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Al3Ti4B中间合金对Mg-7Al-0.4Zn-0.2Mn合金显微组织和性能的影响 被引量:10
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作者 陈晶阳 关绍康 +2 位作者 林敦文 王利国 李建国 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期478-484,共7页
研究了Al3Ti4B中间合金对 Mg 7Al 0.4Zn 0.2Mn合金的显微组织、力学性能及耐腐蚀性能的影响。结果表明: 当Al3Ti4B加入量小于0.3%(质量分数)时, 合金的平均晶粒尺寸显著减小; 当 Al3Ti4B加入量为0.3%时, 合金组织显著细化, 平均晶粒尺... 研究了Al3Ti4B中间合金对 Mg 7Al 0.4Zn 0.2Mn合金的显微组织、力学性能及耐腐蚀性能的影响。结果表明: 当Al3Ti4B加入量小于0.3%(质量分数)时, 合金的平均晶粒尺寸显著减小; 当 Al3Ti4B加入量为0.3%时, 合金组织显著细化, 平均晶粒尺寸由未变质合金的 135μm细化到 30μm, 合金拉伸力学性能和耐腐蚀性能最好; 当加入量超过0.3%时, 晶粒粗化; 具有密排六方结构的高熔点化合物 TiB2 (θm =2 980 ℃)和 AlB2(θm=980℃)均可作为α Mg的异质核心, 大量异质结晶核心的存在是导致α Mg晶粒细化的主要原因。 展开更多
关键词 Mg-7Al-0.4Zn-0.2Mn合金 Al3ti4B 晶粒细化 异质形核
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近β型钛合金Ti4Zr1Sn3Mo25Nb(TLM)热处理与材料强化研究 被引量:8
2
作者 于振涛 张亚锋 +3 位作者 袁思波 皇甫强 韩建业 刘春潮 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期542-545,共4页
利用光学显微镜、X射线衍射仪、透射电镜和力学试验机、摩擦试验机研究了不同热处理条件对新型近β型钛合金Ti4Zr1Sn3Mo25Nb(TLM)的显微组织、相变以及力学性能和耐磨性的影响。结果表明:TLM合金在β相区固溶处理后主要形成亚稳的等轴β... 利用光学显微镜、X射线衍射仪、透射电镜和力学试验机、摩擦试验机研究了不同热处理条件对新型近β型钛合金Ti4Zr1Sn3Mo25Nb(TLM)的显微组织、相变以及力学性能和耐磨性的影响。结果表明:TLM合金在β相区固溶处理后主要形成亚稳的等轴β相(βms),在低温时效时βms开始分解,在晶粒内部形成大量密集次生α相(αs),并呈现点状和细针状分布,从而使合金产生弥散强化和细晶强化。680℃,1h空冷+510℃,6h空冷TLM钛合金的耐磨性最好,其耐磨性优于退火态Ti6Al4V和时效态Ti-13Nb-13Zr钛合金。 展开更多
关键词 热处理 材料强化 耐磨性 显微组织 Β型钛合金 ti4Zr1Sn3Mo25Nb
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巨介电常数陶瓷CaCu3Ti4O12的研究进展 被引量:11
3
作者 宋江 成鹏飞 +3 位作者 王秋萍 余花娃 李盛涛 李建英 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第19期89-94,共6页
CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性,这使得CCTO可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了CCTO高介电常数起源的内禀机制和外禀机制,详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性... CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性,这使得CCTO可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了CCTO高介电常数起源的内禀机制和外禀机制,详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响,阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联,肯定了晶粒电导赝极化理论,指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于:基于外禀机制的IBLC模型,通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导,进而调控CCTO的介电损耗,使CCTO保持较高介电常数的前提下,在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。 展开更多
关键词 CACU3ti4O12 巨介电常数介电损耗
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退火工艺对CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜性能影响 被引量:4
4
作者 范素华 徐静 +1 位作者 王培吉 张丰庆 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期5-8,共4页
利用溶胶凝胶法制备了CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜材料,研究表明,退火工艺对CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜的结构、微观形貌、晶粒取向以及铁电性能影响较大,随着退火温度的提高,晶粒的取向为a轴择优取向,有利于样品的铁电性;气氛对薄膜的电学性能... 利用溶胶凝胶法制备了CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜材料,研究表明,退火工艺对CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜的结构、微观形貌、晶粒取向以及铁电性能影响较大,随着退火温度的提高,晶粒的取向为a轴择优取向,有利于样品的铁电性;气氛对薄膜的电学性能影响也较大,氧气气氛可以很好的抑制氧空位的产生,提高样品的铁电性。在氧气气氛下退火所得到样品的剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为21.4μC/cm^2和27.7kV/mm,介电常数在250±4%范围内,介电损耗在0.005~0.01之间,测试频率为1~1MHz,显示出较好的频率稳定性。 展开更多
关键词 CaBi4.3ti4O15 退火工艺 铁电薄膜 铁电性能
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AlTiC和Al4B、Al3Ti4B中间合金对纯铝和亚共晶铝硅合金的细化机理 被引量:7
5
作者 李建国 马洪涛 张柏清 《轻合金加工技术》 CAS 北大核心 2000年第12期6-10,共5页
研究了AlTiC和A14B、A13Ti4B等中间合金细化剂对纯铝和亚共晶铝硅合金的细化效果和细化机理。实验发现A16Ti0.2C对纯铝有很好的细化效果,但对高Si含量的亚共晶铝硅合金几乎没有细化效果;而A14B、A1... 研究了AlTiC和A14B、A13Ti4B等中间合金细化剂对纯铝和亚共晶铝硅合金的细化效果和细化机理。实验发现A16Ti0.2C对纯铝有很好的细化效果,但对高Si含量的亚共晶铝硅合金几乎没有细化效果;而A14B、A13Ti4B等w(Ti)/w(B)<2.2(w(Ti)/w(B)=0时即为A1-B合金)的AlTiB合金对纯铝没有细化效果,但对亚共晶铝硅合金却有非常好的细化效果。上述实验结果与中间合金的成分及其第二相的类型有直接关系,即与不同中间合金的细化机理相关。 展开更多
关键词 AITiC AI3ti4B 亚共晶铝硅合金 纯铝 晶粒细化
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Nb5+掺杂改性CaBi4Ti4O15压电陶瓷的研究 被引量:3
6
作者 洪燕 李月明 +4 位作者 沈宗洋 王竹梅 廖润华 李润润 刘虎 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2011年第2期224-227,共4页
采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(1-x)NbxO1(5x=0.00-0.05,CBT-N)系铋层状结构无铅压电陶瓷。研究了Nb5+掺杂对CBT压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明:添加Nb5+离子,改善了CBT陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度。Nb2O5的引... 采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(1-x)NbxO1(5x=0.00-0.05,CBT-N)系铋层状结构无铅压电陶瓷。研究了Nb5+掺杂对CBT压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明:添加Nb5+离子,改善了CBT陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度。Nb2O5的引入降低了CBT系列陶瓷的介质损耗,改善了陶瓷的压电与介电性能。当掺入量x=0.04(CaBi4Ti0.96Nb0.04O15)时制备的CBT基铋层状压电陶瓷具有优异的压电性能:d33=14pC/N,Qm=3086,εr=212,tanδ=0.0041,kt/kp=1.681。 展开更多
关键词 铋层状 介电性能 压电性能 CaBi4ti4O15
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高能球磨结合固相反应合成Ti4AlN3粉体 被引量:2
7
作者 严汉兵 许剑光 +1 位作者 吴海江 颜建辉 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期36-38,86,共4页
以物质的量比为1:1:3的钛粉、铝粉和TiN粉为原料,经普通混料机和不同转速高能球磨两种方式混料处理后,再在1100--1300℃真空反应烧结合成了Ti4AlN3粉体,研究了产物的物相和形貌、混合原料的物相以及烧结温度对合成Ti4AlN3的影响,... 以物质的量比为1:1:3的钛粉、铝粉和TiN粉为原料,经普通混料机和不同转速高能球磨两种方式混料处理后,再在1100--1300℃真空反应烧结合成了Ti4AlN3粉体,研究了产物的物相和形貌、混合原料的物相以及烧结温度对合成Ti4AlN3的影响,确定了合成Ti4AlN3粉体的最适宜工艺。结果表明:以400r·min叫转速高能球磨3h后再在1300℃反应2h是合成Ti4AlN3粉体的最适宜工艺。 展开更多
关键词 三元层状化合物ti4AlN3 固相反应 高能球磨
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Al-Nb共掺杂对CaCu3Ti4-x(Al1/2Nb1/2)xO12陶瓷介电性能的影响 被引量:2
8
作者 李旺 杜江萍 +4 位作者 唐鹿 罗哲 薛飞 杨佳豪 吴召林 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第11期26-30,共5页
采用固相反应法制备了Al-Nb共掺杂的CaCu3Ti4-x(Al1/2Nb1/2)xO12(x=0,0.01,0.03,0.05)陶瓷,研究了Al-Nb掺杂量对于CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷物相结构、微观形貌和介电性能的影响,并对Al-Nb掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果... 采用固相反应法制备了Al-Nb共掺杂的CaCu3Ti4-x(Al1/2Nb1/2)xO12(x=0,0.01,0.03,0.05)陶瓷,研究了Al-Nb掺杂量对于CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷物相结构、微观形貌和介电性能的影响,并对Al-Nb掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果表明,在x≤0.05时,Al-Nb共掺杂不会影响CCTO的物相组成,但当x=0.05时,会抑制CCTO陶瓷晶粒的生长;当x=0.03时,介电常数在20 Hz^1 MHz的频率范围内显著提高,同时介电损耗在小于10 kHz的频率范围明显降低,综合介电性能得到提升。分析认为,Al-Nb共掺杂时会增大陶瓷晶粒电阻,同时也会提高晶粒的半导化程度,从而增强了CCTO陶瓷的IBLC介电响应。 展开更多
关键词 CACU3ti4O12 巨介电性能 掺杂 介电损耗
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CaCu3Ti4O12陶瓷的制备及低温介电弛豫研究 被引量:5
9
作者 刘军伟 刘巧丽 +2 位作者 赵方辉 柳万辉 路大勇 《吉林化工学院学报》 CAS 2016年第11期97-99,共3页
利用传统的固相反应法在不同条件下制备CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)介电陶瓷,通过粉末XRD测试对其结构进行表征,以获得纯相CCTO陶瓷的合成条件.XRD结果表明,1 100℃/12 h烧结条件下制备的CCTO陶瓷结晶性好且为纯相;介电测试表明,样品在低温... 利用传统的固相反应法在不同条件下制备CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)介电陶瓷,通过粉末XRD测试对其结构进行表征,以获得纯相CCTO陶瓷的合成条件.XRD结果表明,1 100℃/12 h烧结条件下制备的CCTO陶瓷结晶性好且为纯相;介电测试表明,样品在低温下存在介电弛豫,分析表明低温介电弛豫来源于晶粒的本征效应. 展开更多
关键词 CACU3ti4O12 固相反应法 介电弛豫 弛豫机制
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Bi的A位掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷电性能的影响 被引量:1
10
作者 徐玲芳 张宇 +1 位作者 毛聪 杨昌平 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期36-39,共4页
采用传统固相法制备了Bi掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷。采用X射线衍射分析了样品的相结构,采用介电温谱和Ⅰ-Ⅴ曲线研究了其介电和非线性特性。结果表明,Bi掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷均为立方相类钙钛矿结构。Bi的A位掺杂在保持陶瓷较高介电常数的同... 采用传统固相法制备了Bi掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷。采用X射线衍射分析了样品的相结构,采用介电温谱和Ⅰ-Ⅴ曲线研究了其介电和非线性特性。结果表明,Bi掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷均为立方相类钙钛矿结构。Bi的A位掺杂在保持陶瓷较高介电常数的同时使得其介电损耗有所降低,同时也导致非线性系数的降低,并认为晶粒晶界形成的阻挡层电容器结构对其巨介电特性及非线性行为有重要贡献。 展开更多
关键词 CaCu3ti4O12陶瓷 掺杂 介电谱 非线性系数
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压电陶瓷CaxSr(1-x)Bi4Ti4O15的制备及其性能研究
11
作者 徐志军 初瑞清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期703-705,共3页
通过固相合成法制备CaxSr1-xBi4Ti4O15(x=0.3,0.4,0.5)无铅压电陶瓷,通过XRD、SEM等测试方法对粉体及陶瓷进行了分析与表征,并利用HP4294网络分析仪、d33准静态测试仪等分析了相关性能随X的变化关系。分析表明,利用固相法合成... 通过固相合成法制备CaxSr1-xBi4Ti4O15(x=0.3,0.4,0.5)无铅压电陶瓷,通过XRD、SEM等测试方法对粉体及陶瓷进行了分析与表征,并利用HP4294网络分析仪、d33准静态测试仪等分析了相关性能随X的变化关系。分析表明,利用固相法合成钛酸铋锶钙粉体的较好温度为850℃,钛酸铋锶钙陶瓷的较好烧结温度为1210℃,密度为6.821g/cm^3,达到理论密度的91%,x=0.4时,压电常数达到22×10^-12C/N。 展开更多
关键词 CaxSr1-xBi4ti4O15 固相合成法 介电性能 压电性能
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Mn掺杂改性高温无铅压电陶瓷CaBi4Ti4O15的研究
12
作者 初瑞清 徐志军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期701-702,共2页
用固相合成法制备Mn掺杂改性的CaBi4Ti4O15(CBT)高温无铅压电陶瓷。分析表明,利用固相合成法制备Mn掺杂CBT的温度为850℃,制备Mn掺杂改性CBT陶瓷的烧结温度随锰含量的增加降低,压电常数影响不大。
关键词 CaBi4ti4O15(CBT) 固相合成法 MN掺杂
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阳离子聚丙烯酰胺复合Ti4+的絮凝性能探究
13
作者 任晓燕 柴翠元 《化工设计通讯》 CAS 2019年第5期177-178,共2页
研究了阳离子聚丙烯酰胺复合Ti4+的絮凝性能,通过对絮凝性能进行评价,得出复合絮凝剂加入量对絮凝效果的影响以及对实际水样的絮凝效果。
关键词 阳离子聚丙烯酰胺 复合ti4+ 絮凝性能
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超疏水-亲水CaBi4Ti4O15涂层制备及其表面浸润性研究 被引量:2
14
作者 李达 张日理 +2 位作者 肖文佳 杨洋溢 何振辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期745-748,共4页
采用简单的涂抹方法,在衬底上制备了CaBi_4Ti_4O_(15)涂层;经不同温度退火和120℃放置处理,得到了浸润性从超疏水到亲水,其表面接触角从152.5°到43.6°变化的CaBi_4Ti_4O_(15)涂层表面;通过扫描电镜分析,研究了不同退火温度下... 采用简单的涂抹方法,在衬底上制备了CaBi_4Ti_4O_(15)涂层;经不同温度退火和120℃放置处理,得到了浸润性从超疏水到亲水,其表面接触角从152.5°到43.6°变化的CaBi_4Ti_4O_(15)涂层表面;通过扫描电镜分析,研究了不同退火温度下涂层表面微观结构变化对表面浸润性的影响.结果表明:CaBi_4Ti_4O_(15)涂层表面晶粒和孔洞尺寸变化是导致其表面浸润性从超疏水到亲水变化的主要原因,而包含纳米颗粒的阶层结构导致亲水CaBi_4Ti_4O_(15)涂层表面呈现出超疏水性. 展开更多
关键词 CaBi4ti4O15 涂层 异质结构 表面浸润性
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碱土金属离子对红色长余辉材料Y2O2S∶Eu3+,M2+ (M=Mg,Ca,Sr,Ba),Ti4+纳米阵列发光性能的影响 被引量:2
15
作者 王磊 董杰 +2 位作者 黄平 田跃 崔彩娥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期553-557,共5页
采用溶胶凝胶模板法制备红色长余辉发光材料Y2O2S∶Eu3+,M2+(M=Mg,Ca,Sr,Ba),Ti4+纳米阵列,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光分光光度计、照度计分别研究了不同二价离子掺杂下所合成样品的物相、形貌及发光性能。结果表明:样品排列... 采用溶胶凝胶模板法制备红色长余辉发光材料Y2O2S∶Eu3+,M2+(M=Mg,Ca,Sr,Ba),Ti4+纳米阵列,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光分光光度计、照度计分别研究了不同二价离子掺杂下所合成样品的物相、形貌及发光性能。结果表明:样品排列整齐有序,管径大小统一;不同的二价离子种类没有改变晶体结构和发射峰的位置,但对余辉性能有较大的影响。用324 nm波长光激发样品,由于Eu3+的5D0→7F2跃迁,最强的红色发射峰位于626 nm处;不同离子掺杂样品的余辉性能按Ba2+、Ca2+、Sr2+、Mg2+的顺序递加,其中二价离子为Mg2+时,余辉时间长达287 s(≥1 mcd/m2),表现出最佳的余辉性能。 展开更多
关键词 Y2O2S∶Eu3+ Mg2+ ti4+ 溶胶凝胶模板法 发光特性
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亚微米级Ti4O7的制备及其光热转换性能 被引量:1
16
作者 马晨雨 李晓禹 +5 位作者 张绘 李建强 赵建玲 贺刚 李江涛 齐涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第23期4079-4083,4099,共6页
光热转换是一种有效的太阳能利用技术,其效率主要取决于光热转换材料的光吸收能力。本研究通过低成本球磨法制备亚微米级的Ti_4O_7,采用扫描电镜、激光粒度仪、X射线衍射仪、差式扫描热分析仪表征其微观形貌、粒径大小、组成和比热容,... 光热转换是一种有效的太阳能利用技术,其效率主要取决于光热转换材料的光吸收能力。本研究通过低成本球磨法制备亚微米级的Ti_4O_7,采用扫描电镜、激光粒度仪、X射线衍射仪、差式扫描热分析仪表征其微观形貌、粒径大小、组成和比热容,用紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)分光光度计和太阳光模拟器分别测试其光吸收能力和光热转换性能。结果表明,通过球磨法成功制备出粒径约0.35μm的亚微米Ti_4O_7粉末,其太阳光全光谱吸收能力约89.5%,光热转换效率约73.7%。当亚微米级Ti_4O_7漂浮在水面时,太阳光水蒸汽产生效率提高至无光热材料条件下的2.15倍。因此,亚微米级的Ti_4O_7作为光热转换材料具有很大应用潜力。 展开更多
关键词 亚微米ti4O7 球磨 光热转换效率 太阳光水蒸汽产生效率
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正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理 被引量:1
17
作者 温阿利 朱基亮 +3 位作者 范平 马海亮 张乔丽 袁大庆 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期961-969,共9页
关于CaCu3Ti4O12陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,... 关于CaCu3Ti4O12陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜(SEM)测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu3Ti4O12陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb(CaCu3Ti4-xAl0.5xNb0.5xO12,x=0.2%、0.5%、5.0%)改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。 展开更多
关键词 CaCu3ti4O12陶瓷 Al、Nb共掺 高介电常数 内阻挡层电容 正电子湮没
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CaCu3Ti4O12介电陶瓷击穿场强的研究进展 被引量:1
18
作者 刘玉倩 吝伶艳 +3 位作者 张建花 李卓晓 宋建成 雷志鹏 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2020年第10期10-15,共6页
CaCu3Ti4O1(2 CCTO)新型介电陶瓷以其高介电常数和高频率稳定性等优异性能,在高介电材料研究领域和高介电电容器领域成为关注的热点。然而,目前由于其击穿场强较小,限制了其应用范围。本文综述了最近几年国内外CCTO陶瓷击穿场强的研究... CaCu3Ti4O1(2 CCTO)新型介电陶瓷以其高介电常数和高频率稳定性等优异性能,在高介电材料研究领域和高介电电容器领域成为关注的热点。然而,目前由于其击穿场强较小,限制了其应用范围。本文综述了最近几年国内外CCTO陶瓷击穿场强的研究进展。首先介绍了常用的CCTO陶瓷制备工艺,其次详细归纳了制备工艺和元素掺杂对其击穿场强的影响,最后总结了CCTO陶瓷击穿场强提高的规律与原因,并将其精炼为3种击穿机理。 展开更多
关键词 CaCu3ti4O12陶瓷 制备工艺 掺杂改性 击穿场强
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Zn2+掺杂CaCu3Ti4O12的颜色及近红外反射性能 被引量:1
19
作者 王达 李娜 +1 位作者 钟明锋 张志杰 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期86-91,共6页
文中采用固相法制备了一种具有较高近红外反射特性的新型无机颜料CaCu(3-x)ZnxTi4O12.用XRD、色差仪和紫外-可见光-近红外分光光度计等对产物的结构、颜色和反射特性进行研究.结果表明,随着取代程度的增加,晶体的结构由单相变为多相.随... 文中采用固相法制备了一种具有较高近红外反射特性的新型无机颜料CaCu(3-x)ZnxTi4O12.用XRD、色差仪和紫外-可见光-近红外分光光度计等对产物的结构、颜色和反射特性进行研究.结果表明,随着取代程度的增加,晶体的结构由单相变为多相.随着Zn2+离子掺杂量增加(x=0.0~0.6),黄色度从22.35增加到29.62,近红外反射比从52.3%增加到62.3%.CaCu3Ti4O12和CaCu2.4Zn0.6Ti4O12颜料涂层的近红外反射比分别为46.4%和55.2%,该颜料还具有良好的化学稳定性和热稳定性.这些事实表明CaCu(3-x)ZnxTi4O12颜料在冷涂层中有着很大的应用潜力. 展开更多
关键词 深色颜料 冷颜料 近红外反射 CACU3ti4O12
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Ba^2+掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷结构与电性能的影响 被引量:2
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作者 钟鑫 吴洋 +2 位作者 唐柱明 周梓鑫 张晨 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期492-496,共5页
采用传统固相法制备了Ca1-xBaxCu3Ti4O12(x=0,0.005,0.010,0.020,0.030,0.040,0.050,0.100,摩尔分数)陶瓷。用X线衍射仪、扫描电子显微镜、介电温谱测试系统及阻抗测试仪研究了Ba^2+掺杂量的变化对Ca1-xBaxCu3Ti4O12陶瓷的相结构、微观... 采用传统固相法制备了Ca1-xBaxCu3Ti4O12(x=0,0.005,0.010,0.020,0.030,0.040,0.050,0.100,摩尔分数)陶瓷。用X线衍射仪、扫描电子显微镜、介电温谱测试系统及阻抗测试仪研究了Ba^2+掺杂量的变化对Ca1-xBaxCu3Ti4O12陶瓷的相结构、微观形貌及电性能影响。研究结果表明,随着Ba^2+掺杂量的增加,陶瓷试样产生了第二相CuO,同时Ba^2+掺杂使CaCu3Ti4O12的晶格常数增大。Ca1-xBaxCu3Ti4O12陶瓷的晶粒尺寸随Ba^2+掺杂量的增加而减小,气孔率随之降低。掺杂适量的Ba^2+可有效降低CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗,也可降低相对介电常数随温度的变化率。一定量的Ba^2+掺杂还能增加CaCu3Ti4O12的晶界电阻。 展开更多
关键词 固相法 CaCu3ti4O12陶瓷 相结构 微观形貌 电性能
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