-
题名“被NP_施VPNP_受”的生成机制与动因
被引量：10
- 1
-
-
作者
叶建军
-
机构
温州大学人文学院
-
出处
《中国语文》
CSSCI
北大核心
2014年第3期247-258,288,共12页
-
基金
国家社科基金项目"近代汉语句式糅合现象研究"(批准号:12BYY086)的资助
-
文摘
近代汉语中具有被动意义的所谓零被句"被NP_施VPNP_受"往往表示消极义。从句式糅合的基本原则、同义句式的比较、主语羡余句式"NP_受被NP_施VPNP_受"的生成三个视角可以看出,"被NP_施VPNP_受"的生成机制是糅合,即由被动句式"(NP_受)被NP_施VP"与主动句式"NP_施VPNP_受"糅合而成。如果言者大脑中先浮现"(NP_受)被NP_施VP",后叠加"NP_施VPNP_受",那么"被NP_施VPNP_受"的生成动因是保证信息的完整性;反之,其生成动因是凸显言者的主观性,同时还有可能是保持话题的同一性。
-
关键词
“被NP施vpnp受”句式糅合
完整性
主观性
同一性
-
Keywords
‘bei+NP_(agent)+VP+NP_(patient)'
sentence blending
subjectivity
topic continuity
-
分类号
H146
[语言文字—汉语]
-
-
题名一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究
被引量：1
- 2
-
-
作者
唐昭焕
刘勇
王志宽
谭开洲
杨永晖
胡永贵
-
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
模拟集成电路重点实验室
-
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期758-761,共4页
-
文摘
提出了一种实用的高压BiCMOS工艺。该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及铬硅电阻、磷注入电阻等有源和无源器件。NJFET的夹断电压为-1.5 V,击穿电压为17 V;高压MOS管的击穿电压为37 V;齐纳二极管在25μA时其反向击穿电压为5.5 V。使用该工艺,研制了一款低压差线性稳压器(LDO),基准源静态电流小于1.5μA。该工艺还可广泛应用于高压A/D、D/A转换器的研制。
-
关键词
线性兼容CMOS工艺
BICMOS工艺
NJFET
vpnp
低压差线性稳压器
-
Keywords
Liner-compatible CMOS process
BiCMOS process
NJFET
vpnp
LDO regulator
-
分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名LDO稳压器调整管模块的分析与设计
被引量：1
- 3
-
-
作者
屈志毅
陈刚
朱章华
-
机构
兰州大学信息科学与技术学院
西安通信学院军用电子工程系
-
出处
《西安文理学院学报（自然科学版）》
2008年第1期26-29,共4页
-
文摘
调整管作为LDO线性稳压器的输出功率管是非常关键的模块.本文从LPNP和VPNP的版图和等效电路模型出发分析这两者的电流放大倍数β、集电极最大允许工作电流ICM和饱和压降VCE(SAT),并给出HSPICE的仿真结果,以此来把握LDO调整管模块的设计.
-
关键词
调整管
横向PNP管
自由集电极纵向PNP管
-
Keywords
compensating pipe
LPNP
vpnp
-
分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
