针对瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressors,TVS)器件浪涌能量密度提升困难、负阻最低点不稳定的问题,研究了电子辐照工艺对TVS参数的影响。电子辐照可有效降低基区少子寿命。负阻TVS器件辐照剂量越大,残压越大,浪涌能量密...针对瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressors,TVS)器件浪涌能量密度提升困难、负阻最低点不稳定的问题,研究了电子辐照工艺对TVS参数的影响。电子辐照可有效降低基区少子寿命。负阻TVS器件辐照剂量越大,残压越大,浪涌能量密度越低。TVS负阻程度越高,残压越低,浪涌能量密度越高。文章创新提出了短基区深负阻结合低剂量辐照的方案,使产品兼具高浪涌能量密度和稳定残压的特性。展开更多
文摘针对瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressors,TVS)器件浪涌能量密度提升困难、负阻最低点不稳定的问题,研究了电子辐照工艺对TVS参数的影响。电子辐照可有效降低基区少子寿命。负阻TVS器件辐照剂量越大,残压越大,浪涌能量密度越低。TVS负阻程度越高,残压越低,浪涌能量密度越高。文章创新提出了短基区深负阻结合低剂量辐照的方案,使产品兼具高浪涌能量密度和稳定残压的特性。
