应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制

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作者 高嵩 庹先国 任家富 《中国测试技术》 CAS 2004年第2期12-13,16,共3页

针对直流电机制造过程中电枢绕组的静态匝间耐压试验 ,提出了一种应用VMOS场效应管作为放电器件的试验方法 ,并基于此研制了实用的匝间耐压试验仪。

关键词 匝间耐压试验仪 研制 vmosfet 直流电机 电枢绕组 场效应管

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功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发

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作者 潘志斌 徐国治 +1 位作者 李中江 段力军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期124-125,共2页

自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改... 自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改变着传统的器件设计方法.本软件包的作用即是利用各种CAD技术对功率VMOSFET进行参数选取和优化设计. 展开更多

关键词 vmosfet CAD 软件包 功率

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用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲

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作者 尹成群 李锦林 《电子测量与仪器学报》 CSCD 1991年第3期1-7,共7页

本文介绍一种用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲的实用电路.作者经过理论分析和多次实验,利用VN66AD器件研制成在50Ω负载电阻上产生幅度为35v,前后沿小于8ns,脉冲幅度和宽度连续调节,重复频率高于15MHz的脉冲源.为高速脉冲源的研制、应... 本文介绍一种用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲的实用电路.作者经过理论分析和多次实验,利用VN66AD器件研制成在50Ω负载电阻上产生幅度为35v,前后沿小于8ns,脉冲幅度和宽度连续调节,重复频率高于15MHz的脉冲源.为高速脉冲源的研制、应用展示了更广阔的前景. 展开更多

关键词 vmosfet 纳秒脉冲 电路

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用于电机的 VMOSFET 低压驱动电源 被引量：2

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作者 郑福林 黄云鹰 +1 位作者 李元密 林胜福 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期69-71,共3页

论述了开关管采用ｎ沟道ＶＭＯＳＦＥＴ构成中功率步进电机低压驱动电源的设计；给出了斩波开关控制电路、运行或锁定稳态电流自调节电路、边沿加速电路及电机驱动用功率半导体器件的选择。

关键词 步进电动机 场效应晶体管 低压驱动电源 vmosfet

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VMOSFET在进步电机驱动电源中的应用 被引量：2

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作者 符友方 《机械与电子》 1991年第5期24-27,共4页

本文通过粗略分析、对比试验表明:采用VMOSFET作为步进电机驱动电源后,可简化线路,提高效率、高频出力、可靠性和性能/价格比,特别适用在高速数控、高细分场合。

关键词 vmosfet 步进电动机 驱动电源 应用

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用于电机的VMOSFET驱动电源

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作者 黄友锐 魏庆农 +1 位作者 刘建国 谢品华 《仪表技术》 1998年第1期37-39,共3页

论述采用N沟道VMOS开关管构成的功率步进电动机驱动电源的设计,给出了电源中的斩波限流电路和调频调压电路.实验证明,该新型驱动装置的运行频率、矩频特性、效率等明显优于同类产品.

关键词 步进电机 驱动电源 场效应晶体管 VMOS开关管

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VMOSFET驱动电源

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作者 符友方 《微特电机》 北大核心 1989年第5期47-47,共1页

VMOSFET是国外八十年代初开始广泛应用的大功率器件,兼有双极型晶体管和一般场效应管的优点,特别适用于做步进电机的驱动电源。电路如图1所示,LCB052(或CH250)CMOS环形分配器的输出Q_A直接推动VMOS开关管T_1,其输出可直接驱动步进电机,... VMOSFET是国外八十年代初开始广泛应用的大功率器件,兼有双极型晶体管和一般场效应管的优点,特别适用于做步进电机的驱动电源。电路如图1所示,LCB052(或CH250)CMOS环形分配器的输出Q_A直接推动VMOS开关管T_1,其输出可直接驱动步进电机,省去一般电路中的晶体管电流和功率二级放大电路。 展开更多

关键词 步进电机 驱动电源 vmosfet

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全VMOSFET高保真功率放大器

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作者 吴刚 《电子世界》 1991年第11期4-6,共3页

关键词 vmosfet 功率放大器 场效应晶体管

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功率VMOSFET阈电压Vt的温度效应

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作者 潘志斌 徐国治 《西部电子》 1990年第2期29-32,共4页

关键词 功率 vmosfet 阈电压 温度效应

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功率VMOSFET优值Ron／BV的温度特性

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作者 潘志斌 徐国怡 《半导体杂志》 1991年第4期5-10,共6页

关键词 vmosfet 温度特性 计算 击穿电压

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新颖的N沟道VMOSFET驱动电路

11

作者 贾树行 邵奎义 《电子制作》 2005年第12期11-12,共2页

普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上．导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动．称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形．源极制馓在栅极的两边．栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压... 普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上．导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动．称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形．源极制馓在栅极的两边．栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压后形成的反型层导电沟道呈V形．漏极电流垂直向源极流动．到达表面时沿V形导电沟道流到源极S．故称为VMOSFET。 展开更多

关键词 MOSFET驱动电路 N沟道 vmosfet 水平方向 半导体材料 场效应管 工作电流 漏极电流 栅极 源极

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VMOSFET漏—源导通电阻的检测

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作者 李学勇 《电气时代》 2000年第11期20-20,共1页

VMOSFET,全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管,是一种广泛应用于开关电源、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子元件,它具有功耗小、温度稳定性高、输入阻抗大等许多优点。VMOSFET元件的主要技术参数有漏—源导通电阻(... VMOSFET,全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管,是一种广泛应用于开关电源、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子元件,它具有功耗小、温度稳定性高、输入阻抗大等许多优点。VMOSFET元件的主要技术参数有漏—源导通电阻(又称通态电阻)R_(DS(ON))、漏—源击穿电压U_((BR)DSS)、漏极直流电流I_D等。本文介绍一种业余条件下漏—源导通电阻的检测方法,当在削波器中使用VMOSFET元件时,该参数对于电路设计具有重要的意义。 本方法需要元件少,操作方便,结论可靠。具体检测电路如附图所示。图中元件选择如下:R_1。 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应管 漏-源导通电阻 检测vmosfet

原文传递

新型脉冲调制器的设计 被引量：4

13

作者 杨石玲 《火控雷达技术》 2002年第1期47-51,共5页

垂直导电型 MOSFET(VMOSFET)的出现是半导体功率器件领域的一项重大突破。本文介绍一种以 VMOSFET为高压开关的新型脉冲调制器 ,叙述其特点、工作原理及电路设计。该脉冲调制器可用于

关键词 vmosfet 脉冲调制器 磁控管 设计 雷达发射机

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电子束偏放电路的计算机辅助设计 被引量：1

14

作者 姚作宾 高文洪 王绍钧 《微细加工技术》 1996年第1期17-22,共6页

本文介绍了应用现行的ＰＳＰＩＣＥＶ５．０软件和ＣＡＤ优化技术，对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的ＶＭＯＳＦＥＴ参数进行处理。针对电路中的关键参数：导通电阻、开关速度、温度影响、灵敏度及噪声干扰进行分析、设计。

关键词 电子束曝光机 vmosfet CAD 功率放大器

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用于非弹性散射谱和俘获谱测量的高压脉冲电源设计 被引量：3

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作者 陈纯锴 乔双 关雪梅 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期122-125,共4页

设计了用于非弹性散射谱和俘获谱测量的时间、幅度可调离子源脉冲电源。采用单端正激式结构和软开关技术，逆变输出高压脉冲，占空比从0．1～0．5可调，最小脉宽8μs。目前该脉冲电源已成功应用于煤质快速分析仪中，测量精度明显优于直... 设计了用于非弹性散射谱和俘获谱测量的时间、幅度可调离子源脉冲电源。采用单端正激式结构和软开关技术，逆变输出高压脉冲，占空比从0．1～0．5可调，最小脉宽8μs。目前该脉冲电源已成功应用于煤质快速分析仪中，测量精度明显优于直流方式。 展开更多

关键词 脉冲电源 中子管 离子源 脉冲变压器 软开关

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四相步进电机驱动器 被引量：2

16

作者 常丽 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1999年第3期225-226,241,共3页

设计了专门用于磨床数控系统的四相步进电机驱动器，该驱动器采用了先进的各相同频脉宽调制斩波驱动方式，选用的是高性能的ＶＭＯＳＦＥＴ功率器件，并且采取了过流过热保护措施，大大提高了驱动器的可靠性，同时具有噪声小，运行平稳... 设计了专门用于磨床数控系统的四相步进电机驱动器，该驱动器采用了先进的各相同频脉宽调制斩波驱动方式，选用的是高性能的ＶＭＯＳＦＥＴ功率器件，并且采取了过流过热保护措施，大大提高了驱动器的可靠性，同时具有噪声小，运行平稳等特点．经实验运行证明，效果良好． 展开更多

关键词 步进电机 驱动器 磨床 数控系统

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一种新型脉冲调制器的设计

17

作者 郭建军 《探测与定位》 2004年第2期65-69,共5页

介绍一种以VMOSFET为调制开关的脉冲调制器，叙述其工作原理及电路设计．该脉冲调制器适于X波段中功率磁控管发射机．

关键词 脉冲调制器 vmosfet 工作原理 雷达发射机 磁控管

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零件分类编码系统信息浅析

18

作者 崔敏 《五邑大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第3期47-50,共4页

本文阐述了零件分类编码系统在成组技术中的重要性，并从编码分类系统的结构、信息源、译码机能等方面对常见的几种分类编码系统的信息进行分析。

关键词 成组技术 分类编码系统 信息源 译码 零件分类

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用场效应管实现恒流斩波型步进电动机驱动电源 被引量：2

19

作者 延俊华 王裕清 《微电机》 北大核心 1991年第3期8-10,共3页

介绍一种用场效应管实现的单电压斩波型驱动电源的原理与性能,并给出了电路参数的选取方包。试验证明,该驱动电源的运行频率、矩频特性、效率等明显优于同类产品。

关键词 步进电动机 场效应晶体管 斩波器

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VMOS场效应管开关电源

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作者 张兆林 李桂昌 《山东电子》 1994年第4期26-28,共3页

本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两... 本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。 展开更多

关键词 场效应管 开关电源 vmosfet

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