以 L i2 CO3 和 NH4 VO3 为原料 ,低温合成了 L i1+ x V3 O8.通过对中间产物的热分析 ,选定了低温合成 L i1+ x V3 O8的适宜煅烧温度为 30 0℃ .研究表明 ,L i1+ x V3 O8,原料 L i/ V摩尔比应大于1∶ 3.以 Li1+ x V3 O8作为正极材料 ,...以 L i2 CO3 和 NH4 VO3 为原料 ,低温合成了 L i1+ x V3 O8.通过对中间产物的热分析 ,选定了低温合成 L i1+ x V3 O8的适宜煅烧温度为 30 0℃ .研究表明 ,L i1+ x V3 O8,原料 L i/ V摩尔比应大于1∶ 3.以 Li1+ x V3 O8作为正极材料 ,金属锂为负极组装了模拟电池 ,高、低温合成材料具有较高的放电容量和放电电压 .XRD、SEM分析结果说明低温合成样品的结晶度低、粒径较小 .展开更多
基于密度泛函理论的第一性原理对Ag_3XO_4(X=P,As,V)电子结构及光催化性质进行了对比研究。与Ag_3XO_4相比,Ag_3VO_4较好的光催化稳定性主要源于其结构中Ag-O间较强的作用力增加了对Ag+的控制,而Ag_3VO_4弱的光催化活性与其导带底中存在...基于密度泛函理论的第一性原理对Ag_3XO_4(X=P,As,V)电子结构及光催化性质进行了对比研究。与Ag_3XO_4相比,Ag_3VO_4较好的光催化稳定性主要源于其结构中Ag-O间较强的作用力增加了对Ag+的控制,而Ag_3VO_4弱的光催化活性与其导带底中存在d轨道成份以及较低的价带边势(2.335 V,vs NHE)有关;对Ag_3AsO_4而言,其优于Ag_3XO_4光催化活性的原因基于三个方面:(1)由高分散Ags-Ags杂化轨道构成的导带底能带;(2)窄的带隙(1.91 e V);(3)宽的可见光响应范围以及高的光吸收系数。此外,Ag_3XO_4(X=P,As,V)均为间接带隙半导体光催化材料,其中,Ag_3VO_4有用于分解水制氢研究的可能;上述计算结果与实验结果吻合。展开更多
文摘以 L i2 CO3 和 NH4 VO3 为原料 ,低温合成了 L i1+ x V3 O8.通过对中间产物的热分析 ,选定了低温合成 L i1+ x V3 O8的适宜煅烧温度为 30 0℃ .研究表明 ,L i1+ x V3 O8,原料 L i/ V摩尔比应大于1∶ 3.以 Li1+ x V3 O8作为正极材料 ,金属锂为负极组装了模拟电池 ,高、低温合成材料具有较高的放电容量和放电电压 .XRD、SEM分析结果说明低温合成样品的结晶度低、粒径较小 .
文摘基于密度泛函理论的第一性原理对Ag_3XO_4(X=P,As,V)电子结构及光催化性质进行了对比研究。与Ag_3XO_4相比,Ag_3VO_4较好的光催化稳定性主要源于其结构中Ag-O间较强的作用力增加了对Ag+的控制,而Ag_3VO_4弱的光催化活性与其导带底中存在d轨道成份以及较低的价带边势(2.335 V,vs NHE)有关;对Ag_3AsO_4而言,其优于Ag_3XO_4光催化活性的原因基于三个方面:(1)由高分散Ags-Ags杂化轨道构成的导带底能带;(2)窄的带隙(1.91 e V);(3)宽的可见光响应范围以及高的光吸收系数。此外,Ag_3XO_4(X=P,As,V)均为间接带隙半导体光催化材料,其中,Ag_3VO_4有用于分解水制氢研究的可能;上述计算结果与实验结果吻合。
