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微波功率LDMOS的工艺仿真及研制 被引量：1
1
作者 冯彬 刘英坤 +2 位作者 孙艳玲 段雪 董四华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期402-405,共4页
利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1... 利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1 GHz,VDD=28 V条件下,输出功率Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%的良好性能。 展开更多
关键词 工艺仿真 tsuprem4软件 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
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LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响 被引量：1
2
作者 丁磊 许剑 +2 位作者 韩郑生 梅沁 钟传杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期173-177,共5页
利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系。计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2&#... 利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系。计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小。而LDD掺杂能量对KINK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 KINK效应 MEDICI tsuprem4
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150V IGBT工艺模型设计 被引量：2
3
作者 王倩 钟传杰 《微计算机信息》 2009年第11期296-297,295,共3页
本文提出了一个建立150VIGBT器件工艺模型的设计方案。并在设定的电学参数条件下,选择了合适的掺杂浓度及厚度。利用模拟软件Tsuprem4和Medici对其阈值电压、击穿电压、开启时间和关断时间进行模拟,结果与设定的相关参数吻合得很好。
关键词 IGBT 工艺模型 tsuprem4 MEDICI
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LDD结构参数对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响
4
作者 吕志娟 韩郑生 钟传杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期692-695,共4页
基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0.07μm时,碰撞离化产生率和热电子注入电流峰值将达到最大,扩展区掺杂浓度增加,使沟道中横向电场和碰撞离化产生率的... 基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0.07μm时,碰撞离化产生率和热电子注入电流峰值将达到最大,扩展区掺杂浓度增加,使沟道中横向电场和碰撞离化产生率的峰值分布区域向着栅电极的方向移动,即在应力作用下,热载流子退化的区域向着栅电极的方向漂移。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 热载流子退化 MEDICI tsuprem4
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新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计
5
作者 马荣晶 刘斯扬 +1 位作者 魏家行 孙伟锋 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第6期1228-1231,共4页
为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容C_(gs)的影响,并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优... 为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容C_(gs)的影响,并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优化设计。结果表明:这种新型结构与传统的射频LDMOS器件结构相比,使得器件的栅源寄生电容最大值降低了15.8%,截止频率提高了7.6%,且器件的阈值电压和击穿电压可以维持不变。 展开更多
关键词 射频LDMOS 栅源寄生电容Cgs tsuprem4 优化
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Halo LDD多晶硅TFT载流子效应研究
6
作者 吕志娟 钟传杰 《微计算机信息》 2009年第19期238-239,198,共3页
基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明,器件的热载流子效应随着Halo区掺杂剂量的增加而变得更加严重;随着掺杂能量的增加,热载流子退化均表现为先增加后减小的变化趋势,... 基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明,器件的热载流子效应随着Halo区掺杂剂量的增加而变得更加严重;随着掺杂能量的增加,热载流子退化均表现为先增加后减小的变化趋势,在80KeV退化最为严重。 展开更多
关键词 多晶硅TFT HALO LDD结构 热载流子退化 MEDICI tsuprem4
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TCAD技术及其在半导体工艺中的应用 被引量：6
7
作者 尹胜连 冯彬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期480-482,共3页
阐述了计算机辅助设计技术(TCAD)的应用发展历程,介绍了相关软件(TSUPPREM4、MEDICI)的原理及功能。分别对以改善pn结边缘曲率效应,提高结击穿电压为目的功率器件结终端结构——场限环、场板进行了模拟。以某型号器件的芯片设计生产为实... 阐述了计算机辅助设计技术(TCAD)的应用发展历程,介绍了相关软件(TSUPPREM4、MEDICI)的原理及功能。分别对以改善pn结边缘曲率效应,提高结击穿电压为目的功率器件结终端结构——场限环、场板进行了模拟。以某型号器件的芯片设计生产为实例,通过工艺与器件电学性能的仿真结果与最终器件实测结果进行比较,展示出TCAD技术的特点,体现了TCAD技术对于半导体生产制造的重要作用。 展开更多
关键词 计算机辅助设计技术 TSUPPREM4 MEDICI 曲率效应 功率器件
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