适用于光导开关触发的V/N气体开关设计与验证

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作者 宋雨辉 王凌云 +8 位作者 周良骥 刘宏伟 张东东 陈林 袁建强 邓明海 谢卫平 高彬 王瑞杰 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期68-74,共7页

为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹... 为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹配。分析计算了V/N气体开关的结构电容、触发回路振荡参数、开关电场分布等,研究了V/N气体开关的结构电容与PCSS、串联电感等构成的振荡回路的匹配关系,通过实验获得了V/N气体开关自击穿电压曲线、导通延迟时间以及不同欠压比下的延迟时间抖动等,初步验证了适用于PCSS触发的V/N气体开关设计。 展开更多

关键词 同步触发 v/n气体开关 PCSS 结构电容 自击穿电压

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V/N火花间隙开关的电场和电容模拟计算 被引量：5

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作者 李鹏 邹晓兵 +1 位作者 曾乃工 韩旻 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期43-44,91,共3页

介绍了V/N间隙火花开关的工作原理。此开关被用于工作电压500 kV、工作电流400 kA、脉宽100 ns、驱动阻抗1.25Ω的脉冲功率源主开关。利用有限元计算的软件Ansoft对设计的V/N开关进行建模,计算了模型加压导通过程几个关键时刻的电场和... 介绍了V/N间隙火花开关的工作原理。此开关被用于工作电压500 kV、工作电流400 kA、脉宽100 ns、驱动阻抗1.25Ω的脉冲功率源主开关。利用有限元计算的软件Ansoft对设计的V/N开关进行建模,计算了模型加压导通过程几个关键时刻的电场和电位的分布及开关的结构电容为15.67 pF。 展开更多

关键词 v/n火花间隙开关 场畸变 模拟计算 结构电容

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操作冲击电压下C_(4)F_(7)N/CO_(2)混合气体252kV GIL间隙及沿面放电特性 被引量：12

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作者 郑忠波 陈楠 +2 位作者 李志闯 李强 丁卫东 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第14期3055-3062,共8页

C_(4)F_(7)N/CO_(2)混合气体作为有望在高电压等级气体绝缘输电管道(GIL)中替代SF_(6)的环保绝缘气体被广泛研究。在高电压等级下,操作冲击电压下的介质绝缘特性成为绝缘配合中无法忽略的重要因素,然而现阶段操作冲击电压下C_(4)F_(7)N/... C_(4)F_(7)N/CO_(2)混合气体作为有望在高电压等级气体绝缘输电管道(GIL)中替代SF_(6)的环保绝缘气体被广泛研究。在高电压等级下,操作冲击电压下的介质绝缘特性成为绝缘配合中无法忽略的重要因素,然而现阶段操作冲击电压下C_(4)F_(7)N/CO_(2)混合气体中间隙击穿和沿面闪络特性研究很少。该文通过实验研究操作冲击电压下C_(4)F_(7)N摩尔百分比为5%、9%、13%的C_(4)F_(7)N/CO_(2)混合气体中252kV GIL中间隙和沿面放电特性,并与0.5MPa SF_(6)中的实验结果进行对比。结果表明,放电电压随压强及混合气体C_(4)F_(7)N摩尔百分比升高而上升;放电存在盆式绝缘子凹面侧间隙-沿面闪络和间隙击穿两种形式;0.5MPa 13%C_(4)F_(7)N/87%CO_(2)、0.6MPa 9%C_(4)F_(7)N/91%CO_(2)混合气体下沿面绝缘强度达到0.5MPa下SF_(6)绝缘强度的87%以上,而0.7MPa 9%C_(4)F_(7)N/91%CO_(2)混合气体下沿面绝缘强度已超过0.5MPa下SF_(6)的绝缘强度。 展开更多

关键词 C_(4)F_(7)n/CO_(2)混合气体 操作冲击电压 间隙击穿 沿面闪络 252kv气体绝缘输电管道

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N^＊Sc^＊相变铁电液晶的排列 被引量：12

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作者 乌日娜 彭增辉 +1 位作者 鲁兴海 宣丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第6期427-430,共4页

N Sc 铁电液晶由于具备自发极化值较小、能够实现灰度、快速响应等特点,能够满足场序全彩色显示的要求,近年来倍受关注。采用传统的摩擦取向的方法,通过在N Sc 相变时施加10V直流电压,得到了没有SA相铁电液晶的均匀排列。并且获得了半... N Sc 铁电液晶由于具备自发极化值较小、能够实现灰度、快速响应等特点,能够满足场序全彩色显示的要求,近年来倍受关注。采用传统的摩擦取向的方法,通过在N Sc 相变时施加10V直流电压,得到了没有SA相铁电液晶的均匀排列。并且获得了半"V"字型的电光特性。分析了摩擦强度和相变时施加的电压对获得均匀排列的影响。 展开更多

关键词 铁电液晶 n^＊Sc^＊相变 半“v”字型 摩擦强度 DC电压

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具有半“V”字型特性的铁电液晶显示器件制备 被引量：3

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作者 冯亚云 任娇燕 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期191-194,共4页

采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过在N*-Sc*相变时施加直流电压,得到了半"V"字型的电光特性曲线,可以实现连续灰度;同时解决了表面稳定铁电液晶中存在的液晶层倾斜方向不惟一的缺陷,获得了无缺陷排列取向的铁电液晶器件。该器件... 采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过在N*-Sc*相变时施加直流电压,得到了半"V"字型的电光特性曲线,可以实现连续灰度;同时解决了表面稳定铁电液晶中存在的液晶层倾斜方向不惟一的缺陷,获得了无缺陷排列取向的铁电液晶器件。该器件具有较低的饱和电压3.2V,静态对比度达196∶1,上升时间和下降时间分别是526μs和424μs。 展开更多

关键词 铁电液晶 n^＊-Sc^＊相变点 连续灰度 表面稳定 半“v”字型

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钒、氮单掺及钒和氮共掺ZnO可见光光催化性能的模拟计算 被引量：4

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作者 左春英 陈佰树 钟成 《黑龙江八一农垦大学学报》 2020年第1期89-94,101,共7页

通过密度泛函理论(DFT)计算来研究钒和氮分别取代纤锌矿ZnO中锌和氧的掺杂效应。计算结果表明,共掺形成能为负值,此时光生电子-空穴对的分离容易且光带隙变窄。掺杂将在导带中引入V-3d和N-2p态,这导致了V-3d、N-2p和Zn-4s轨道之间的跃... 通过密度泛函理论(DFT)计算来研究钒和氮分别取代纤锌矿ZnO中锌和氧的掺杂效应。计算结果表明,共掺形成能为负值,此时光生电子-空穴对的分离容易且光带隙变窄。掺杂将在导带中引入V-3d和N-2p态,这导致了V-3d、N-2p和Zn-4s轨道之间的跃迁。吸收光谱表明,Zn23VO23N掺杂系统是提高ZnO在可见光中的光催化活性的最佳选择之一。 展开更多

关键词 光催化性质 密度泛函理论 共掺 光学带隙

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半“V”字形铁电液晶器件的制备

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作者 李静 邹忠飞 +1 位作者 唐先柱 宣丽 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期225-229,共5页

实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能... 实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能良好的器件.采用N*-Sc*相变施加4V/μm直流电压,制备半"V"字形铁电液晶器件,经测试器件饱和电压为5V,对比度为112.8,上升时间和下降时间分别为622.14μs和374.7μs. 展开更多

关键词 n^＊-Sc^＊序列相铁电液晶 直流电压强度 半“v”字形 铁电液晶分子偏转角

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非直流电压对N^＊-SmC^＊相序铁电液晶排列的影响 被引量：1

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作者 季新建 李静 +2 位作者 邹忠飞 唐先柱 宣丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期271-275,共5页

半"V"字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷。通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排... 半"V"字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷。通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排列织构的影响,发现直流电压不是得到N*-SmC*相序的铁电液晶均一排列的必要条件,通过选择双极性电压为V1=7V/μm,V2=-3V/μm,一个脉冲周期20ms内施加双极性电场时间比为D1/D2=3/7,不仅获得了电光特性曲线不存在迟滞回线的均一层排列器件,同时也解决了剩余电荷对器件的影响。 展开更多

关键词 铁电液晶 半“v”字形 n^＊-SmC^＊相变 剩余电荷

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连续灰度铁电液晶器件制备 被引量：5

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作者 乌日娜 李静 +2 位作者 张然 邹忠飞 宣丽 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1689-1692,共4页

采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了... 采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了器件形成不同分子层排列结构及呈现“V”字形和半“V”字形电光特性的原因. 展开更多

关键词 铁电液晶 n^＊-Sc^＊ 相变 电压 “v”字形 半“v”字形 灰度

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真空开关电弧伏安特性测试系统的设计 被引量：1

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作者 刘顺新 郭耀峰 +1 位作者 廖敏夫 文振华 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期19-25,共7页

为了实现对真空开关电弧伏安特性的测量,设计了真空开关电弧试验装置。首先建立了一个可拆式真空灭弧室以及其基于阴极的触发电路,并结合真空短间隙进行了电弧点燃试验以及真空电弧电压和电流的采集,验证了真空电弧正伏安特性。结果表明... 为了实现对真空开关电弧伏安特性的测量,设计了真空开关电弧试验装置。首先建立了一个可拆式真空灭弧室以及其基于阴极的触发电路,并结合真空短间隙进行了电弧点燃试验以及真空电弧电压和电流的采集,验证了真空电弧正伏安特性。结果表明,利用所设计的系统能够很好地触发真空间隙,并能准确地测量真空开关电弧的伏安特性,能为真空相位开关的研究提供有利的条件。 展开更多

关键词 真空开关电弧 触发电路 真空电弧 正伏安特性 相位开关

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0.1TW级脉冲功率发生器的初步实验 被引量：1

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作者 何露芽 邹晓兵 +5 位作者 曾乃工 刘锐 刘骁 韩旻 张贵新 王新新 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期231-233,248,共4页

为了驱动X箍缩和Z箍缩负载,构建了由Marx发生器、脉冲形成线、V/N开关、脉冲传输线、负载组成的0.1TW级脉冲功率发生器(PPG-I)并在Marx发生器充电电压为75kV时,对PPG-I进行了调试实验。实验发现:当V/N开关主间隙中SF6气压固定为0.466MPa... 为了驱动X箍缩和Z箍缩负载,构建了由Marx发生器、脉冲形成线、V/N开关、脉冲传输线、负载组成的0.1TW级脉冲功率发生器(PPG-I)并在Marx发生器充电电压为75kV时,对PPG-I进行了调试实验。实验发现:当V/N开关主间隙中SF6气压固定为0.466MPa时,改变辅助间隙中SF6气压将显著影响开关的放电及输出特性;若辅助间隙气压为0.274MPa,当脉冲形成线(PFL)充电电压接近峰值(1.1MV)时,辅助间隙首先击穿,引起主间隙中多弧道放电,1.25Ω匹配负载上电压为较理想的矩形波;若辅助间隙气压上升到0.344MPa,辅助间隙难以击穿,主间隙在PFL充电电压接近峰值时先击穿,主间隙中只有一条放电弧道,负载上电压波形缓慢上升到440kV,且无平顶部分。由此得出:V/N开关多弧道放电时,该脉冲功率发生器的输出参数满足驱动X箍缩和Z箍缩的要求。 展开更多

关键词 脉冲功率发生器 n/v开关 多通道放电 X箍缩 Z箍缩 MARX发生器

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