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2000 V双P型埋层终端结构4H-SiC VDMOS击穿特性研究
1
作者 苗新法 李文惠 《微电子学》 北大核心 2025年第3期460-465,共6页
在传统平面栅型4H-SiC VDMOS的结构基础上,根据场限环理论,设计并优化了一种2000 V具有双P型埋层终端结构的VDMOS,探究了P型埋层各参数和P型体区掺杂浓度对其击穿特性的影响。经仿真优化各项参数,击穿电压达2860 V,相较于传统结构的4H-S... 在传统平面栅型4H-SiC VDMOS的结构基础上,根据场限环理论,设计并优化了一种2000 V具有双P型埋层终端结构的VDMOS,探究了P型埋层各参数和P型体区掺杂浓度对其击穿特性的影响。经仿真优化各项参数,击穿电压达2860 V,相较于传统结构的4H-SiC VDMOS提高了90.7%。器件雪崩击穿时表面电场最大峰值为3.26×10^(6)V/cm,且电场分布较均匀,终端利用率高,有效长度仅为15μm,无增加额外复杂工艺,易于实现。 展开更多
关键词 埋层终端 表面电场 击穿电压 4H-SIC vdmos
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国产商用VDMOS用于高剂量测量的实验研究
2
作者 潘志吉 刘立业 +5 位作者 卫晓峰 赵原 曹勤剑 王晓龙 郑智睿 焦岩 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第4期455-462,共8页
p型MOSFET剂量计广泛应用于各种高剂量环境下的辐射监测,因其需要采用特殊半导体制造工艺而导致成本过高,本文选用普通国产商用VDMOS进行剂量学实验,完成在线实时和被动测量情景下的灵敏度、线性、量程、衰退等特性的对比探究,进行退火... p型MOSFET剂量计广泛应用于各种高剂量环境下的辐射监测,因其需要采用特殊半导体制造工艺而导致成本过高,本文选用普通国产商用VDMOS进行剂量学实验,完成在线实时和被动测量情景下的灵敏度、线性、量程、衰退等特性的对比探究,进行退火后复用性能和剂量率响应特性研究,并对加偏置电压和串联模式提升VDMOS辐照灵敏度的方法进行验证。实验中的VDMOS在0.05~40 Gy剂量范围内线性良好,在线测量模式下辐照灵敏度为6.99 mV/Gy,零偏置被动测量模式下辐照灵敏度为2.36 mV/Gy,使用加10 V偏置电压和4个串联的方式可将辐照灵敏度分别提升为单个VDMOS零偏置模式的4.96倍和4.24倍,另外,该VDMOS退火复用特性和衰退特性表现良好。实验结果表明,国产商用VDMOS是一种低成本测量高剂量的有效方法。 展开更多
关键词 国产 商用vdmos 高剂量测量 低成本
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AI辅助VDMOS器件负栅压单粒子加固设计探索
3
作者 廖新芳 刘毅 +2 位作者 徐长卿 雷丹阳 杨银堂 《现代应用物理》 2025年第1期189-198,共10页
针对VDMOS器件在负栅压偏置下抗单粒子能力严重不足的技术问题,结合地面重离子试验数据,基于TCAD仿真分析得到其负栅压单粒子失效机制,并探索得到可行的加固技术。在此基础上,开展基于人工智能辅助VDMOS器件负栅压单粒子加固设计研究,... 针对VDMOS器件在负栅压偏置下抗单粒子能力严重不足的技术问题,结合地面重离子试验数据,基于TCAD仿真分析得到其负栅压单粒子失效机制,并探索得到可行的加固技术。在此基础上,开展基于人工智能辅助VDMOS器件负栅压单粒子加固设计研究,综合利用正交设计、数据增强、神经网络建模等技术手段,得到复杂加固条件下VDMOS器件性能预测模型。最后,基于该预测模型,利用遗传算法搜索得到最优化的加固设计方案,使优化后器件在负栅压偏置下的抗单粒子能力得到大幅度提升,器件关键电学参数的退化程度也能很好地满足实际产品的技术指标需求。 展开更多
关键词 vdmos器件 负栅压 单粒子效应 神经网络 优化设计
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250V VDMOS场限环终端的抗单粒子加固研究
4
作者 唐新宇 徐海铭 +1 位作者 廖远宝 张庆东 《微电子学与计算机》 2025年第1期117-124,共8页
基于Sentaurus TCAD二维数值仿真方法,对N沟道250 V功率垂直双扩散金属氧化物半导体器件(Vertical Double-diffsed:Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)的场限环(Field Limit Ring,FLR)终端单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)机理进行... 基于Sentaurus TCAD二维数值仿真方法,对N沟道250 V功率垂直双扩散金属氧化物半导体器件(Vertical Double-diffsed:Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)的场限环(Field Limit Ring,FLR)终端单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)机理进行了深入研究。在此基础上,提出了终端缓冲层的加固方案,并通过实验证明了其有效性。FLR终端的SEB最敏感位置在主结与FLR1之间。重离子入射后,产生大量的电子-空穴对,并在漏端电场的加速作用下发生碰撞电离,产生极高的瞬态电流,在局部产生高热引发烧毁。针对FLR终端的单粒子性能提升,提出了缓冲外延层的优化方案。经过仿真验证,缓冲层可以削弱衬底-外延交界处的碰撞电离,降低了重离子入射产生的峰值电流,并缩短电流恢复时间,能够将FLR结构的SEB安全性提升50%以上。对终端缓冲层加固的样品进行118Ta离子实验验证,与普通结构对比,结果证明该结构可以有效降低重离子对终端区的损伤,辐照后IDSS漏电降低4个量级以上。 展开更多
关键词 功率vdmos 单粒子 结终端 场限环 缓冲层
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深槽型半超结VDMOS器件仿真研究
5
作者 李尧 苟恒璐 +4 位作者 谌利欢 牛瑞霞 陈文舒 龙仪 白开亮 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期255-260,共6页
基于超结理论,设计出一种深槽型半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(DT-SSJ VDMOS),通过Silvaco TCAD仿真平台模拟了其电学特性,并与深槽型VDMOS(DT-VDMOS)及深槽型超结VDMOS(DT-SJ VDMOS)进行对比分析。深沟槽打破了栅氧化... 基于超结理论,设计出一种深槽型半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(DT-SSJ VDMOS),通过Silvaco TCAD仿真平台模拟了其电学特性,并与深槽型VDMOS(DT-VDMOS)及深槽型超结VDMOS(DT-SJ VDMOS)进行对比分析。深沟槽打破了栅氧化界面垂直电场高斯定律的限制,降低了栅氧化层峰值电场。相对于超结结构,半超结的引入简化了工艺,同时提升了器件稳定性。仿真结果表明,DT-SSJ VDMOS的击穿电压(BV)为1000 V,比导通电阻(Ron,sp)为26.78 mΩ·cm^(2),品质因数(FOM)为37.565 MW/cm^(2)。与DT-VDMOS器件相比,DT-SSJ VDMOS的BV提高了100%,FOM提高了57%;与DT-SJ VDMOS器件相比,其Ron,sp降低了35.9%,FOM提升了5%。深沟槽和半超结结构的结合,有效平衡了击穿电压和比导通电阻之间的矛盾,显著提升了器件的整体性能。 展开更多
关键词 深槽型半超结vdmos器件 半超结结构 深沟槽 击穿电压 比导通电阻
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基于少数载流子寿命控制技术的增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件的单粒子烧毁效应研究
6
作者 王韬 陈加伟 +4 位作者 段鑫沛 张黎莉 董磊 殷亚楠 周昕杰 《固体电子学研究与进展》 2025年第3期1-6,共6页
探究了具有电流阻挡层(Current blocking layer,CBL)的增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件的单粒子烧毁(Single-event burnout,SEB)机制及其抗辐射加固方法。通过TCAD仿真分析,揭示了SEB关键物理机制:重离子轰击导致沟道?源极连接区域产生... 探究了具有电流阻挡层(Current blocking layer,CBL)的增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件的单粒子烧毁(Single-event burnout,SEB)机制及其抗辐射加固方法。通过TCAD仿真分析,揭示了SEB关键物理机制:重离子轰击导致沟道?源极连接区域产生空穴累积,并通过碰撞电离过程不断生成额外空穴,最终引发局部热失效和器件烧毁。针对这一机制,本文提出少数载流子寿命控制(Low carrier lifetime control,LCLC)技术,通过引入深能级缺陷降低载流子寿命,有效优化空穴浓度与峰值电场分布。实验表明,在Vds=400 V、Vgs=0 V的偏置条件下,当重离子线性能量转移值为49 Me V·cm^2/mg时,LCLC技术将器件峰值温度从2556 K降至1066 K,显著低于材料熔点(2000 K)。该技术通过优化空穴分布和电场分布,有效抑制了碰撞电离效应和热功率集中现象,为增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件的抗SEB加固设计提供了新的技术路径。 展开更多
关键词 氧化镓 TCAD仿真 vdmos器件 单粒子烧毁
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VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
7
作者 徐大为 徐政 +3 位作者 吴素贞 陈睿凌 赵小寒 彭宏伟 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第8期72-77,共6页
通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一... 通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 单粒子效应 简化电路模型 表面电压
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高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究 被引量：1
8
作者 王韬 张黎莉 +2 位作者 段鑫沛 殷亚楠 周昕杰 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期6-12,共7页
以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线... 以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线性能量转移为98 MeV·cm^(2)/mg的重离子攻击,SiO_(2)栅介质器件则发生了单粒子栅穿效应(Single event gate rupture,SEGR)。采用HfO_(2)作为栅介质时源漏电流和栅源电流分别下降92%和94%,峰值电场从1.5×10^(7)V/cm下降至2×10^(5)V/cm,避免了SEGR的发生。SEGR发生的原因是沟道处累积了大量的空穴,栅介质中的临界电场超过临界值导致了击穿,而高k栅介质可以有效降低器件敏感区域的碰撞发生率,抑制器件内电子空穴对的进一步生成,降低空穴累积的概率。 展开更多
关键词 氧化镓 单粒子栅穿 TCAD仿真 vdmos器件
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减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究 被引量：6
9
作者 肖志强 向军利 +4 位作者 衡草飞 陈林 曾天志 陈万军 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期305-307,共3页
提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%... 提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的QgdRds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%。 展开更多
关键词 vdmos FET 栅电荷 密勒电容 导通电阻 反向恢复电荷
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功率VDMOS器件的研究与发展 被引量：10
10
作者 杨法明 杨发顺 +3 位作者 张锗源 李绪诚 张荣芬 邓朝勇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期623-629,673,共8页
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造... 简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。 展开更多
关键词 功率器件 垂直双扩散功率场效应晶体管(vdmos) 击穿电压 导通电阻 SIC材料
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基于ANSYS的功率VDMOS器件的热分析及优化设计 被引量：13
11
作者 华庆 殷景华 +1 位作者 焦国芹 刘晓为 《电子器件》 CAS 2009年第2期354-356,共3页
针对TO-220AB封装形式的功率VDMOS器件,运用有限元法建立器件的三维模型,对功率耗散条件下器件的温度场进行热学模拟和分析,研究了基板厚度、粘结层材料及粘结层厚度对器件温度分布的影响。分析结果表明,由芯片至基板的热通路是器件的... 针对TO-220AB封装形式的功率VDMOS器件,运用有限元法建立器件的三维模型,对功率耗散条件下器件的温度场进行热学模拟和分析,研究了基板厚度、粘结层材料及粘结层厚度对器件温度分布的影响。分析结果表明,由芯片至基板的热通路是器件的主要散热途径,基板最佳厚度介于1~1.2 mm之间,且粘结层的导热系数越大、厚度越薄,越有利于器件的散热。 展开更多
关键词 vdmos 有限元 热分析 ANSYS 优化设计
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Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷 被引量：6
12
作者 蔡小五 海潮和 +3 位作者 王立新 陆江 刘刚 夏洋 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期927-930,共4页
为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化... 为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况。研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2。 展开更多
关键词 vdmos 辐照 氧化物陷阱电荷 界面态电荷
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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 被引量：12
13
作者 李泽宏 张磊 谭开洲 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期621-623,共3页
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据... 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 薄栅氧化层 阈值电压漂移 总剂量辐照
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功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究 被引量：4
14
作者 高博 刘刚 +3 位作者 王立新 韩郑生 张彦飞 宋李梅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期115-119,124,共6页
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系。实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参... 研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系。实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参数的漂移量相差不大,不具有低剂量率辐射损伤增强效应。认为可以用高剂量率辐照后高温退火的方法评估器件的总剂量辐射损伤。实验结果为该型号抗辐射加固功率VDMOS器件在航空、航天等特殊领域的应用提供了技术支持。 展开更多
关键词 vdmos 抗辐射加固 总剂量辐射 剂量率辐射 辐射效应
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高压功率VDMOS管的设计研制 被引量：17
15
作者 王英 何杞鑫 方绍华 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期5-8,共4页
随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于... 随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于理论分析在工艺上成功实现了耐压为500V,导通电流为3A的功率VDMOS器件。 展开更多
关键词 vdmos 优化外延层 终端保护技术
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功率VDMOS器件封装热阻及热传导过程分析 被引量：5
16
作者 高巍 殷鹏飞 +2 位作者 李泽宏 张金平 任敏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期29-34,共6页
热阻是反映电子器件结温的关键热参数,也是指导用户在复杂应用环境中设计热特性的关键参数。本文研究了ITO-220AB封装器件由内至外不同分层材料特性对于器件热阻及热传导的影响。通过测量四种规格VDM OS器件结到环境热阻(R_(thj-a))及... 热阻是反映电子器件结温的关键热参数,也是指导用户在复杂应用环境中设计热特性的关键参数。本文研究了ITO-220AB封装器件由内至外不同分层材料特性对于器件热阻及热传导的影响。通过测量四种规格VDM OS器件结到环境热阻(R_(thj-a))及结到管壳热阻(R_(thj-c)),并采用结构函数分析法,分析热量从芯片到管壳外的热传导过程发现,随着芯片面积的增大,热阻线性减小,利于器件散热;芯片与框架间过厚的焊锡层非常不利于热量的传导;铜框架厚度间接影响了外部包裹树脂厚度,从而改变了树脂所占器件热阻R_(thj-c)的比例,树脂材料越厚,器件热阻会明显增大。 展开更多
关键词 热阻 结温 vdmos ITO-220AB 热传导 焊锡
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VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计 被引量：6
17
作者 何进 王新 陈星弼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期977-982,共6页
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在此基础上提出了ＶＤＭＯＳ为均匀掺杂外延区时的优化设计理论：对于各种高... 本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在此基础上提出了ＶＤＭＯＳ为均匀掺杂外延区时的优化设计理论：对于各种高压ＶＤＭＯＳ，只要外延区厚度取为同衬底浓度下突变结击穿时耗尽层宽度的最佳分割长度，即穿通因数Ｆ的倒数η为０７５ 时，就可保证外延区Ｒｏｎ为最小．凭借此理论，本文首次推出了ＶＤＭＯＳ外延区优化设计的严格理论公式，纠正了一些文献引用经验关系或突变结关系导出的设计公式的不准确性及错误结论．这些理论结果可直接作为功率ＭＯＳ等非电导调制器件的设计准则． 展开更多
关键词 vdmos 场效应晶体管 掺杂 外延区 优化设计
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关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究 被引量：7
18
作者 张丽 庄奕琪 +1 位作者 李小明 姜法明 《电子器件》 EI CAS 2005年第1期105-109,共5页
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数... 在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果。 展开更多
关键词 二次击穿 双极晶体管 功率晶体管vdmos 寄生晶体管 MEDICI
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功率VDMOS开关特性与结构关系 被引量：4
19
作者 戴显英 张鹤鸣 +1 位作者 李跃进 王伟 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期98-101,共4页
ＶＤＭＯＳ的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响．笔者设计和制造了３种体内结构与常规ＶＤＭＯＳ相同，而表面结构不同的器件．实验结果表明，这３种结构器件的开关时间都明显减小．
关键词 vdmos 器件结构 开关时间
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星用功率VDMOS器件SEGR效应研究 被引量：3
20
作者 王立新 高博 +4 位作者 刘刚 韩郑生 张彦飞 宋李梅 吴海舟 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期434-437,共4页
对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应... 对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 SEGR效应 加速器 注量率
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