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TiO2/Si复合材料的制备及其性能研究 被引量:3
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作者 何飞 李赢 +2 位作者 张欣 倪才华 石刚 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期218-221,共4页
为了提高单晶硅表面的光学利用效率,本文采用水热法在其表面生长一层平均棒长为900±50 nm,直径为100±20 nm的金红石相Ti O2纳米棒阵列。通过积分球反射光谱对这种Ti O2/Si复合材料进行抗反射性能表征,发现这种复合材料具有较... 为了提高单晶硅表面的光学利用效率,本文采用水热法在其表面生长一层平均棒长为900±50 nm,直径为100±20 nm的金红石相Ti O2纳米棒阵列。通过积分球反射光谱对这种Ti O2/Si复合材料进行抗反射性能表征,发现这种复合材料具有较好的抗反射性能;通过测量Ti O2/Si复合材料的光电流性能,发现其具有高效的光电转化效率,可有效提高太阳光的利用率;通过探讨Ti O2/Si复合材料对亚甲基蓝的降解,发现其在光催化降解染料效率方面具有显著的提高效果。 展开更多
关键词 二氧化钛 抗反射 光电转化效率 光催化
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煅烧温度对TiO_2/Si光电效应的影响 被引量:2
2
作者 陈顺玉 李旦振 +1 位作者 付贤智 刘平 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2001年第6期115-117,共3页
采用溶胶 -凝胶法在P -型单晶硅的表面镀上一层TiO2 薄膜 ,并在 2 0 0~ 90 0℃下煅烧得到TiO2 Si复合材料 .研究结果发现 ,经不同温度煅烧得到的TiO2 Si复合材料中TiO2 的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同 ,其光电响应特性亦不同 ... 采用溶胶 -凝胶法在P -型单晶硅的表面镀上一层TiO2 薄膜 ,并在 2 0 0~ 90 0℃下煅烧得到TiO2 Si复合材料 .研究结果发现 ,经不同温度煅烧得到的TiO2 Si复合材料中TiO2 的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同 ,其光电响应特性亦不同 .经 40 0℃煅烧得到的复合材料的光电压最强 ,相对于单晶硅约提高了 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 tio2/si 煅烧温度 光电效应 半导体材料 二氧化钛 光电压
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漂珠为载体TiO_2/SiO_2膜的制备及性能研究 被引量:2
3
作者 宋成芳 《环境科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B08期14-15,18,共3页
以漂珠为载体,探索采用液相沉积法制备TiO2/SiO2膜最佳条件。在自制的光催化反应器中,在相同的条件下,以酸性嫩黄和难处理的焦化废水为目标降解物,做了TiO2/SiO2和TiO2两种膜的光催化氧化对比试验。结果表明,与单一TiO2膜比较,以漂珠为... 以漂珠为载体,探索采用液相沉积法制备TiO2/SiO2膜最佳条件。在自制的光催化反应器中,在相同的条件下,以酸性嫩黄和难处理的焦化废水为目标降解物,做了TiO2/SiO2和TiO2两种膜的光催化氧化对比试验。结果表明,与单一TiO2膜比较,以漂珠为载体,采用液相沉积法制备的TiO2/SiO2改性膜具有较高的光催化氧化性能。 展开更多
关键词 液相沉积法 tio2/si02薄膜 光催化 漂珠
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SnO_2掺杂对TiO_2/Si纳米复合材料性能的影响 被引量:12
4
作者 陈顺玉 李旦振 +1 位作者 付贤智 刘平 《分子科学学报》 CAS CSCD 2007年第1期18-21,共4页
采用溶胶-凝胶法在p-型单晶硅的表面镀上一层TiO2-SnO2纳米复合薄膜,并在一定的温度下煅烧得到TiO2-SnO2/Si复合材料.实验研究发现,在TiO2中掺杂一定量的SnO2会使TiO2/Si复合材料的光电压增强,且SnO2的掺杂会抑制TiO2的晶相转变,使复合... 采用溶胶-凝胶法在p-型单晶硅的表面镀上一层TiO2-SnO2纳米复合薄膜,并在一定的温度下煅烧得到TiO2-SnO2/Si复合材料.实验研究发现,在TiO2中掺杂一定量的SnO2会使TiO2/Si复合材料的光电压增强,且SnO2的掺杂会抑制TiO2的晶相转变,使复合材料的高温稳定性增强.另外,SnO2的掺杂量和煅烧温度对复合材料的光电压都有影响.当SnO2掺杂量约为20%,煅烧温度为600℃时复合材料的光电压最强. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 tio2-SnO2/si 煅烧温度 光电效应
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Si掺杂TiO_2纤维的溶胶-凝胶法制备及其光催化活性 被引量:18
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作者 包南 张锋 +3 位作者 马志会 魏振涛 孙剑 刘峰 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第23期2786-2792,共7页
采用溶胶-凝胶法并结合水蒸气活化制备了Si掺杂TiO2纤维,通过TG-DSC,XRD,FT-IR,UV-Vis-DRS,N2吸附-脱附,SEM等手段对纤维样品的结构参数及其表面形貌进行了表征,并以活性艳红X-3B模拟废水体系评价了其光催化活性.结果表明,与纯TiO2产物... 采用溶胶-凝胶法并结合水蒸气活化制备了Si掺杂TiO2纤维,通过TG-DSC,XRD,FT-IR,UV-Vis-DRS,N2吸附-脱附,SEM等手段对纤维样品的结构参数及其表面形貌进行了表征,并以活性艳红X-3B模拟废水体系评价了其光催化活性.结果表明,与纯TiO2产物相比,适量Si掺杂制得的产物是具有丰富介孔结构的TiO2长纤维,不仅热稳定性和晶型稳定性俱佳,而且光催化活性得以显著提高,经900℃热处理后仍能保持结晶完好的锐钛矿相;在Si/Ti摩尔比为0.15时,其比表面积和孔容最大,光催化活性最佳,该纤维作为光催化剂反应75min,水中X-3B的降解率可达99.6%. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 si掺杂 tio2纤维 光催化活性
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TiO_2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性 被引量:4
6
作者 向梅 贾振红 涂楚辙 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期218-220,共3页
在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS)。用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性... 在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS)。用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性。结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高。在300~600℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600~800℃范围内随温度的升高而降低。 展开更多
关键词 n-PS/p—PS/si tio2/n-si/p—si n—si/p—si 光伏效应
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Si掺杂TiO_2催化剂的结构与可见光催化活性研究 被引量:1
7
作者 张鹏 于彦龙 +2 位作者 匡元江 姚江宏 曹亚安 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期295-304,共10页
采用溶胶-凝胶法制备出Si 4+离子掺杂的TiO2可见光催化剂(TiO2-xSi),该催化剂的可见光催化活性高于纯TiO2和N掺杂的TiO2(TiO2-N).利用XRD、XPS、FT-IR和UV-Vis DRS等表征技术,研究了TiO2-xSi催化剂的晶体结构、能带结构和表面性质.研究... 采用溶胶-凝胶法制备出Si 4+离子掺杂的TiO2可见光催化剂(TiO2-xSi),该催化剂的可见光催化活性高于纯TiO2和N掺杂的TiO2(TiO2-N).利用XRD、XPS、FT-IR和UV-Vis DRS等表征技术,研究了TiO2-xSi催化剂的晶体结构、能带结构和表面性质.研究发现:掺入Si 4+离子在TiO2粒子表面主要形成Ti—O—Si结构,并在导带下0.2—0.6eV区域形成表面态能级,该表面态能级的存在是催化剂产生可见光响应、实现可见光催化的根本原因.另外,讨论了Si 4+离子的掺杂对金红石相和晶粒的生长抑制作用,以及催化剂的比表面积和表面羟基物种增加对可见光催化活性的影响. 展开更多
关键词 tio2 si4+离子掺杂 可见光响应 可见光催化活性
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Si掺杂TiO_2纳米管阵列制备、表征及其光催化氧化降解室内典型VOCs 被引量:7
8
作者 邹学军 李新勇 +1 位作者 曲振平 王疆疆 《环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期3694-3698,共5页
以Na2SiF6/HF为电解液,采用阳极氧化法一步制备了Si掺杂的TiO2纳米管阵列光催化剂,通过SEM、XRD、DRS和EDX等表征手段对制备的催化剂进行了表征,并以甲苯为降解目标物,考察了Si掺杂的TiO2纳米管阵列光催化剂的活性以及各种反应参数对活... 以Na2SiF6/HF为电解液,采用阳极氧化法一步制备了Si掺杂的TiO2纳米管阵列光催化剂,通过SEM、XRD、DRS和EDX等表征手段对制备的催化剂进行了表征,并以甲苯为降解目标物,考察了Si掺杂的TiO2纳米管阵列光催化剂的活性以及各种反应参数对活性的影响.结果表明,TiO2纳米管阵列以锐钛矿和金红石2种晶形存在,Si高分散于TiO2纳米管的管壁上.Si的掺杂提高了TiO2对紫外光的吸收,其禁带宽度与TiO2相比发生了蓝移.Si掺杂的TiO2纳米管阵列具有较大比表面积.当以电解液中Na2SiF6浓度为0.03 mol·L-1,在400℃焙烧1 h制备的Si掺杂的TiO2纳米管阵列为光催化剂时,甲苯的降解率最高,降解率达到60%,与纯TiO2纳米管阵列相比,催化活性提了1倍. 展开更多
关键词 掺硅 二氧化钛纳米管 阳极氧化 光催化氧化 甲苯
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Si掺杂金红石TiO_2光学特性的第一性原理研究 被引量:3
9
作者 冯庆 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第4期106-109,共4页
TiO2是一种重要的n型金属氧化物半导体功能材料。近年来的实验与理论研究表明,运用杂质掺入来减小TiO2禁带宽度是提高其活性的一种有效办法。本文运用基于局域密度泛函和赝势的第一性原理方法,从理论上研究了S i掺杂金红石相TiO2的电子... TiO2是一种重要的n型金属氧化物半导体功能材料。近年来的实验与理论研究表明,运用杂质掺入来减小TiO2禁带宽度是提高其活性的一种有效办法。本文运用基于局域密度泛函和赝势的第一性原理方法,从理论上研究了S i掺杂金红石相TiO2的电子结构和光学特性。通过能带结构、态密度及电荷布居的分析发现,Si原子的引入使Si-Ti的键长发生明显的变化,近邻氧原子有靠近硅原子的趋势而近邻钛原子有远离硅原子的趋势。半导体禁带宽度没有明显变化,但是禁带中产生了一个杂质能级,该杂质能级主要是由Si的3p电子和Ti的3d电子杂化引起的。因此,Si掺杂能使材料的宏观特性表现为电子激发能量减小,材料活性增强,响应可见光范围达到480 nm左右。 展开更多
关键词 tio2 si掺杂 第一性原理 金红石
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Si/Ti摩尔比对SiO_2-TiO_2气凝胶催化性能的影响 被引量:3
10
作者 张波 姜剑锋 +1 位作者 邓冰心 陈银飞 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2015年第4期374-378,共5页
通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反... 通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反应产物只有环氧苯乙烷(SO)和苯甲醛(BA).随着Si/Ti摩尔比的降低,催化剂的TON和双氧水的有效利用率逐渐降低,但苯乙烯的转化率先迅速增加后增加缓慢,SO的选择性先增加后降低,当Si/Ti摩尔比为16.4时,SO的选择性和收率最高,这归因于随着钛含量的增加,三种不同钛物种相对含量的变化. 展开更多
关键词 苯乙烯 环氧化 siO2-tio2复合气凝胶 si/Ti比 选择性
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溶胶凝胶法制备Si/TiO_2复合锂离子电池负极材料的研究进展
11
作者 张瑛洁 赵丽文 +1 位作者 楚华 袁龙飞 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2454-2459,共6页
采用溶胶凝胶法制备Si/TiO_2复合材料具有操作简单、包覆层致密均匀、电化学性能稳定等优点,成为目前最常用Si/TiO_2的制备方法之一。本文综述了Si/TiO_2复合结构对电化学性能的影响,论述了溶胶凝胶制备过程中影响该复合材料电化学性能... 采用溶胶凝胶法制备Si/TiO_2复合材料具有操作简单、包覆层致密均匀、电化学性能稳定等优点,成为目前最常用Si/TiO_2的制备方法之一。本文综述了Si/TiO_2复合结构对电化学性能的影响,论述了溶胶凝胶制备过程中影响该复合材料电化学性能的影响因素。为进一步提高Si/TiO_2复合材料的电化学性能的研究提供了理论依据和建议。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 si/tio2复合负极材料 复合结构 电化学性能
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Si-Ce/TiO_2的制备及其光催化降解甲基橙的研究
12
作者 李君华 张丹 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期66-68,共3页
采用水热合成法分别制备了TiO_2、Si-TiO_2、Ce-TiO_2以及Ce和Si共掺杂TiO_2(Ce0.010Si0.10TiO_2)光催化剂,利用XRD和TEM对制备的样品进行了晶型和形貌的表征,并在可见光照射下用其催化降解甲基橙水溶液,考察了催化剂的可见光催化活性... 采用水热合成法分别制备了TiO_2、Si-TiO_2、Ce-TiO_2以及Ce和Si共掺杂TiO_2(Ce0.010Si0.10TiO_2)光催化剂,利用XRD和TEM对制备的样品进行了晶型和形貌的表征,并在可见光照射下用其催化降解甲基橙水溶液,考察了催化剂的可见光催化活性。结果表明,对于Si和Ce共掺杂TiO_2,Si的引入可显著提高TiO_2颗粒的分散性,提高其比表面积,而Ce的引入可提高其可见光催化活性;Ce0.010Si0.10TiO_2具有较好的催化活性,其在可见光条件下对模拟废水中甲基橙的降解率达到了95.3%。 展开更多
关键词 tio2 Ce-si共掺杂 可见光催化 甲基橙
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TiO_2/Si复合材料的制备及其性能分析
13
作者 陆迪 孔德龙 孙向博 《科技资讯》 2016年第17期61-62,共2页
Si(硅)是一种比较常见的半导体材料,在许多个领域之中得到了广泛的应用,如太阳能电池、光电材料等,并在这些领域之中发挥着非常重要的作用。但是,因为空气折射系数与硅的折射系数两者之间存在着非常大的差别,从而导致光波在界面处出现... Si(硅)是一种比较常见的半导体材料,在许多个领域之中得到了广泛的应用,如太阳能电池、光电材料等,并在这些领域之中发挥着非常重要的作用。但是,因为空气折射系数与硅的折射系数两者之间存在着非常大的差别,从而导致光波在界面处出现了比较严重的反射损失。为降低界面反射损失,必须在硅半导体材料的表面加镀一层渐变层材料,且该渐变层材料的折射率应当处于1.0~3.5之间。TiO2,即钛白粉,其折射率为2.73,且具有成本低、耐腐蚀、无毒、光催化活性较高、化学性能稳定以及氧化还原电位高等一系列的优势,因此,其被看作是一种十分理想的光催化剂。 展开更多
关键词 tio2/si复合材料 制备 性能 光催化
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气相爆轰法制备纳米TiO_2-SiO_2复合氧化物及其表征 被引量:1
14
作者 孔祥清 朱凯泽 +1 位作者 高化东 曲艳东 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期44-48,共5页
以H_2和O_2的混合气体为爆源、TiCl4和SiCl4溶液为前驱体,通过气相爆轰制备纳米TiO_2-SiO_2复合氧化物,探究了不同前驱体Ti/Si比值对爆轰产物的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射透射电镜(TEM)及红外光谱仪(FTIR)等对爆轰产物的晶体结... 以H_2和O_2的混合气体为爆源、TiCl4和SiCl4溶液为前驱体,通过气相爆轰制备纳米TiO_2-SiO_2复合氧化物,探究了不同前驱体Ti/Si比值对爆轰产物的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射透射电镜(TEM)及红外光谱仪(FTIR)等对爆轰产物的晶体结构、微观形貌和化学组成进行了观察分析。结果表明:在纳米TiO_2-SiO_2复合氧化物中,TiO_2为金红石型和锐钛型混晶形式,SiO_2则为无定型形式。TiO_2-SiO_2复合氧化物颗粒中存在Ti—O—Si键。所得TiO_2-SiO_2复合结构为无定型SiO_2附着于晶态TiO_2的外部,且随着前驱体Ti/Si比值的改变而发生变化。 展开更多
关键词 tio2-siO2复合氧化物 纳米粉末 气相爆轰 前驱体Ti/si比值
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TiO_2对Si负极材料电化学性能的影响 被引量:1
15
作者 刘文静 彭工厂 +1 位作者 瞿美臻 汪沣 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2076-2078,共3页
通过机械混合法将Si和TiO2复合合成锂离子电池复合负极材料。采用XRD、SEM和电化学测试等手段对复合材料进行一系列表征和测试,考察了不同TiO2复合量对Si负极材料性能的影响。结果表明:复合后材料的首次库仑效率明显提高,循环性能也有... 通过机械混合法将Si和TiO2复合合成锂离子电池复合负极材料。采用XRD、SEM和电化学测试等手段对复合材料进行一系列表征和测试,考察了不同TiO2复合量对Si负极材料性能的影响。结果表明:复合后材料的首次库仑效率明显提高,循环性能也有明显的改善。当Si与TiO2质量比为1∶1时,电极材料的首次放电比容量为2 099.0m Ah/g,首次库仑效率为78.7%,0.5 A/g电流密度下首次放电比容量为1 112.1 m Ah/g,循环50次后比容量保持在480.4 m Ah/g。 展开更多
关键词 锂离子电池 si TI O2 复合材料 负极材料
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Si-TiO_2膜的制备及其光生阴极保护性能 被引量:1
16
作者 李春冬 程文华 +2 位作者 马晓 刘广义 于良民 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2018年第3期174-177,206,共5页
采用溶胶凝胶法和浸渍提拉法在304不锈钢(304SS)表面制备了Si-TiO_2薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)对膜层的形貌和晶型进行了观察,分析了烧结方式、烧结温度、薄膜厚度对Si-TiO_2薄膜性能的影响,并通过紫外可见吸收光谱... 采用溶胶凝胶法和浸渍提拉法在304不锈钢(304SS)表面制备了Si-TiO_2薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)对膜层的形貌和晶型进行了观察,分析了烧结方式、烧结温度、薄膜厚度对Si-TiO_2薄膜性能的影响,并通过紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、荧光光谱、光电化学响应曲线研究了Si-TiO_2薄膜的光电响应特性和光生阴极保护性能。结果表明:在500℃条件下采用逐层烧结方式制备的三层Si-TiO_2薄膜具有最佳的光电性能。掺入Si元素增强了TiO_2薄膜对紫外光的吸收,抑制了光生电子-空穴的复合,从而产生更多的光生电子,增强了对基体材料304SS的保护。Si-TiO_2薄膜在紫外光照射下使304SS的电极电位负移至-650mV(SCE),起到了明显的光生阴极保护作用。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 si-Ti02薄膜 光生阴极保护
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静电纺丝制备一维结构Si/TiO_2/C负极复合材料及性能研究 被引量:1
17
作者 曲登科 郑雨露 +5 位作者 邵渭泉 陈沙鸥 郭晓杰 何丽珠 李延强 化梦梦 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2017年第8期59-63,共5页
研究通过静电纺丝工艺制备了锂离子电池负极复合材料Si/TiO_2/C,研究了硅与二氧化钛比例对其电化学性能的影响,发现Si与TiO_2摩尔比为1∶4的样品在0.1 C倍率循环50圈之后的比容量为322.8 mAh·g^(-1),优于其他比例样品,同时,交流阻... 研究通过静电纺丝工艺制备了锂离子电池负极复合材料Si/TiO_2/C,研究了硅与二氧化钛比例对其电化学性能的影响,发现Si与TiO_2摩尔比为1∶4的样品在0.1 C倍率循环50圈之后的比容量为322.8 mAh·g^(-1),优于其他比例样品,同时,交流阻抗谱(EIS)表明,该样品内阻明显低于其它样品。扫描电镜观察发现硅颗粒分散于一维棒状锐钛矿氧化钛之间,其充放电过程中较大的体积膨胀得到缓冲,同时碳的存在提高了复合材料的电导率,因此从整体上改善了所制备复合材料的电化学性能。 展开更多
关键词 锂离子电池负极材料 si/tio2/C 静电纺丝 一维结构
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Promotional effect of Si-doped V_2O_5/TiO_2 for selective catalytic reduction of NOx by NH_3 被引量:14
18
作者 Yanxiao Pan Wei Zhao +2 位作者 Qin Zhong Wei Cai Hongyu Li 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第8期1703-1711,共9页
TiO2 supports doped with different amounts of Si were prepared by a sol-gel method, and 1 wt% vanadia (V2O5) loaded on Si-doped TiO2 was obtained by an impregnation method. The mole ratio of Si/Ti was 0.2, NOx conve... TiO2 supports doped with different amounts of Si were prepared by a sol-gel method, and 1 wt% vanadia (V2O5) loaded on Si-doped TiO2 was obtained by an impregnation method. The mole ratio of Si/Ti was 0.2, NOx conversion exceeds 94% at 300℃ and GHSV of 41,324 hr-1 , which is about 20% higher than pure V2O5/TiO2 . The catalysts were characterized by XRD, BET, TEM, FT-IR, NH3-TPD, XPS, H2-TPR, Raman and in situ DRIFTS. The results of FT-IR and XPS indicated that Si was doped into the TiO2 lattice successfully and a solid solution was obtained. V2O5 active component could be dispersed well on the support with the increasing of surface area of the catalyst, which was confirmed by Raman and XRD results. Above all, the numbers of acid sites (especially the Br nsted-acid) and oxidation properties were enhanced for Si-doped V2O5/TiO2 catalysts, which improved the deNOx catalytic activity. 展开更多
关键词 si-doped V2O5/tio2 SCR si-O-Ti VOx species
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Fast Growth of Highly Ordered TiO2 Nanotube Arrays on Si Substrate under High-Field Anodization 被引量:1
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作者 Jingnan Song Maojun Zheng +7 位作者 Bin Zhang Qiang Li Faze Wang Liguo Ma Yanbo Li Changqing Zhu Li Ma Wenzhong Shen 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2017年第2期3-13,共11页
Highly ordered TiO_2 nanotube arrays(NTAs) on Si substrate possess broad applications due to its high surfaceto-volume ratio and novel functionalities, however, there are still some challenges on facile synthesis. Her... Highly ordered TiO_2 nanotube arrays(NTAs) on Si substrate possess broad applications due to its high surfaceto-volume ratio and novel functionalities, however, there are still some challenges on facile synthesis. Here, we report a simple and cost-effective high-field(90–180V) anodization method to grow highly ordered TiO_2 NTAs on Si substrate,and investigate the effect of anodization time, voltage, and fluoride content on the formation of TiO_2 NTAs. The current density–time curves, recorded during anodization processes, can be used to determine the optimum anodization time. It is found that the growth rate of TiO_2 NTAs is improved significantly under high field, which is nearly 8 times faster than that under low fields(40–60 V). The length and growth rate of the nanotubes are further increased with the increase of fluoride content in the electrolyte. 展开更多
关键词 tio2 nanotube arrays si substrate Anodization High field Controllable preparation
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