期刊文献+
共找到16篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟
1
作者 杨谟华 方朋 《电子科技导报》 1998年第12期19-23,共5页
论述了VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟领域的技术背景、研究特点、技术进展与现代监测分析技术,并进而讨论了VLSI可靠性工程技术发展趋势。
关键词 vlsi/ulsi 可靠性 监测 模拟 BERT 寿命 失效率
在线阅读 下载PDF
VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟
2
作者 杨谟华 肖兵 刘诺 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期218-222,共5页
论述分析了现代VLSI/ULSI电路可靠性监测与模拟技术的研究进展、应用趋势以及相关的新型监测分析技术,并讨论了其研究设计与发展方向。
关键词 vlsi ulsi 可靠性 监测 集成电路
在线阅读 下载PDF
集成电路固有失效机理的可靠性评价综述 被引量:1
3
作者 章晓文 周斌 +1 位作者 牛皓 林晓玲 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第7期1-11,共11页
ULSI/VLSI集成电路芯片的可靠性既与设计有关,也与工艺加工过程有关,即芯片的可靠性是设计进去、制造出来。设计是集成电路芯片可靠性的基础,工艺制造是集成电路芯片可靠性的实现。要使超大规模集成电路在特定的寿命期间内能够稳定地工... ULSI/VLSI集成电路芯片的可靠性既与设计有关,也与工艺加工过程有关,即芯片的可靠性是设计进去、制造出来。设计是集成电路芯片可靠性的基础,工艺制造是集成电路芯片可靠性的实现。要使超大规模集成电路在特定的寿命期间内能够稳定地工作,必须对影响集成电路芯片可靠性的固有失效机理进行评价。评价的目的是确定磨损失效的机理,通过改进设计和工艺加工水平确保集成电路芯片在整个产品寿命期间有良好的可靠性。本文梳理了国内外集成电路芯片固有失效机理的可靠性评价标准,阐述了这些固有失效机理的产生机制,总结了不同固有失效机理的试验方法,提出了固有失效机理的可靠性评价要求。这些标准、方法和可靠性评价要求具有很强的时效性,集成电路芯片固有失效机理的可靠性评价将在工艺开发、建库及工程服务中发挥作用,并有助于推动国内合格生产线认证的开展。 展开更多
关键词 ulsi/vlsi集成电路芯片 固有失效机理 可靠性评价标准 可靠性试验方法
在线阅读 下载PDF
短沟道MOSFET解析物理模型 被引量:2
4
作者 杨谟华 于奇 +2 位作者 肖兵 谢晓峰 李竞春 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期84-86,92,共4页
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和... 本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型.模型输出与华晶等样品测试MINIMOS模拟结果较为吻合。 展开更多
关键词 短沟道 MOSFET 解析物理模型 vlsi/ulsi
在线阅读 下载PDF
深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取 被引量:1
5
作者 陈勇 钟玲 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期487-491,共5页
详细分析了适用于VLSI/ULSI设计的深亚微米BSIM2MOS器件模型,并在深入讨论短沟道MOS器件物理效应的基础上,对沟道长1μm栅氧化层厚度25nm的nMOSFET进行了测试和BSIM2模型参数的提取,且对结果... 详细分析了适用于VLSI/ULSI设计的深亚微米BSIM2MOS器件模型,并在深入讨论短沟道MOS器件物理效应的基础上,对沟道长1μm栅氧化层厚度25nm的nMOSFET进行了测试和BSIM2模型参数的提取,且对结果进行了分析和讨论。结果表明,BSIM2具有精确、参数易提取、计算速度快的特点,是VLSI/ULSI模拟设计的重要工具之一。 展开更多
关键词 深亚微米 集成电路 计算机辅助设计 vlsi/ulsi
在线阅读 下载PDF
一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法 被引量:2
6
作者 杨晓东 田立林 陈文松 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期834-840,共7页
本文以电荷泵技术为测量手段,结合数值计算,提出了一种新的测量界面态横向分布的方法.与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引入新的蜕变、易于实现的特点,适用于研究短沟道器件的热载流子蜕变效应.用该方法对1.2μmL... 本文以电荷泵技术为测量手段,结合数值计算,提出了一种新的测量界面态横向分布的方法.与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引入新的蜕变、易于实现的特点,适用于研究短沟道器件的热载流子蜕变效应.用该方法对1.2μmLDD结构n-MOSFET进行了研究,得到了应力后漏端附近产生的界面态的横向分布以及应力后阈值电压、平带电压的变化。 展开更多
关键词 电荷泵技术 界面态 设计 IC vlsi/ulsi
在线阅读 下载PDF
纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术 被引量:5
7
作者 成立 李春明 +1 位作者 王振宇 祝俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期30-34,44,共6页
综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。
关键词 集成电路 纳米CMOS器件 超浅结离子掺杂 等离子体浸没掺杂 投射式气体浸入激光掺杂 离子淋浴掺杂
在线阅读 下载PDF
敢问中国电子气体路在何方 被引量:15
8
作者 孙福楠 吴江红 王秋娥 《低温与特气》 CAS 2005年第6期1-3,共3页
对中国电子气体的历史进行了回顾,通过对某些具有代表性的电子气体的描述,可以清晰地看到我国电子气体同发达国家的差距。对中国电子气体未来的发展走向进行了剖析。
关键词 电子气体 vlsi ulsi
在线阅读 下载PDF
CEE-Gr:A Global Router with Performance Optimization Under Multi-Constraints
9
作者 张凌 经彤 +3 位作者 洪先龙 许静宇 XiongJinjun HeLei 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期508-515,共8页
A global routing algorithm with performance optimization under multi constraints is proposed,which studies RLC coupling noise,timing performance,and routability simultaneously at global routing level.The algorithm is... A global routing algorithm with performance optimization under multi constraints is proposed,which studies RLC coupling noise,timing performance,and routability simultaneously at global routing level.The algorithm is implemented and the global router is called CEE Gr.The CEE Gr is tested on MCNC benchmarks and the experimental results are promising. 展开更多
关键词 vlsi/ulsi physical design global routing multi constraints performance optimization
在线阅读 下载PDF
IC产业链中的新技术应用与产业发展对策 被引量:2
10
作者 成立 李春明 +1 位作者 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期57-63,共7页
论述了IC产业链中包括的主要技术,例如芯片设计、芯片制造、芯片封装新技术和支撑条件等,并讨论了这些新技术及其产品的研发、应用和发展策略。
关键词 IC产业链 vlsi SOC 微细加工 发展对策
在线阅读 下载PDF
高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术 被引量:17
11
作者 成立 李彦旭 +1 位作者 董素玲 汪洋 《电子工艺技术》 2002年第1期24-27,共4页
介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便... 介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便携式电子设备和其它 VLSI和 展开更多
关键词 BICMOS电路 双极互补金属氧化物半导体 集成电路 逻辑电路
在线阅读 下载PDF
IC的40年回顾与展望──纪念IC诞生40周年 被引量:2
12
作者 朱秉晨 《微处理机》 1998年第1期1-6,共6页
围绕IC40年大事记的回顾,表明它已跨越了几个IC发展时代。通过对其发展趋势的分析,展望了IC的跨世纪发展前景。
关键词 集成电路 LSI vlsi 发展趋势
在线阅读 下载PDF
在集成电路量产中减少氧化膜CMP(化学机械研磨)的缺陷(英文) 被引量:1
13
作者 张映斌 张世纬 +1 位作者 张斐尧 衣冠军 《电子工业专用设备》 2003年第4期21-24,共4页
在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一。实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息。例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;... 在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一。实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息。例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;只有在先进的检测设备下才可见的轻微、连续的划伤与与研磨剂有关。对常见缺陷进行分类,并提供一些可见的缺陷产生机制,同时也讨论了如何通过日常检测来监视真正产品上的缺陷。 展开更多
关键词 氧化膜CHP 缺陷 划伤 超大规模集成电路
在线阅读 下载PDF
一种高速低耗全摆幅BiCMOS反相器
14
作者 董素玲 成立 《徐州建筑职业技术学院学报》 2003年第4期33-36,共4页
通过分析影响双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素 ,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS反相器 ,提出了采用先进的 0 .8μmBiCMOS工艺制作反相器的一些技术要点 .该反相器可以工作在 1.5V ,信... 通过分析影响双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素 ,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS反相器 ,提出了采用先进的 0 .8μmBiCMOS工艺制作反相器的一些技术要点 .该反相器可以工作在 1.5V ,信号传输延迟很小 ,速度高于同类CMOS电路 10倍以上 。 展开更多
关键词 BICMOS 反相器 全摆幅 双极互补金属氧化物半导体 超大规模集成电路
在线阅读 下载PDF
集成电路中金属硅化物的发展与演变
15
作者 方志军 汤继跃 许志 《集成电路应用》 2008年第9期51-52,共2页
金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物(self-aligned silicide)工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。
关键词 大规模集成电路 金属硅化物 vlsi/ulsi 演变 自对准硅化物 制造工艺 器件技术 CMOS
在线阅读 下载PDF
具有多目标形状选择的布局方法 被引量:2
16
作者 薄建国 俞明永 +3 位作者 尹锦柏 庄文君 洪先龙 连永君 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期1-9,共9页
本文简述具有多目标形状选择的布局算法,包括结群树的形成、多目标形状的产生及目标函数的选择、布局过程简介以及本算法思想对BBL布局的贡献。文章同时给出本算法对benchmark,工业界及我们选用的实例的运行结果,并和美国U.C.Berkeley的... 本文简述具有多目标形状选择的布局算法,包括结群树的形成、多目标形状的产生及目标函数的选择、布局过程简介以及本算法思想对BBL布局的贡献。文章同时给出本算法对benchmark,工业界及我们选用的实例的运行结果,并和美国U.C.Berkeley的BEAR系统进行了比较。结果表明,本算法无论在质量上或是在速度上,都是令人满意的。本布局系统已于1989年12月在国家攻关项目PANDA系统上,用C语言编程,在SUN、HP、GPX、VAX等机器上实现。 展开更多
关键词 集成电路 多目标 形状 选择 布局
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部