期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
燃烧反应合成钒铝碳材料 被引量：2
1
作者 梁宝岩 张洁 穆云超 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2013年第3期447-451,共5页
以V、Al和C粉末为原料,采用燃烧反应合成技术制备V2AlC材料,比较了2种燃烧合成方式,即热爆合成与自蔓延高温合成工艺对反应合成V2AlC的影响。对V-Al-C体系进行热力学分析,利用X射线衍射和扫描电镜对合成产物进行物相组成和产物形貌分析... 以V、Al和C粉末为原料,采用燃烧反应合成技术制备V2AlC材料,比较了2种燃烧合成方式,即热爆合成与自蔓延高温合成工艺对反应合成V2AlC的影响。对V-Al-C体系进行热力学分析,利用X射线衍射和扫描电镜对合成产物进行物相组成和产物形貌分析,探讨反应合成V2AlC材料的反应机制。研究结果表明,2V/Al/C粉体热爆合成产物的主相为V2AlC和少量的VCx和AlV3。2V/Al/C的热爆产物中V2AlC晶粒呈板条状形貌,长度约为10μm。原料中添加过量的Al,可消除AlV3副产物,并可显著促进V2AlC的合成,但不会形成单相V2AlC。添加适量的Sn可促进单相V2AlC的合成。2V/Al/C粉体自蔓延高温合成的产物的主相为V2AlC,少量为VC0.75。原料中添加过量的Al,可促进V2AlC单相反应合成。2V-Al-C体系的绝热燃烧温度达2 767 K。并提出反应合成V2AlC的反应机制,即VC与V-Al液相反应合成板条状晶粒的V2AlC材料。 展开更多
关键词 v2alc 燃烧反应 合成
在线阅读 下载PDF
热爆反应合成钒铝碳材料
2
作者 李新 梁宝岩 刘荣跃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期52-55,共4页
以V、Al和C粉体为原料,采用热爆合成技术制备V2AlC材料,并对V-Al-C体系进行了热力学分析,利用X射线衍射和扫描电镜对合成产物进行了相组成和产物形貌分析,探讨了热爆反应合成V2AlC材料的反应机制。结果表明,V-Al-C体系的绝热燃烧温度达2... 以V、Al和C粉体为原料,采用热爆合成技术制备V2AlC材料,并对V-Al-C体系进行了热力学分析,利用X射线衍射和扫描电镜对合成产物进行了相组成和产物形貌分析,探讨了热爆反应合成V2AlC材料的反应机制。结果表明,V-Al-C体系的绝热燃烧温度达2767K;2V/Al/C粉体热爆合成产物的主相为V2AlC,并含有少量的VCx和AlV3;原料中添加过量的Al,可消除AlV3副产物,并显著地促进V2AlC反应合成;2V/1.3Al/C热爆产物中V2AlC呈片状和板条状两种晶体形貌,长度大约为10μm;热爆反应合成V2AlC的机制为VC与V-Al共晶液相反应合成V2AlC。 展开更多
关键词 v2alc 热爆反应 合成
在线阅读 下载PDF
高纯V_2AlC的无压烧结制备及表征 被引量：1
3
作者 高少华 缪奶华 周健 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期868-873,共6页
采用无压烧结的方法,以V、Al、C混合粉末为原料制备V_2AlC粉体材料。通过不同烧结温度下物相的演变过程对反应路径进行研究,同时探究了烧结助剂Na F对烧结过程的影响。实验结果表明,在1300~1500℃温度区间内V_3Al_2、C和VC发生反应生成V... 采用无压烧结的方法,以V、Al、C混合粉末为原料制备V_2AlC粉体材料。通过不同烧结温度下物相的演变过程对反应路径进行研究,同时探究了烧结助剂Na F对烧结过程的影响。实验结果表明,在1300~1500℃温度区间内V_3Al_2、C和VC发生反应生成V_2AlC相,且无压烧结制备高纯V_2AlC的最佳工艺为1 500℃保温2 h,元素摩尔配比为V∶Al∶C=2∶1.2∶1。此外,烧结助剂Na F的使用加快了反应过程,并使得反应温度降至1 400℃。实验得到的高纯度、颗粒尺寸分布适中(40~100μm)的V_2AlC可用做提高材料耐磨性的增强体以及二维材料V_2C的前驱体。 展开更多
关键词 MAX相 v2alc 无压烧结 反应路径 烧结助剂
原文传递
V_2AlC粉体的常压合成及其在氢氟酸中的腐蚀行为
4
作者 周爱国 孙丹丹 +2 位作者 张恒 李鹏辉 黄礼文 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期507-510,共4页
以钒粉、铝粉和石墨粉为原料,采用气氛保护管式炉,在1500°C保温5 h制备出高纯V_2AlC陶瓷粉体,并研究了不同温度和时间条件下,氢氟酸对V_2AlC的腐蚀行为。结果表明,在50°C到65°C条件下,粒度38μm(400目)的V_2AlC粉体在49... 以钒粉、铝粉和石墨粉为原料,采用气氛保护管式炉,在1500°C保温5 h制备出高纯V_2AlC陶瓷粉体,并研究了不同温度和时间条件下,氢氟酸对V_2AlC的腐蚀行为。结果表明,在50°C到65°C条件下,粒度38μm(400目)的V_2AlC粉体在49%氢氟酸中浸泡搅拌120 h不能制备出相应的V2C二维晶体。70°C下浸泡40 h后,逐渐出现少量的Al2O3和V2O5,并观察到少量二维透明薄片结构,预测是V2C二维晶体,更高的温度和时间条件下则会生成未知物相。 展开更多
关键词 V2Al C陶瓷 常压合成 腐蚀性 MXene 二维晶体
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部