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TiO2型忆阻器仿真器的设计与实现 被引量:3
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作者 林弥 李路平 +2 位作者 王光义 王旭亮 陈俊杰 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2020年第9期104-107,共4页
在纳米忆阻器尚未商用化的背景下,设计了一种基于继电器的TiO2型忆阻器仿真器电路。以STC89C51单片机为控制芯片,由开关模块、电阻网络和滞回控制模块组成。经实验测试,该仿真器电路在正弦周期信号的激励下,输出符合忆阻器理论定义的、... 在纳米忆阻器尚未商用化的背景下,设计了一种基于继电器的TiO2型忆阻器仿真器电路。以STC89C51单片机为控制芯片,由开关模块、电阻网络和滞回控制模块组成。经实验测试,该仿真器电路在正弦周期信号的激励下,输出符合忆阻器理论定义的、过原点、"紧致"的i-u滞回特性曲线,能够在实验室环境实现TiO2型忆阻器伏安特性的仿真,且忆阻器的阻值可通过单片机进行灵活地控制。 展开更多
关键词 tio2忆阻器 仿真器 滞回特性 可控阻值
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基于Au/TiO_2/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究 被引量:9
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作者 余志强 刘敏丽 +2 位作者 郎建勋 钱楷 张昌华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第15期328-336,共9页
采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO_2纳米线,制备了具有Au/TiO_2/FTO器件结构的锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变开关特性和开关机理.结果表明,Au/TiO_2/FTO忆阻器具有非易失的双极性阻变开关特性.... 采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO_2纳米线,制备了具有Au/TiO_2/FTO器件结构的锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变开关特性和开关机理.结果表明,Au/TiO_2/FTO忆阻器具有非易失的双极性阻变开关特性.同时,在103s的时间内,器件在0.1 V的电阻开关比始终保持在20以上,表明器件具有良好的非易失性.此外,器件在低阻态时遵循欧姆导电特性,而在高阻态时则满足陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,同时提出了基于氧空位导电细丝形成与断开机制的阻变开关模型.研究结果表明Au/TiO_2/FTO忆阻器将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器. 展开更多
关键词 tio2纳米线 忆阻器 氧空位 导电细丝
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数字控制忆阻型自适应滤波电路设计 被引量:1
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作者 余世成 曾以成 +1 位作者 李志军 方清 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第3期487-490,共4页
忆阻器是除继电阻、电容和电感之外的第4种基本双端电路元件,具有频率滞后性和阻值易控性等特点。该文从理论上推导和数值仿真上验证了HP实验室提出的铂-二氧化钛-铂(Pt-TiO2-Pt)无源忆阻器与初始状态相关的频率特性,并依据其特性设计... 忆阻器是除继电阻、电容和电感之外的第4种基本双端电路元件,具有频率滞后性和阻值易控性等特点。该文从理论上推导和数值仿真上验证了HP实验室提出的铂-二氧化钛-铂(Pt-TiO2-Pt)无源忆阻器与初始状态相关的频率特性,并依据其特性设计了一类数字控制忆阻型自适应滤波电路,利用电路改变忆阻器初始状态忆阻值进而改变滤波电路截止频率实现选频。 展开更多
关键词 忆阻器 铂-二氧化钛-铂 初始状态相关 数字控制 自适应滤波
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Modelling of nanostructured TiO_2-based memristors 被引量:1
4
作者 S.S.Shinde T.D.Dongle 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第3期52-54,共3页
The fourth fundamental circuit element memristor completes the missing link between charge and mag- netic flux. It consists of the function of the resistor as well as memory in nonlinear fashion. The property of the m... The fourth fundamental circuit element memristor completes the missing link between charge and mag- netic flux. It consists of the function of the resistor as well as memory in nonlinear fashion. The property of the memristor depends on the magnitude and direction of applied potential. This unique property makes it the primi- tive building block for many applications such as resistive memories, soft computing, neuromorphic systems and chaotic circuits etc. In this paper we report TiO2-based nanostructured memristor modelling. The present memris- tor model is constructed in MATLAB environment with consideration of the linear drift model of memristor. The result obtained from the linear drift model is well matched with earlier reported results by other research groups. 展开更多
关键词 memristor linear drift model tio2
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