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题名Via Clean湿法工艺应用及设备研究
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作者
李长城
陈钊
谢振民
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机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2025年第4期55-62,共8页
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文摘
通孔清洗(Via Clean)湿法工艺主要用于去除刻蚀过程中产生的残留物、光刻胶、聚合物和金属布线的污染物等,以提高芯片的良率。介绍了Via Clean在后道(BEOL)、前道(FEOL)和基片(Substrate)通孔制造三个工艺制程的需求,对Via Clean设备的主要功能模块及关键技术进行了研究,重点研究了真空系统腔室(VSC)单片湿法清洗工艺,分析了该工艺的清洗原理,并采用该工艺对10∶1深宽比的硅通孔(TSV)晶圆进行了试验研究,试验结果表明,晶圆表面的C/F元素原子得到了显著降低。
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关键词
通孔清洗
湿法清洗
单片清洗
真空系统腔室
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Keywords
via clean
Wet cleaning
Single-wafer cleaning
Vacuum system chamber(VSC)
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分类号
TN405.98
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于热油测试的封装基板纳米级空洞研究
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作者
朱冠军
褚耀武
陈佳
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机构
无锡广芯封装基板有限公司
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出处
《电镀与涂饰》
北大核心
2025年第10期56-63,共8页
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文摘
[目的]随着封装基板向高密度、高精度方向发展,对盲孔品质提出了更高要求。[方法]分别采用减成法(Tenting)和改良型半加成法(AMSAP)制备测试板,在经历100、200、500及1000次热油循环测试后,利用扫描电子显微镜观察盲孔底部的纳米空洞分布情况,并采用ImageJ软件统计其数量和尺寸,以研究基板制程工艺及等离子清洗对热油循环过程中层间盲孔底部空洞分布的影响。[结果]等离子清洗能显著抑制纳米空洞的形成与发展。在未进行等离子清洗的条件下,Tenting工艺在提升盲孔致密性方面比AMSAP工艺更具优势。所有样品的纳米空洞均在热油循环200次时最为严重,在500次与1000次后减轻。[结论]在封装基板制造中,采用Tenting工艺或引入等离子清洗工序,可有效改善盲孔底部品质,抑制纳米空洞,从而提升产品的长期可靠性。
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关键词
封装基板
盲孔
热油测试
纳米空洞
等离子清洗
减成工艺
改良型半加成工艺
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Keywords
package substrate
blind via
hot oil test
nanovoid
plasma cleaning
Tenting
advanced modified semi-additive process
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名高深宽比硅通孔的SAPS兆声波清洗技术
被引量：2
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作者
薛恺
陈福平
张晓燕
张明川
王晖
于大全
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机构
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
盛美半导体设备有限公司
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期377-382,共6页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02709-2)
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文摘
硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展。在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一。针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体交替技术的硅刻蚀反应副产物种类以及清洗过程清洗液在TSV孔内的流体特性进行分析,探讨了一种基于现有清洗液,利用空间交变相位移(SAPS)兆声波技术进行TSV刻蚀后的清洗方法,并阐述了该清洗工艺的特点及前后工艺间的相互影响。研究结果表明,SAPS兆声波清洗能高效去除深孔内刻蚀残余产物,在TSV工艺集成中有较好的应用前景。
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关键词
硅通孔(TSV)
SAPS兆声波清洗
3D
IC
盲孔清洗
清洗技术
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Keywords
through silicon via （TSV）
SAPS megasonic cleaning
3D IC
blind via cleaning
cleaning technology
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分类号
TN305.97
[电子电信—物理电子学]
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