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题名功率VUMOSFET器件阈值电压最佳化设计
被引量：1
- 1
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作者
石广源
王新
孙永斌
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机构
辽宁大学物理学院
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010年第6期131-133,共3页
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基金
沈阳市科技局科研项目(108186-2-00)
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文摘
从功率VUMOSFET器件结构出发,通过使用模拟软件SILVACO进行工艺和器件仿真,根据仿真结果分析了器件沟道掺杂浓度分布对阈值电压的影响,进而提出工艺改进的措施.对功率VUMOSFET的设计与生产具有指导意义.
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关键词
vumosfet
阈值电压
SILVACO
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Keywords
vumosfet
threshold voltage
SILVACO
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名条形栅VUMOSFET特征导通电阻的物理模型
- 2
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作者
石广源
王新
孙永斌
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机构
辽宁大学物理学院
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期861-863,共3页
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基金
沈阳市科技局专项科研资助项目(108186-2-00)
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文摘
以低压条形VUMOSFET单胞为例,系统分析VUMOSFET特征导通电阻(Ron)的各个构成部分。重点定性分析了特征导通电阻与器件的横向和纵向结构参数的关系。通过分析和仿真计算,得出条形VUMOSFET单胞设计的优化原则,并给出具体解析表达式。
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关键词
vumosfet
特征导通电阻
物理模型
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Keywords
vumosfet
Specific on-resistance
Physical model
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名VUMOSFET开关电容的研究
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作者
石广源
盖锡民
王新
孙永斌
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机构
辽宁大学物理学院
丹东安顺微电子有限公司
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出处
《辽宁大学学报（自然科学版）》
CAS
2009年第4期313-315,共3页
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基金
沈阳市科技局科研项目(108186-2-00)
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文摘
VUMOSFET是一种新型功率器件,它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容,而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素.本文剖析了VUMOSFET主要寄生电容的结构并给出计算公式,通过公式可以定量的减小寄生电容,从而降低开关时间,减少功率损耗,对设计具有指导作用.
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关键词
vumosfet
Cgs
CGD
CDS
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Keywords
vumosfet
Cgs
Cgd
Cds
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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