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V_2O_5/γ-Al_2O_3和V_2O_5/SiO_2负载型催化剂对异丁烷的催化脱氢性能 被引量:9
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作者 马红超 付颍寰 +3 位作者 王振旅 朱万春 吴通好 王国甲 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1221-1224,共4页
用浸渍法制备了V2 O5/γ Al2 O3 和V2 O5/SiO2 负载型催化剂 ,应用H2 TPR、NH3 TPD、ESR等物理化学技术对其作了表征 ,比较了它们在 5 80℃时对异丁烷脱氢反应的催化性能。结果表明 ,V2 O5/γ Al2 O3 催化剂的脱氢活性较好 ,异丁烷转... 用浸渍法制备了V2 O5/γ Al2 O3 和V2 O5/SiO2 负载型催化剂 ,应用H2 TPR、NH3 TPD、ESR等物理化学技术对其作了表征 ,比较了它们在 5 80℃时对异丁烷脱氢反应的催化性能。结果表明 ,V2 O5/γ Al2 O3 催化剂的脱氢活性较好 ,异丁烷转化率为 35 4 % ,这与γ Al2 O3 表面钒物种易还原 (还原温度为 5 4 2℃ )和分散状态好有关 ;而V2 O5/SiO2 催化剂显示出 96 %的高异丁烯选择性则与SiO2 展开更多
关键词 v2O5/γ-Al2O3 v2O5/sio2 异丁烷 脱氢
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不同钒载量V_2O_5/SiO_2催化剂上异丁烷催化脱氢制异丁烯的研究 被引量:4
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作者 姚权桐 马红超 +2 位作者 付颖寰 董晓丽 薛文平 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2010年第5期371-374,共4页
采用浸渍法制备了不同钒载量的V2O5/SiO2催化剂,并用XRD、FT-IR、TPR和微反活性评价等手段对催化剂表面钒物种的分散状态和异丁烷脱氢反应性能进行了研究。结果表明,当V2O5负载量低于8%时,催化剂表面主要为还原性能较好、单层分散的孤... 采用浸渍法制备了不同钒载量的V2O5/SiO2催化剂,并用XRD、FT-IR、TPR和微反活性评价等手段对催化剂表面钒物种的分散状态和异丁烷脱氢反应性能进行了研究。结果表明,当V2O5负载量低于8%时,催化剂表面主要为还原性能较好、单层分散的孤立与低聚合度的钒氧物种;当V2O5负载量大于8%时,催化剂表面开始形成还原性较差的高聚合度钒氧物种和V2O5晶体。异丁烷脱氢活性测试结果显示,V2O5最佳负载量为8%,此时异丁烷转化率可达34%,异丁烯选择性为95%。 展开更多
关键词 催化剂v2O5/sio2 异丁烷 脱氢作用
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V-Cr-P-O/SiO_2高分散催化剂催化甲基吡啶氨氧化反应 被引量:8
3
作者 马玉龙 周新花 +2 位作者 杨智宽 张玉清 封孝华 《石油化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期407-410,共4页
根据甲基吡啶衍生物中3种甲基吡啶脱α氢活性的差别,研制了对3-甲基吡啶(3-MPy)氨氧化反应选择性和收率都较高的V-Cr-P-O/SiO2系流化床氨氧化催化剂,并利用XRD,DTA,BET等技术对催化剂进行了表征。结果表明,该催化剂用于3-甲基吡啶气相... 根据甲基吡啶衍生物中3种甲基吡啶脱α氢活性的差别,研制了对3-甲基吡啶(3-MPy)氨氧化反应选择性和收率都较高的V-Cr-P-O/SiO2系流化床氨氧化催化剂,并利用XRD,DTA,BET等技术对催化剂进行了表征。结果表明,该催化剂用于3-甲基吡啶气相氨氧化反应,连续使用210 h后,催化剂的比表面积、孔径分布和催化剂组分的分散度等变化很小,且无积碳现象,说明催化剂稳定性好,寿命较长。采用该催化剂,考察了原料摩尔比、反应温度等条件对产物收率和选择性的影响,得出了适宜的反应条件:n(空气)/n(3-MPy)为32.6、n(氨)/n(3-MPy)为4.6、反应温度360℃,在该条件下,烟腈的摩尔收率可达97.2%。经气相色谱检测,烟腈纯度大于99.0%。 展开更多
关键词 3-甲基吡啶 气相氨氧化 烟腈 钒-铬-磷-氧/二氧化硅 催化剂
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V-P-O/SiO_2催化剂上苯氧化的ESR研究 被引量:5
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作者 刘加庚 马福泰 徐元植 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期628-632,共5页
用浸渍法制备组成通式为(V_2O_5)_(20)(P_2O_5)_2(SiO_2)_(100)(0<x<60)的12种催化剂,并评价了活性和选择性,测定了各催化剂中钒的平均氧化数、四价钒含量及钒的价态分布。考察此系列催化剂上苯的气相催化氧化反应可知,催化剂活性... 用浸渍法制备组成通式为(V_2O_5)_(20)(P_2O_5)_2(SiO_2)_(100)(0<x<60)的12种催化剂,并评价了活性和选择性,测定了各催化剂中钒的平均氧化数、四价钒含量及钒的价态分布。考察此系列催化剂上苯的气相催化氧化反应可知,催化剂活性与V^(5+)及V^(4+)之和有关,而顺酐选择性则与V^(4+)相关。 展开更多
关键词 氧化 钒磷催化剂 氧化数 价态
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Eu^(3+)与V共掺杂SiO_2材料的制备及其发光性质 被引量:2
5
作者 娜米拉 王喜贵 +2 位作者 郑学仿 薄素玲 金岭 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2009年第1期70-75,共6页
利用溶胶-凝胶技术制备Eu3+、V共掺杂的SiO2材料,通过差热-热重分析、傅立叶红外光谱、X射线衍射、激发光谱与发射光谱等测试手段对粉末的晶型、结构、发光性质进行研究.结果表明:材料属于非晶态,800℃退火后Eu3+、V共掺杂的SiO2样品的... 利用溶胶-凝胶技术制备Eu3+、V共掺杂的SiO2材料,通过差热-热重分析、傅立叶红外光谱、X射线衍射、激发光谱与发射光谱等测试手段对粉末的晶型、结构、发光性质进行研究.结果表明:材料属于非晶态,800℃退火后Eu3+、V共掺杂的SiO2样品的结构基本稳定,只存在SiO2的网状结构;激发光谱显示,Eu-O电荷迁移带随着V掺杂量的增加而消失,产生强度较大的320 nm处的7F0→5H3跃迁;发射光谱显示,随着V的掺入,最佳激发波长由393 nm向320 nm转移,同时出现了467 nm,577 nm,588 nm,612 nm处的发射峰,它们分别归属于Eu3+的5D2→7F0跃迁与VO43-的蓝色发射的叠加跃迁、Eu3+的5D0→7F0跃迁5、D0→7F1磁偶极跃迁和5D0→7F2的电偶极跃迁,实现了同一物质同时产生蓝色荧光和红色荧光.同时发现,VO43-对Eu3+的发光有较好的敏化作用,并通过所得的能级图对样品的跃迁机理进行了分析. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶技术 Eu^3+、v共掺杂的sio2材料 发光性质 制备 跃迁机理
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V-Mo-Mg/SiO_2负载型催化剂的制备及甲醇氧化制甲醛反应性能的研究 被引量:6
6
作者 张轶 吴静 +3 位作者 岳宏 王惠颖 郭金回 谢世祎 《沈阳化工学院学报》 2008年第2期116-118,191,共4页
采用溶胶-凝胶法制备甲醇催化氧化制甲醛的V-Mo-Mg/SiO2负载型催化剂.考察焙烧温度、反应温度、空速、氧醇比对催化剂催化性能的影响,并用BET、XRD等测试技术对催化剂的结构进行表征。结果表明:在V-Mo-Mg/SiO2负载型催化剂上,焙烧温度50... 采用溶胶-凝胶法制备甲醇催化氧化制甲醛的V-Mo-Mg/SiO2负载型催化剂.考察焙烧温度、反应温度、空速、氧醇比对催化剂催化性能的影响,并用BET、XRD等测试技术对催化剂的结构进行表征。结果表明:在V-Mo-Mg/SiO2负载型催化剂上,焙烧温度500℃、反应温度305℃、空速3 020 h-1、氧醇摩尔比0.45、低于爆炸下限的条件下,催化剂性能最好,甲醛收率达66.35%. 展开更多
关键词 甲醇 甲醛 催化氧化 v-Mo-Mg/sio2催化剂
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PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p-GaN的影响 被引量:1
7
作者 陈宇 王良臣 严丽红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期214-218,共5页
在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的NV+空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和... 在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的NV+空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和SiNX材料,阻碍了H原子向外扩散,使H原子在Ni/Au电极与p-GaN的界面处聚集,造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高,空穴浓度急剧下降,导致Ni/Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率(15W,13.56MHz)沉积模式,经过适当的退火,可以减小沉积SiO2过程对p-GaN的影响。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相沉积法 sio2 SINX P-GAN I-v特性
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薄膜结构对Si/SiO_2 I-V特性的影响 被引量:1
8
作者 马自军 马书懿 《物理实验》 北大核心 2009年第3期10-13,共4页
用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si/SiO2纳米薄膜,测定了薄膜的I-V特性.实验结果分析表明,薄膜结构是影响其I-V特性的主要因素.
关键词 射频磁控溅射 Si/sio2纳米薄膜 I-v特性
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Catalytic Dehydrogenation of n-Butane over V/SiO_2 Catalyst: A Comparison with Cr/SiO_2 Catalyst
9
作者 Xu Yuebing Fu Wentingx Lu Jiangyin Wang Jide 《China Petroleum Processing & Petrochemical Technology》 SCIE CAS 2008年第4期25-31,共7页
V/SiO2 catalysts compared to Cr/SiO2 catalysts were studied for dehydrogenation of n-butane to butenes. Several methods for characterization of catalysts such as FT-IR, UV-vis and Raman spectroscopies were used. Some ... V/SiO2 catalysts compared to Cr/SiO2 catalysts were studied for dehydrogenation of n-butane to butenes. Several methods for characterization of catalysts such as FT-IR, UV-vis and Raman spectroscopies were used. Some differences between two catalysts were showed, including the performances of catalysts, distribution of products and mechanism of reactions. The results showed that prepared catalysts with 12m% of active component loading all demonstrated best conversion of n-butane to butene at a reaction temperature of around 590 ℃. Two different reaction mechanisms were mentioned to well explain why iso-butene was produced on V/SiO2 catalysts but not on Cr/SiO2 catalysts. 展开更多
关键词 N-BUTANE catalytic dehydrogenation BUTENE v/sio2 Cr/sio2 reaction mechanism
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Si/SiO_2多层膜的I-V特性研究 被引量:1
10
作者 马自军 马书懿 《物理实验》 2008年第5期12-15,共4页
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主... 用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主要因素. 展开更多
关键词 Si/sio2多层膜 I-v特性 射频磁控溅射 电流输运
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用IR及XPS研究Photo-CVD SiO_2薄膜特性
11
作者 刘玉荣 李观启 黄美浅 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期61-64,共4页
在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054~... 在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054~1069cm^(-1)之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO_2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×10^(10)~3×10^(11)cm^(-2)范围内;XPS分析表明,SiO_2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×10^(15)个原子。 展开更多
关键词 光CvD sio2薄膜 红外光谱 XPS C-v特性
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磷酸表面处理复合SiO_2涂层对Ti-6Al-4V合金抗氧化性能的影响
12
作者 任保轶 刘子孺 +1 位作者 高艳慧 张学军 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期62-66,72,共6页
研究磷酸表面处理和复合SiO2涂层对Ti-6Al-4V合金600℃下空气中抗氧化性能的影响。结果表明:600℃氧化24h后,磷酸表面处理使Ti-6Al-4V合金平均氧化速率下降了近75%,复合非晶SiO2涂层样品600℃等温氧化100h后,平均氧化速率比空白样品降... 研究磷酸表面处理和复合SiO2涂层对Ti-6Al-4V合金600℃下空气中抗氧化性能的影响。结果表明:600℃氧化24h后,磷酸表面处理使Ti-6Al-4V合金平均氧化速率下降了近75%,复合非晶SiO2涂层样品600℃等温氧化100h后,平均氧化速率比空白样品降低一个数量级,抗氧化性能与单独的磷酸处理比较进一步提高。磷酸表面处理和复合SiO2涂层样品的氧化膜致密性增强且与基体的黏附性良好,二者氧化膜中TiO2的体积分数均低于空白样品。磷酸表面处理形成的TiP2O7层与SiO2涂层共同抑制了O的内扩散和Ti的外扩散。 展开更多
关键词 磷酸处理 sio2涂层 等温氧化 TI-6AL-4v合金
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含氧等离子体对低温CVD沉积SiO2钝化性能的改善 被引量:1
13
作者 张国栋 孙维国 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期543-545,548,共4页
对InSb探测器芯片的退化机理进行讨论 ,提出了SiO2 钝化膜中悬键形成的一种新模式 ;为进一步减少界面陷阱及界面态 ,采用含氧原子的等离子体来处理芯片 ,取得了良好效果 ,含氧等离子气氛由N2 O气体高频电离获得。处理后的InSb探测器芯片... 对InSb探测器芯片的退化机理进行讨论 ,提出了SiO2 钝化膜中悬键形成的一种新模式 ;为进一步减少界面陷阱及界面态 ,采用含氧原子的等离子体来处理芯片 ,取得了良好效果 ,含氧等离子气氛由N2 O气体高频电离获得。处理后的InSb探测器芯片I V特性明显好转 ;Au/Cr SiO2 InSbMIS结构的C V曲线下降坡明显变陡 ,曲线回滞明显变小 ;红外吸收谱表明SiO2 钝化膜中 H键及 OH键的数量明显减少。 展开更多
关键词 等离子体 锑化铟探测器 二氧化硅 伏一安特性 电容一电压特性 红外吸收谱
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甲醇和乙醇合成异丁醛La-V/TiO_2-SiO_2催化剂的制备及其催化性能 被引量:3
14
作者 曹晓玲 王晓艳 李选志 《工业催化》 CAS 2017年第6期36-38,共3页
以V_2O_5为活性组分,通过对催化剂活性组分、载体结构和助剂等因素的研究,制备La-V/TiO_2-SiO_2催化剂,在n(甲醇)∶n(乙醇)=4∶1、空速1.5 h-1、氮气流量120 m L·min^(-1)、反应温度360℃和常压条件下,乙醇转化率84%,异丁醛选择性... 以V_2O_5为活性组分,通过对催化剂活性组分、载体结构和助剂等因素的研究,制备La-V/TiO_2-SiO_2催化剂,在n(甲醇)∶n(乙醇)=4∶1、空速1.5 h-1、氮气流量120 m L·min^(-1)、反应温度360℃和常压条件下,乙醇转化率84%,异丁醛选择性67%。 展开更多
关键词 催化剂工程 甲醇 乙醇 异丁醛 La-v/TiO2-sio2催化剂
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V-TiO_2-SiO_2纳米复合薄膜降解酸性品红的研究
15
作者 慕泾霞 刘婷 关凌霄 《宁夏师范学院学报》 2016年第3期57-61,共5页
以正硅酸乙酯和钛酸丁酯作为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备得到TiO_2-SiO_2溶胶,以偏钒酸铵为V源在玻璃表面制备V-TiO_2-SiO_2纳米复合薄膜,研究其对酸性品红溶液进行光催化降解效果.通过紫外分光光度计测定其降解效果.结果表明,V-TiO_2-S... 以正硅酸乙酯和钛酸丁酯作为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备得到TiO_2-SiO_2溶胶,以偏钒酸铵为V源在玻璃表面制备V-TiO_2-SiO_2纳米复合薄膜,研究其对酸性品红溶液进行光催化降解效果.通过紫外分光光度计测定其降解效果.结果表明,V-TiO_2-SiO_2纳米复合薄膜对酸性品红有较好的光催化效果,与纯TiO_2膜49%相比,改性TiO_2膜表现出较好的光催化活性,达到了56.6%. 展开更多
关键词 v-Ti02-Si02 溶胶凝胶法 降解 酸性品红
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SiO2薄膜在电荷陷阱型V-NAND中的应用及制备方法
16
作者 周影影 张刘超 《功能材料与器件学报》 CAS 2019年第4期240-246,共7页
电荷陷阱型V-NAND技术具有较低的单位存储成本,优异的写入与读取速度,高可靠性等优点被越来越广泛地使用。SiO2在V-NAND中被广泛用作隔离氧化层,隧穿氧化层,介电层以及离子注入掩模等。本文阐述了电荷陷阱型V-NAND基本存储单元的物理和... 电荷陷阱型V-NAND技术具有较低的单位存储成本,优异的写入与读取速度,高可靠性等优点被越来越广泛地使用。SiO2在V-NAND中被广泛用作隔离氧化层,隧穿氧化层,介电层以及离子注入掩模等。本文阐述了电荷陷阱型V-NAND基本存储单元的物理和能带结构,并对写入与擦除过程电子隧穿过程进行分析;对位成本缩减技术(BICS)和阵列存储单元兆级晶体管技术(TCAT)的存储区域的物理结构进行对比,对其存储单元的立体结构进行分析。重点介绍热氧化法,化学气相沉积法和原子层沉积法制备SiO2薄膜的原理的性质,并对三种方法制备SiO2薄膜的物理和电性特征进行分析。 展开更多
关键词 电荷陷阱型v-NAND sio2薄膜 热氧化法 化学气相沉积法 原子层沉积法
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冷却-加热对CaO-Al_2O_3-SiO_2系玻璃析晶动力学的影响 被引量:11
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作者 匡敬忠 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期37-43,共7页
以CaO-Al2O3-SiO2系玻璃为研究对象,采用Ozawa方程、Kissinger方程和JMA修正方程研究了冷却方式和加热温度对玻璃析晶动力学的影响。结果表明:化学组成相同的玻璃,冷却速度和加热温度对其析晶活化能E、Avrami指数n和析晶速率指前因子ν... 以CaO-Al2O3-SiO2系玻璃为研究对象,采用Ozawa方程、Kissinger方程和JMA修正方程研究了冷却方式和加热温度对玻璃析晶动力学的影响。结果表明:化学组成相同的玻璃,冷却速度和加热温度对其析晶活化能E、Avrami指数n和析晶速率指前因子ν都有影响,但加热温度对析晶活化能E的影响更大,并在750℃出现极大值现象。通过玻璃析晶试验发现:冷却速度和加热温度对微晶玻璃主次晶相的析出没有影响,主、次晶相分别是钙长石和榍石。冷却速度和加热温度对析晶活化能E的影响主要来源于析出主、次晶相的比例不同。 展开更多
关键词 冷却 加热 析晶活化能 Avrami指数 析晶速率指前因子 钙铝硅玻璃
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SiO_2还原机理及过还原控制措施
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作者 秦洁 齐建玲 +1 位作者 刘功国 李占军 《钢铁》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期28-35,共8页
为了解决工艺难题,提高生产效率,针对电炉冶炼钒钛矿金属化球团过程中由出现SiO_2过还原导致的电炉冶炼不顺畅、含钒铁水提钒困难等一系列难题开展研究,分析了反应物、冶炼温度、冶炼时间等因素对SiO_2还原过程的影响。在此基础上,提出... 为了解决工艺难题,提高生产效率,针对电炉冶炼钒钛矿金属化球团过程中由出现SiO_2过还原导致的电炉冶炼不顺畅、含钒铁水提钒困难等一系列难题开展研究,分析了反应物、冶炼温度、冶炼时间等因素对SiO_2还原过程的影响。在此基础上,提出了优化黏结剂种类、严格控制还原剂加入量、适当降低反应温度和缩短冶炼时间等措施。通过实施以上措施,熔分电炉第六炉役的技术指标明显好转,含钒铁水中同时满足w(V)≥0.35%、w(Si)≤0.5%的炉次比例超过85%,有效解决了SiO_2过还原问题。 展开更多
关键词 sio2 过还原 钒钛 金属化球团 提钒
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K_2O-Al_2O_3-SiO_2系统陶瓷嵌体在牙体Ⅴ类洞型的初步应用
19
作者 张飚 夏仙童 +3 位作者 刘平先 万金玉 李勇 彭彬 《武汉大学学报(医学版)》 CAS 北大核心 2009年第5期637-639,613,I0005,共5页
目的:观察K2O-Al2O3-SiO2系统牙科玻璃陶瓷嵌体在牙体Ⅴ类洞型的初步应用情况。方法:选择5位牙体颈部缺损的志愿患者,根据患牙的临床症状给予或未给予根管治疗;在确认患牙无牙体-牙髓及牙周组织疾病的症状后,制备Ⅴ类洞型、制作K2O-Al2O... 目的:观察K2O-Al2O3-SiO2系统牙科玻璃陶瓷嵌体在牙体Ⅴ类洞型的初步应用情况。方法:选择5位牙体颈部缺损的志愿患者,根据患牙的临床症状给予或未给予根管治疗;在确认患牙无牙体-牙髓及牙周组织疾病的症状后,制备Ⅴ类洞型、制作K2O-Al2O3-SiO2系统牙科玻璃陶瓷嵌体,用Variolink(Ⅱ粘结剂对牙体缺损进行修复;3-6个月随访。结果:修复后的患牙均未出现牙体-牙髓及牙周组织疾病的症状,修复体均未出现松动和脱落。结论:K2O-Al2O3-SiO2系统牙科玻璃陶瓷嵌体修复于牙体Ⅴ类洞型中,短期内不会出现松动和脱落,不损伤患牙的牙体-牙髓及牙周组织,该陶瓷的色泽有待完善。 展开更多
关键词 K2O-Al2O3-sio2系统牙科玻璃陶瓷 嵌体 Ⅴ类洞型
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Ge/SiO_2和Ge/ZnO/SiO_2薄膜的磁控溅射制备及电学性能 被引量:1
20
作者 余乐 刘劲松 +7 位作者 李子全 陈建康 何明霞 彭洁 曹安 刘建宁 蒋维娜 万龙 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期103-105,共3页
采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团... 采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10~10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 Ge/sio2薄膜 Ge/ZnO/sio2薄膜 电流-电压性能
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