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题名硅场发射三极管的研究
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作者
陈盘敖
陈群霞
黄仲平
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机构
南京电子器件研究所
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出处
《光电子技术》
CAS
1996年第4期345-348,共4页
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文摘
简单介绍了硅场发射三极管的制造，三极管的I－V特性，在实验和理论上研究了栅门高度对发射电流的影响。
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关键词
场发射
真空
场发射三极管
vfet
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Keywords
field emission,vacuum field emission
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分类号
TN112
[电子电信—物理电子学]
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题名平面底栅型真空场发射三极管
被引量：2
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作者
吴胜利
龙铭刚
贾东波
张劲涛
王晓
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机构
西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室
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出处
《真空电子技术》
2018年第3期1-5,共5页
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基金
国家自然科学基金面上项目-纳米缝隙场发射真空晶体管结构与特性研究(项目编号:61771383)
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文摘
真空场发射三极管(VFET)是一种真空微电子器件,采用纳米缝隙真空沟道实现电子的传输,兼具真空管和半导体晶体管的优点。本文介绍了国内外VFET的研究进展,提出了一种平面底栅型VFET结构,对其电子发射特性和栅极调制特性进行研究。结果表明,三极管真空沟道中的电子发射为场致电子发射,栅极具有调制作用。所制备的VFET可在0.1Pa条件下工作,如进一步减小真空沟道尺寸,有望实现大气环境下工作,展现出潜在的发展前景。
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关键词
真空场发射三极管
平面底栅结构
电子发射特性
栅极调控机理
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Keywords
vfet
Planar structure with bottom-gate
Electron emission characteristics
Gate control mechanism
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分类号
TN11
[电子电信—物理电子学]
TN48
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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