Subsequent characterizations indicate that the N,S-g-C_(3)N_(4) possesses high specific surface area,outstanding light utilization,good hydrophilicity,and efficient carrier transfer efficiency.Consequently,the N,S-g-C_(3)N_(4) displays an extremely high H2 evolution rate of 8269.9μmol g−1 h−1,achieves an apparent quantum efficiency(AQE)of 3.24%,and also possesses outsatnding durability.Theoretical calculations further demonstrate that N and S dopants can not only introduce doping energy level to reduce the band gap,but also induce charge redistribution to facilitate hydrogen adsorption,thus promoting the photocatalytic HER process.Moreover,femtosecond transient absorption(fs-TA)spectroscopy further corroborates the efficient photogenerated carrier transport of N,S-g-C_(3)N_(4).This research highlights a promising and reliable strategy to achieve superior photocatalytic activity,and exhibits significant guidance for precise designing high-efficiency photocatalysts. 展开更多
关键词 Theoretical predictions g-C_(3)n_(4) n and S co-doping Photocatalytic H_(2)evolution
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具有优良性能的三维多孔Zn/Si双掺杂Al(PO_(3))_(3)涂层负载的Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(3) /C钠离子电池
5
作者 俸锦旺 雷炳新 《材料科学》 2025年第1期140-148,共9页
Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(3)(NVP)作为一种多正离子正极材料,在储能领域展现出巨大的潜力。然而,由于其内在导电性差和严重的结构退化,其应用受到了限制。在本研究中,我们采用球磨和煅烧技术的协同混合,制造出了一种Zn/Si双掺杂NVP正极材料... Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(3)(NVP)作为一种多正离子正极材料,在储能领域展现出巨大的潜力。然而,由于其内在导电性差和严重的结构退化,其应用受到了限制。在本研究中,我们采用球磨和煅烧技术的协同混合,制造出了一种Zn/Si双掺杂NVP正极材料(Na_(3)V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO_(4)) _(2.9 )(SiO_(4))_( 0.1 )/C)。此外,这种材料的表面还通过湿法工艺附着了一层热稳定的Al(PO_(3))_(3)层。多孔Na_(3)V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO_(4)) _(2.9 )(SiO_(4))_( 0.1 )/C@Al(PO_(3))_(3)正极表现出卓越的稳定性,即使在5C的倍率下循环1000次,容量仍能保持90.8%。此外,在10 C和20 C的较高倍率下,正极的初始容量分别达到94.1 mAh·g^(−1)和84.89 mAh·g^(−1),而在2000次循环后,其容量分别保持在86.19 mAh·g^(−1)和76.54 mAh·g^(−1)。通过Zn/Si共掺杂显著提高了电池的低倍率性能,并且通过Al(PO_(3))_(3)改性显著提高了电池的高倍率性能。多孔Na_(3)V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO_(4)) _(2.9 )(SiO_(4))_( 0.1 )/C@Al(PO_(3))_(3)材料表现出较强的倍率性能和显著的循环稳定性,突出了其在高性能储能应用方面的巨大潜力。因此,本研究提出了一种通过表面改性和双掺杂技术来提高电化学性能的特殊方法。 展开更多
关键词 na_(3)V_(2)(PO_(4))_(3) Zn/si共掺杂 表面改性 高倍率性能 长循环寿命
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Novel 3D-on-2D g-C_(3)N_(4)/AgIn_(x)S_(y)heterojunction photocatalyst for simultaneous and stoichiometric production of H_(2)and H_(2)O_(2)from water splitting under visible light
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作者 Hualin Jiang Wenxi Ye +4 位作者 Huitao Zhen Xubiao Luo Vyacheslav Fominski Long Ye Pinghua Chen 《Chinese Chemical Letters》 2025年第2期448-453,共6页
Photocatalytic H_(2)production from water splitting is a promising candidate for solving the increasing energy crisis and environmental issues.Herein we report a novel g-C_(3)N_(4)/Ag In_(x)S_(y)S-scheme heterojunctio... Photocatalytic H_(2)production from water splitting is a promising candidate for solving the increasing energy crisis and environmental issues.Herein we report a novel g-C_(3)N_(4)/Ag In_(x)S_(y)S-scheme heterojunction photocatalyst for water splitting into stoichiometric H_(2)and H_(2)O_(2)under visible light.The catalyst was prepared by depositing 3D bimetallic sulfide(Ag In_(x)S_(y))nanotubes onto 2D g-C_(3)N_(4)nanosheets.Owing to the special 3D-on-2D configuration,the photogenerated carriers could be rapidly transferred and effectively separated through the abundant interfacial heterostructures to avoid recombination,and therefore excellent performance for visible light-driven water splitting could be obtained,with a 24-h H_(2)evolution rate up to 237μmol g^(-1)h^(-1).Furthermore,suitable band alignment enables simultaneous H_(2)and H_(2)O_(2)production in a 1:1 stoichiometric ratio.H_(2)and H_(2)O_(2)were evolved on the conduction band of g-C_(3)N_(4)and on the valance band of Ag In_(x)S_(y),respectively.The novel 3D-on-2D configuration for heterojunction construction proposed in this work provided alternative research ideas toward photocatalytic reaction. 展开更多
关键词 Photocatalysis Water splitting g-C3n4 silver indium sulfide H_(2)production H_(2)O_(2)production
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Si(NH)_2热分解法制备Si_3N_4晶须的影响因素 被引量:7
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作者 毕玉惠 陈斐 +2 位作者 李君 张东明 张联盟 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期8-11,共4页
利用Si(NH)2热分解法制备了Si3N4晶须,对实验原理和实验过程进行了详细描述,对实验中存在的温度、残留碳、微量氧、坩埚材质等可能影响晶须生长的诸多因素进行了分析讨论,说明了诸影响因素的影响程度和参与机理。通过对工艺过程中诸影... 利用Si(NH)2热分解法制备了Si3N4晶须,对实验原理和实验过程进行了详细描述,对实验中存在的温度、残留碳、微量氧、坩埚材质等可能影响晶须生长的诸多因素进行了分析讨论,说明了诸影响因素的影响程度和参与机理。通过对工艺过程中诸影响因素的控制,可以制备高质量Si3N4晶须或改性Si3N4晶须,对研究开发该法批量生产性能优异的Si3N4晶须的工作具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 si(nH)2 si3n4晶须 影响因素 α—sialon
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Si_3N_4-Fe对Al_2O_3-SiC-C质铁沟浇注料性能的影响 被引量:15
8
作者 邓小玲 孙加林 +2 位作者 陈俊红 张厚兴 洪彦若 《耐火材料》 CAS 北大核心 2004年第2期82-84,共3页
利用Si3N4 的优良性质及金属塑性相Fe的作用 ,将其添加到高炉出铁沟用Al2 O3-SiC -C浇注料中 ,以改善材料的力学性能和抗氧化性能。对高温处理后试样强度、显气孔率测试以及对氧化层的SEM分析 ,结果表明 ,添加适量的Si3N4 -Fe ,材料的... 利用Si3N4 的优良性质及金属塑性相Fe的作用 ,将其添加到高炉出铁沟用Al2 O3-SiC -C浇注料中 ,以改善材料的力学性能和抗氧化性能。对高温处理后试样强度、显气孔率测试以及对氧化层的SEM分析 ,结果表明 ,添加适量的Si3N4 -Fe ,材料的显气孔率降低 ,强度提高 ,抗氧化性增强。 展开更多
关键词 si3n4-Fe AL2O3 siC 铁沟浇注料 力学性能 抗氧化性能 显气孔率测试 氧化层
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添加ZrO_2对Si_3N_4复合陶瓷材料力学性能的影响 被引量:9
9
作者 李荐 李淳伟 +4 位作者 夏亨 刘凡 李艳芬 杨亮 杨俊 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期38-40,47,共4页
通过无压烧结制备了ZrO2-Si3N4复合陶瓷材料,并以排水法、SEM和DDL100型万能拉伸机进行表征。研究了ZrO2含量对Si3N4陶瓷的致密度、显微结构和力学性能的影响。结果表明,随着ZrO2含量的增加,Si3N4陶瓷致密度增加;抗弯强度和断裂韧性先... 通过无压烧结制备了ZrO2-Si3N4复合陶瓷材料,并以排水法、SEM和DDL100型万能拉伸机进行表征。研究了ZrO2含量对Si3N4陶瓷的致密度、显微结构和力学性能的影响。结果表明,随着ZrO2含量的增加,Si3N4陶瓷致密度增加;抗弯强度和断裂韧性先增大后减小,当ZrO2含量达到10%时,Si3N4的抗弯强度和断裂韧性同时达到最大值,分别为362MPa和7.0MPa.m1/2。ZrO2增韧Si3N4陶瓷的机制为应力诱导相变。 展开更多
关键词 si3n4陶瓷 ZRO2增韧 致密度 显微结构 力学性能
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SiO_2/(Si_3N_4+BN)透波材料表面涂层的防潮性能和透波性能研究 被引量:11
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作者 李俊生 张长瑞 +2 位作者 王思青 曹峰 王衍飞 《涂料工业》 CAS CSCD 2007年第1期5-7,10,共4页
SiO2/(Si3N4+BN)复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2/(Si3N4+BN)复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2/(Si3N4+BN)复合材料表面制备了防潮涂层,取得较好的防... SiO2/(Si3N4+BN)复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2/(Si3N4+BN)复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2/(Si3N4+BN)复合材料表面制备了防潮涂层,取得较好的防潮效果。涂装后SiO2/(Si3N4+BN)复合材料在40℃、90%的高温高湿条件下放置15d的吸水率约0.30%;在大气环境下(温度27-30℃,湿度45-60%)的吸水率小于0.01%。涂层对SiO2/(Si3N4+BN)复合材料的透波率影响较小,涂装后材料的透波率仍然能保持在85%以上。 展开更多
关键词 siO2/(si3n4+Bn) 透波率 防潮涂层 吸水率
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Fe_2(MoO_4)_3/Si_3N_4复合粉末还原及热压微观组织结构分析 被引量:5
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作者 银锐明 范景莲 +2 位作者 钟定铭 刘勋 张曙光 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期909-914,共6页
以α-Si3N4,Fe(NO3)3.9H2O和NH4Mo7O24.4H2O为原料,采用非均相沉淀法制备Fe2(MoO4)3/Si3N4复合粉末,采用氢气还原与热压法获得Fe-Mo/Si3N4复合粉末与烧结体,采用X线衍射仪(XRD)、电子能谱(EDS)、电镜扫描(SEM)和电镜透射(TE... 以α-Si3N4,Fe(NO3)3.9H2O和NH4Mo7O24.4H2O为原料,采用非均相沉淀法制备Fe2(MoO4)3/Si3N4复合粉末,采用氢气还原与热压法获得Fe-Mo/Si3N4复合粉末与烧结体,采用X线衍射仪(XRD)、电子能谱(EDS)、电镜扫描(SEM)和电镜透射(TEM)等方法对Fe-Mo/Si3N4复合粉末与烧结体物相、成分及微结构进行观察与分析。分析结果表明:Fe-Mo/Si3N4复合粉末主要成分为α-Si3N4,Mo,Si和Fe-Mo氮化物(Fe6Mo7N2和Fe3Mo3N),其中Mo颗粒长大;粒径为4~7μm的Mo5Si3大颗粒均匀镶嵌在Si3N4,Fe-Mo氮化物(Fe6Mo7N2和Fe3Mo3N)及SiO2的混合物组成的粒径为1μm左右的小颗粒之中。 展开更多
关键词 原位反应 si3n4 MO5si3 非均相沉淀-热还原
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Ti40Zr25Ni15Cu20非晶钎料钎焊Si_3N_4陶瓷的界面结构及强度 被引量:13
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作者 邹家生 赵宏权 蒋志国 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期45-48,共4页
采用Ti40Zr25Ni15Cu20非晶钎料进行了Si3N4陶瓷真空钎焊连接,利用SEM、EDX等微观分析手段,研究了钎焊界面的微观结构,得出界面反应层有两部分组成,接头界面微观结构为Si3N4/TiN/Ti Si,Zr Si化合物/钎缝中心;在相同钎焊工艺条件下,研究... 采用Ti40Zr25Ni15Cu20非晶钎料进行了Si3N4陶瓷真空钎焊连接,利用SEM、EDX等微观分析手段,研究了钎焊界面的微观结构,得出界面反应层有两部分组成,接头界面微观结构为Si3N4/TiN/Ti Si,Zr Si化合物/钎缝中心;在相同钎焊工艺条件下,研究对比了晶态和非晶态钎料钎焊接头的强度,发现非晶态钎料钎焊的接头强度大大超过用晶态钎料钎焊的接头。 展开更多
关键词 非晶钎料 si3n4陶瓷 界面结构 连接强度
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无压烧结制备Si_3N_4/SiO_2复合材料 被引量:8
13
作者 徐常明 王士维 +1 位作者 黄校先 郭景坤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期935-938,共4页
以无压烧结工艺制备了Si3N4/SiO2复合材料.实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用.Si3N4含量为5vol%的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96.2MPa,断裂韧性为2.4MPa·m1/2,介电常数和介电损... 以无压烧结工艺制备了Si3N4/SiO2复合材料.实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用.Si3N4含量为5vol%的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96.2MPa,断裂韧性为2.4MPa·m1/2,介电常数和介电损耗分别在3.63-3.68和1.29-1.75×10-3之间. 展开更多
关键词 天线罩 无压烧结 si3n4/siO2复合材料 力学性能 介电性能
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Cr2O3催化氮化制备Si3N4/SiC耐火材料及其性能 被引量:5
14
作者 韩磊 赵万国 +3 位作者 李发亮 张俊 曾渊 张海军 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期72-76,共5页
以SiC粉和硅粉为原料,原位合成的Cr_2O_3为催化剂,采用催化氮化法制备了Si_3N_4/SiC耐火材料,研究了催化剂用量及氮化温度对耐火材料物相组成、微观形貌、物理性能和力学性能的影响。结果表明:当氮化温度为1 673K,Cr_2O_3含量(与硅粉质... 以SiC粉和硅粉为原料,原位合成的Cr_2O_3为催化剂,采用催化氮化法制备了Si_3N_4/SiC耐火材料,研究了催化剂用量及氮化温度对耐火材料物相组成、微观形貌、物理性能和力学性能的影响。结果表明:当氮化温度为1 673K,Cr_2O_3含量(与硅粉质量之比,下同)为3%时,硅粉完全氮化,耐火材料主要由颗粒状SiC和晶须状α-Si_3N_4、β-Si_3N_4等组成;随着Cr_2O_3含量的增加,Si_3N_4晶须的数量增多,长度增大,耐火材料变得致密;随氮化温度的升高,耐火材料的抗折强度和耐压强度均增大,当氮化温度为1 673K、Cr_2O_3含量为3%时,抗折强度和耐压强度均最大,分别为34MPa和132MPa。 展开更多
关键词 si3n4/siC耐火材料 Cr2O3催化氮化 si3n4晶须 力学性能
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SiO_2-BN-Si_3N_4系复相陶瓷制备及性能 被引量:7
15
作者 裴雨辰 李淑琴 +3 位作者 于长清 黄正宇 马景陶 李嘉禄 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期114-117,共4页
以Y2O3和Al2O3陶瓷粉体作为烧结助剂,对不同含量BN原料配比无压烧结制备SiO2-BN-Si3N4系复相陶瓷,生坯采用注凝成型制备,然后在1780℃保温2h烧结,烧结体主要由板条状的Si2N2O及长柱状的β-Si3N4晶粒构成,BN晶粒弥散在各晶粒之间。Si2N2... 以Y2O3和Al2O3陶瓷粉体作为烧结助剂,对不同含量BN原料配比无压烧结制备SiO2-BN-Si3N4系复相陶瓷,生坯采用注凝成型制备,然后在1780℃保温2h烧结,烧结体主要由板条状的Si2N2O及长柱状的β-Si3N4晶粒构成,BN晶粒弥散在各晶粒之间。Si2N2O相通过反应SiO2+Si3N4=2Si2N2O原位生成。Si2N2O具有优异的抗氧化性,Si3N4具有高的强度,而BN的加入大大提高了材料的可加工性能,材料结合了各相的优异性能。实验结果表明:材料热冲击性能优异,热冲击温差在800℃时,材料的弯曲强度还略有提高,1200℃时,材料的残余弯曲强度保持不变。 展开更多
关键词 siO2-Bn-si3n4 性能 复相陶瓷
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原位无压烧结制备Si2N2O-Si3N4复相陶瓷 被引量:3
16
作者 裴雨辰 李嘉禄 +1 位作者 于长清 李淑琴 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期4-6,12,共4页
以Y2O3和Al2O3陶瓷粉体作为烧结助剂,原位无压液相烧结制备Si3N4-Si2N2O复相陶瓷,Si2N2O相通过SiO2+Si3N42Si2N2O反应生成。生坯采用注凝成型制备,然后在1780℃保温2h烧结,烧结体基本由板条状的Si2N2O及长柱状的-βSi3N4晶粒构成。Si2N2... 以Y2O3和Al2O3陶瓷粉体作为烧结助剂,原位无压液相烧结制备Si3N4-Si2N2O复相陶瓷,Si2N2O相通过SiO2+Si3N42Si2N2O反应生成。生坯采用注凝成型制备,然后在1780℃保温2h烧结,烧结体基本由板条状的Si2N2O及长柱状的-βSi3N4晶粒构成。Si2N2O陶瓷相对于Si3N4陶瓷而言,具有优异的抗氧化性能,低的弹性模量,以及低的热膨胀系数,因此,Si2N2O-Si3N4复相陶瓷结合了两者的优异性能,并大大提高了材料的热冲击性,材料的热冲击温差即使达到1200℃,其残余强度基本上没有变化。 展开更多
关键词 原位无压 si2n2O si3n4 复相陶瓷
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MgO-Al_2O_3-Re_2O_3(Re=Lu,Y)对无压烧结Si_3N_4陶瓷显微结构和性能的影响 被引量:6
17
作者 郭伟明 吴利翔 +3 位作者 马提 游洋 伍尚华 林华泰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期80-84,共5页
研究了MgO-Al_2O_3-Re_2O_3(Re=Lu,Y)三元烧结助剂体系对无压烧结Si_3N_4陶瓷显微结构和力学性能的影响。研究结果表明,添加MgO-Al_2O_3-Lu_2O_3三元助剂制备的Si_3N_4陶瓷显微结构具有明显的双峰分布,晶粒较粗化,致密度、硬度、弯曲强... 研究了MgO-Al_2O_3-Re_2O_3(Re=Lu,Y)三元烧结助剂体系对无压烧结Si_3N_4陶瓷显微结构和力学性能的影响。研究结果表明,添加MgO-Al_2O_3-Lu_2O_3三元助剂制备的Si_3N_4陶瓷显微结构具有明显的双峰分布,晶粒较粗化,致密度、硬度、弯曲强度、断裂韧性分别为96.4%、14.59 GPa、964 MPa、7.64 MPa·m^(1/2);而添加MgO-Al_2O_3-Y_2O_3三元助剂制备的Si_3N_4陶瓷具有细化的显微结构,致密度、硬度、弯曲强度、断裂韧性分别为99.9%、15.29 GPa、758 MPa、6.60 MPa·m^(1/2)。 展开更多
关键词 si3n4陶瓷 无压烧结 显微结构 力学性能 双峰分布
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Si_3N_(4(p))/SiC_((w))协同复合MoSi_2材料的强韧化及机理研究 被引量:3
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作者 周宏明 易丹青 +1 位作者 柳公器 肖来荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1955-1959,共5页
采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、维氏硬度计、电子万能材料试验机研究MoSi2-Si3N4(p)/SiC(w)复合材料的结构、形貌、硬度、断裂韧性,并对SiC晶须和Si3N4颗粒复合强韧化MoSi2的机理进行了探讨。结果表明,SiC晶须和Si3N4颗粒对... 采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、维氏硬度计、电子万能材料试验机研究MoSi2-Si3N4(p)/SiC(w)复合材料的结构、形貌、硬度、断裂韧性,并对SiC晶须和Si3N4颗粒复合强韧化MoSi2的机理进行了探讨。结果表明,SiC晶须和Si3N4颗粒对MoSi2具有协同强韧化作用,MoSi2-20%Si3N4(p)-20%SiC(w)(体积分数,下同)复合材料的抗弯强度达427MPa,室温断裂韧性达到10.4MPa·m1/2,均高于单一强韧化剂的强韧化效果。MoSi2-20%Si3N4(p)-20%SiC(w)复合材料的强化机理为细晶强化和弥散强化;韧化机制为细晶韧化、裂纹偏转与分支和微桥接韧化。 展开更多
关键词 MOsi2 复合材料 si3n4颗粒 siC晶须 强韧化机制
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Si_3N_4/Cu68Ti20Ni12的界面结构及连接强度 被引量:7
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作者 邹家生 吴斌 赵其章 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期102-106,共5页
采用Cu68Ti20Ni12钎料进行了Si3N4/Si3N4的活性钎焊连接。结果表明:钎焊温度和时间对连接强度有重要影响;在1373K,10min的连接条件下,Si3N4/Si3N4连接强度达到最大值289MPa。通过对Si3N4/Cu68Ti20Ni12界面区的微观分析:发现Ti,Ni明显向S... 采用Cu68Ti20Ni12钎料进行了Si3N4/Si3N4的活性钎焊连接。结果表明:钎焊温度和时间对连接强度有重要影响;在1373K,10min的连接条件下,Si3N4/Si3N4连接强度达到最大值289MPa。通过对Si3N4/Cu68Ti20Ni12界面区的微观分析:发现Ti,Ni明显向Si3N4方向富集,相对Ni而言,Ti的富集区更靠近Si3N4陶瓷,而Si则向钎料方向扩散,Cu在接头中心富集;界面区存在2层反应层,反应层Ⅰ为TiN层,而反应层Ⅱ则由TiN,Ti5Si4,Ti5Si3,Ni3Si及NiTi化合物组成。 展开更多
关键词 si3n4/si3n4接头 活性钎焊 Cu68Ti20ni12钎料 连接强度 界面结构
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TiB_2/Si_3N_4纳米多层膜的制备及其结构和性能分析 被引量:3
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作者 董磊 刘广庆 +3 位作者 孙延东 龚杰 刘孟寅 李德军 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第1期29-32,共4页
利用超高真空离子束辅助沉积(IBAD)系统,在225℃条件下,制备一系列TiB2/Si3N4纳米多层膜,通过X射线衍射(XRD)仪、表面轮廓仪、原子力显微镜(AFM)和纳米力学测试系统分析该体系合成中调制比对多层膜结构和机械性能的影响.结果表明:一定... 利用超高真空离子束辅助沉积(IBAD)系统,在225℃条件下,制备一系列TiB2/Si3N4纳米多层膜,通过X射线衍射(XRD)仪、表面轮廓仪、原子力显微镜(AFM)和纳米力学测试系统分析该体系合成中调制比对多层膜结构和机械性能的影响.结果表明:一定条件下制备的多层膜其纳米硬度值高于两种个体材料混合相的硬度值;当调制比为15∶1,调制周期为(13±1)nm时,结晶出现多元化,多层膜体系的硬度、应力、弹性模量和膜基结合性能均达到最佳.多层膜机械性能的明显改善与其多层结构和多晶结构存在直接联系.实验证明通过选择合适的个体层材料、厚度以及调制比等条件,制备具有高硬度、低应力和良好膜基结合力的纳米多层膜是可以实现的. 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 TiB2/si3n4纳米多层膜 调制比 硬度
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