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层状钙钛矿结构SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的微结构研究 被引量:1
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作者 朱信华 朱滔 +4 位作者 朱健民 周舜华 李齐 刘治国 闵乃本 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期255-,共1页
层状钙钛矿结构SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜材料由于具有无疲劳特性 ,长的极化寿命和在亚微米 ( <1 0 0nm)厚度时 ,仍然具有体材料的良好电学性能 ,因而成为非挥发性铁电存储器的首选材料。SBT属于Bi系层状钙钛矿结构的铁电材料 ,其... 层状钙钛矿结构SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜材料由于具有无疲劳特性 ,长的极化寿命和在亚微米 ( <1 0 0nm)厚度时 ,仍然具有体材料的良好电学性能 ,因而成为非挥发性铁电存储器的首选材料。SBT属于Bi系层状钙钛矿结构的铁电材料 ,其化学通式为 (Bi2 O2 ) 2 +(Am -1BmO3 m +1) 2 -,其中A为二价元素 ,B为五价元素 ,m为c轴方向一个晶胞内连续的钙钛结构单元个数。具有铁电性的氧八面体子晶格被非铁电性的 (Bi2 O2 ) 2 +层分隔开 ,形成一种超晶格结构。近年来人们利用多种方法 (如Sol gel,MOD ,PLD等 )制备了SBT铁电薄膜 ,并对其铁电性能及疲劳特性进行了广泛的研究。迄今为止 ,人们对SBT铁电薄膜的微结构研究还比较少 ,对SBT铁电薄膜的耐疲劳机理还不清楚。我们利用高分辨电子显微术 (HRTEM)研究了SBT铁电薄膜的晶界结构 ,分析了小角晶界处的位错组态 ,确定了位错的Burgers矢量及晶界的滑移面 ,并讨论了小角晶界及位错组态对SBT铁电薄膜漏电流密度的影响。采用传统的氧化物混合法烧结制备SrBi2 Ta2 O9陶瓷靶 ,利用脉冲激光沉积法 (PLD)在Pt( 2 0 0nm) /TiO2 ( 5 0nm) /SiO2 /Si衬底上面制备SBT铁电薄膜。衬底温度为 5 5 0℃ ,沉积时间为1 5min ,膜厚 5 0 0nm。合成后的SBT铁电薄膜在氧气氛中 85 0℃下退火 展开更多
关键词 SrBi_2ta_2O_9薄膜 铁电薄膜 微结构 晶界
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EFFECT OF SnO_2 ADDITION ON THE SERVICE LIFE AND ELECTROCHEMICAL PROPERTIES OF Ti/IrO_2,+Ta_2O_5 ANODES IN PHENOLSULFONIC ACID SOLUTION 被引量:3
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作者 J.M. Hu H.M. Meng +2 位作者 D.B. Sun S.J. Zhang J.X. Wu and D.J. Yang Beijing Corrosion and Protection Center, Open Laboratory of Corrosion, Erosion and Surface Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第4期937-943,共7页
Service life of two different oxide anodes in phenolsulfonic acid (PSA) solution was investigated by accelerated electrolysis. The durability of Ti/IrO_2+Ta_2 O_5 anode increased by the addition of SnO_2 in the mixed... Service life of two different oxide anodes in phenolsulfonic acid (PSA) solution was investigated by accelerated electrolysis. The durability of Ti/IrO_2+Ta_2 O_5 anode increased by the addition of SnO_2 in the mixed oxides. The degradation mechanisms of Ti/IrO_2+ Ta_2 O_5 and Ti/IrO_2 +Ta_2 O_5 +SnO+2 anodes were different. It was shown from the observation of scanning electron microscopy (SEM) and the electrochcmical measurement that, the deactivation of Ti/IrO_2 + Ta_2 O_5 anode was due to the build-up of an organic film on surface. The growth of the covered film on surface was restricted by addition of SnO_2, which resulted in increasing of the service life of anodes. The over-potential for oxygen evolution on Ti/IrO_2 +Ta_2 O_5 electrode increased after doping SnO_2, and the intermediate products of PSA building-up on the surface was much more rapidly oxidized. Meanwhile, a certain part of the surface oxide deposit entered into the solution leading to loss of oxides, which resulted in degradation of Ti/IroO_2 + Ta_2 O_5 anode containing SnO_2 component. 展开更多
关键词 metal oxide anode IrO_2 + ta_2 O_5 IrO_2 + ta_2 O_5 +SnO_2 phenolsulfonic acid degradation
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津白Ⅱ小鼠自发乳癌(ⅥTA_2MA-891)高自发肺转移模型 被引量:12
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作者 高朋根 苏蕴 +3 位作者 高友春 刘习昌 王继信 张友会 《中国医学科学院学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期147-152,共6页
本模型获自我组1只348日龄雌性津白Ⅱ小鼠右侧第五乳腺处一肿物。病理切片检查为乳腺腺癌,属于Dunn(1959)分类之B型。用本组同源小鼠(isogeneicmice)皮下移植已传到27代。连续皮下移植成瘤率为100... 本模型获自我组1只348日龄雌性津白Ⅱ小鼠右侧第五乳腺处一肿物。病理切片检查为乳腺腺癌,属于Dunn(1959)分类之B型。用本组同源小鼠(isogeneicmice)皮下移植已传到27代。连续皮下移植成瘤率为100%,未见自然消退;潜伏期4~7d;肺转移瘤结多发而密集;最早转移时间,肉眼观察为接种后第35天,镜检为第10天。肺自发转移率,11~20代为100%。皮下移植瘤、肺转移瘤之病理组织结构及其癌细胞形态与其原发瘤近似。带瘤鼠濒死时其皮下移植瘤体积平均值为4.93cm3。7种抗癌药对皮下移植瘤抑制率,氟尿嘧啶为29.75%(P<0.05)、塞替派为44.88%(P<0.01)、环磷酰胺95.31%(P<0.01)、平阳霉素96.75%(P<0.01),其它三药抑制率均不足30%。对肺转移瘤抑制率,平阳霉素为42.54%(P<0.01),余不足30%。 展开更多
关键词 小鼠 移植 肺转移 乳腺癌
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TA_2薄板的双向拉伸试验研究 被引量:2
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作者 陈积光 豆志武 李冈陵 《岳阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2000年第1期46-49,共4页
TA_2钛板具有明显的各向异性和双向强化效应,其双向比例极限和屈服强度比其单向比例极限和屈服强度高40%。
关键词 钛板 双向拉伸 拉伸试验 金属钛
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THE STABILITY INVESTIGATION OF FERROELECTRIC SrBi_2Ta_2O_9 THIN FILMS ANNEALED IN FORMING GAS
5
作者 T. Yu D.S. Wang +4 位作者 D. Wu A.D. Li A. Hu Z.G. Liu N.B. Ming 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第1期58-60,共3页
The hysteresis loop changes of ferroelecric SrBi_2 Ta_2 O_9 (SBT) thin films(330nm) us the temperature of forming gas (5 percent hydrogen+95 percent nitrogen) annealing weremeasured when the annealing time was 1min an... The hysteresis loop changes of ferroelecric SrBi_2 Ta_2 O_9 (SBT) thin films(330nm) us the temperature of forming gas (5 percent hydrogen+95 percent nitrogen) annealing weremeasured when the annealing time was 1min and 10min. The selected annealing temperature was at 100deg C,200 deg C 250 deg C, 300 deg C, 350 deg C,400 deg C and 450 deg C, respectively. Our resultsshowed that the ferroelectric properties were easily destroyed and the leakage current changedabruptly when the SBT thin films were in their ferroelectric phase (<270 deg C). The space chargesat the grain boundary may take an important role' in absorption polarity molecular hydrogen when theSBT thin films were in the ferroelectric phase. The oxygen recovery experiments were also performedand investigated in this work. 展开更多
关键词 FERROELECTRIC SrBi_2 ta_2 O_9 thin film stability forming gas
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近交系TA_2小鼠的恶性淋巴瘤(L-TA_2)模型的建立和某些生物学特性的观察 被引量:7
6
作者 孙慧 候子正 +7 位作者 战忠利 毛慧生 王垣 宁连胜 韩宝国 齐淑玲 苏明秀 高进 《中国肿瘤临床》 CAS CSCD 北大核心 1993年第10期783-787,T000,共5页
本文报告一株新的近交系AT2小鼠自发性恶性淋巴瘤(B-淋巴细胞型)模型建立的经过及其一些生物学特性。历时4年多已传44代,肿瘤生长特性特写,移植率为100%,未见自发消退,宿主平均存活时间为31.2±5.5天,中... 本文报告一株新的近交系AT2小鼠自发性恶性淋巴瘤(B-淋巴细胞型)模型建立的经过及其一些生物学特性。历时4年多已传44代,肿瘤生长特性特写,移植率为100%,未见自发消退,宿主平均存活时间为31.2±5.5天,中数存活时间31.3天。经多种途径(如不同部位皮下,肌肉典型的淋巴瘤,已传代的肿瘤组织学结构和电镜观察与原发瘤基本相同。染色体检查为鼠类肿瘤染色体,众数以三倍体和四倍体、超四倍体为主。 展开更多
关键词 近交系鼠 淋巴瘤 移植模型
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原位生长Ta_(2)O_(5)纳米管包覆Ta的制备技术
7
作者 陈永志 代权衡 +5 位作者 王利华 高凯 李超 李荐 张晓红 周宏志 《湖南有色金属》 2025年第3期59-64,共6页
本研究旨在通过水热原位生长技术制备具有包覆结构的Ta_(2)O_(5)/Ta复合粉体材料,以解决现有研究中多集中于片/块状Ta材料的问题。以金属Ta粉为原料,采用HF(0.4 mol/L)和H_(2)O_(2)(2 mol/L)混合液作为水热溶剂,系统研究了反应条件对Ta... 本研究旨在通过水热原位生长技术制备具有包覆结构的Ta_(2)O_(5)/Ta复合粉体材料,以解决现有研究中多集中于片/块状Ta材料的问题。以金属Ta粉为原料,采用HF(0.4 mol/L)和H_(2)O_(2)(2 mol/L)混合液作为水热溶剂,系统研究了反应条件对Ta粉表面微观组织的影响。结果表明,在220℃下,经过9 h反应,成功制备出Ta_(2)O_(5)纳米管均匀包覆的Ta粉体材料。该方法实现了从金属Ta粉到复合粉体的原位转化,为制备高性能Ta_(2)O_(5)/Ta复合粉体提供了试验依据和理论支持,为陶瓷材料的增韧改性提供了新路径。 展开更多
关键词 ta_2O_5/Ta 包覆 水热原位生长 ta_2O_5纳米管
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MoSi_(2)含量对Ta_(0.8)Hf_(0.2)C-SiC-MoSi_(2)涂层抗烧蚀性能的影响
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作者 刘莹 李红 +4 位作者 姚彧敏 杨敏 陶银萍 任慕苏 孙晋良 《材料工程》 北大核心 2025年第6期235-243,共9页
Ta_(0.8)Hf_(0.2)C具有良好的热防护性能,适合在高温烧蚀环境中使用,MoSi_(2)是一种优异的烧结助剂且常用于抗烧蚀涂层中。为了研究MoSi_(2)含量对Ta_(0.8)Hf_(0.2)C-SiC-MoSi_(2)涂层抗烧蚀性能的影响,本研究采用料浆刷涂法在含有SiC... Ta_(0.8)Hf_(0.2)C具有良好的热防护性能,适合在高温烧蚀环境中使用,MoSi_(2)是一种优异的烧结助剂且常用于抗烧蚀涂层中。为了研究MoSi_(2)含量对Ta_(0.8)Hf_(0.2)C-SiC-MoSi_(2)涂层抗烧蚀性能的影响,本研究采用料浆刷涂法在含有SiC过渡涂层的C/C复合材料上制备了不同MoSi_(2)含量的Ta_(0.8)Hf_(0.2)C-SiC-MoSi_(2)涂层,并研究了不同涂层的相组成、微观形貌和烧蚀行为。结果表明,当MoSi_(2)质量分数为10%时,涂层的质量烧蚀率和线烧蚀率分别为1.24 mg·s^(-1)、0.02μm·s^(-1),表现出较好的抗烧蚀性能。这是因为涂层中MoSi_(2)的存在抑制了SiC的主动氧化,减少了SiC的消耗,在烧蚀过程中形成的液相层黏度较高,抵抗高温火焰的冲蚀的能力较强,有效地阻止了氧的扩散。 展开更多
关键词 C/C复合材料 Ta_(0.8)Hf_(0.2)C-SiC-MoSi_(2)涂层 料浆刷涂 烧蚀
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Monte Carlo Simulation of High-energy Particle Irradiation Effects on Ta_(2)O_(5) Optical Coatings
9
作者 JIANG Yuheng SONG Ruichen +3 位作者 JIA Yanan ZHOU Jianxin NIE Lanjian XIA Zhilin 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 2025年第6期1572-1580,共9页
We employed Monte Carlo simulations via Geant4 to model the interactions of^(60)Co gamma rays(1.25 MeV),electrons(0.1-10 MeV),and protons(0.5-10 MeV)with Ta_(2)O_(5)optical coatings.By analyzing secondary electron gen... We employed Monte Carlo simulations via Geant4 to model the interactions of^(60)Co gamma rays(1.25 MeV),electrons(0.1-10 MeV),and protons(0.5-10 MeV)with Ta_(2)O_(5)optical coatings.By analyzing secondary electron generation and energy deposition,we found that 1.0 MeV electrons and protons produce 67.5 and 67 secondary electrons per particle,respectively,compared to 116 from 1.25 MeV gamma rays in thick targets.Boltzmann-function fitting revealed depth-dependent ionization equivalence:0.582 gamma photons match the secondary electron yield of a 1.0 MeV electron,and 0.577 gamma photons match a 1.0 MeV proton.These results establish a framework to convert ground-based gamma-ray test data to space environment scenarios,accounting for critical differences in penetration depth-protons deposit energy within 10μm(coating layers),while gamma rays penetrate>100 mm into substrates.This provides a theoretical basis for evaluating radiation effects using existing^(60)Co facilities,enabling reliable predictions of optical component durability in complex space environments. 展开更多
关键词 ionization effect high-energy particles ^(60)Co gamma rays Ta_(2)O_(5)
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X射线荧光光谱法测定铝渣中Ta_(2)O_(5)和Nb_(2)O_(5)
10
作者 杨海岸 罗舜 +4 位作者 闫豫昕 李超 施昱 周娅 王海文 《云南冶金》 2025年第5期98-102,共5页
采用熔融法制作样片,X射线荧光光谱法测定以铝和硅为主体的铝渣中Ta_(2)O_(5)和Nb_(2)O_(5)的含量。结果表明,方法相对标准偏差(RSD)<3%(n=7),与ICP分析结果符合性较好,可以准确测定铝渣中Ta_(2)O_(5)和Nb_(2)O_(5)的含量。
关键词 X射线荧光光谱法 铝渣 Ta_(2)O_(5) Nb_(2)O_(5)
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退火温度对Ta_(2)O_(5)薄膜光学和表面特性的影响 被引量:1
11
作者 李坤 何延春 +5 位作者 王兰喜 周超 贺颖 王虎 王艺 熊玉卿 《真空与低温》 2024年第1期78-82,共5页
针对退火温度影响Ta_(2)O_(5)薄膜的光学和表面特性的问题,采用电子束蒸发技术在石英基底上制备了该薄膜,并将薄膜样品分别在200℃、400℃和600℃下进行退火。利用光谱仪测试了薄膜的透射率并反演计算得到薄膜的折射率和消光系数的变化... 针对退火温度影响Ta_(2)O_(5)薄膜的光学和表面特性的问题,采用电子束蒸发技术在石英基底上制备了该薄膜,并将薄膜样品分别在200℃、400℃和600℃下进行退火。利用光谱仪测试了薄膜的透射率并反演计算得到薄膜的折射率和消光系数的变化规律,采用X射线衍射仪和原子力显微镜表征了薄膜的表面性能。研究表明,薄膜透射率曲线的峰值随退火温度升高而显著提升。随着退火温度升高,薄膜的折射率和消光系数均逐渐变大,表面粗糙度呈现下降的趋势,表面变得致密。退火前后薄膜均为非晶态。该研究为进一步提高Ta_(2)O_(5)薄膜的性能提供了试验数据。 展开更多
关键词 Ta_(2)O_(5)薄膜 退火温度 光学 表面
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TaC_(0.3)-20%Ni复合材料的合成及组织性能
12
作者 魏彦博 管政 刘利盟 《山东化工》 CAS 2023年第5期5-10,共6页
以TaC、Ta和Ni粉为原料,采用热压法制备名义成分为TaC_(0.3)-20%(体积分数)Ni的复合材料,研究热压温度在1 100~1 900℃范围内变化对TaC+Ta反应进程、物相、显微组织和力学性能的影响。根据压头位移,致密化过程可分为四个阶段,反应致密... 以TaC、Ta和Ni粉为原料,采用热压法制备名义成分为TaC_(0.3)-20%(体积分数)Ni的复合材料,研究热压温度在1 100~1 900℃范围内变化对TaC+Ta反应进程、物相、显微组织和力学性能的影响。根据压头位移,致密化过程可分为四个阶段,反应致密化主要发生在第二阶段950~1 700℃,充分反应后,生成平衡物相Ta_2C和Ni_3Ta相。在1 600℃/30 MPa/30 min条件下热压,材料能够完全致密,并形成均匀的细晶组织(平均晶粒尺寸小于5μm),测量的抗弯强度和断裂韧性分别为(689±71) MPa和(5.72±0.57) MPa·m~(1/2)。当热压温度超过Ni_3Ta熔点(约1 500℃)较多时(例如T=1 700℃),熔化的Ni_3Ta被挤出而获得几乎单相的Ta_2C陶瓷材料。1 900℃条件下制备的复合材料中晶粒长大到40~50μm,虽然断裂韧性值可达到(6.96±0.38) MPa·m~(1/2),但粗大晶粒作为结构缺陷诱发裂纹扩展,使抗弯强度略降低到(546±44) MPa。 展开更多
关键词 ta_2C陶瓷 显微结构 力学性能
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氧氩比对Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管电学性能的影响
13
作者 王超 刘芙男 +2 位作者 杨帆 张含悦 杨小天 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1623-1629,共7页
为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO_(2)作为栅介质。相比传统的SiO_(2)薄膜,Ta_(2)O_(5)薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适... 为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO_(2)作为栅介质。相比传统的SiO_(2)薄膜,Ta_(2)O_(5)薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适用于新一代薄膜晶体管的发展。采用磁控溅射方法制备了Ta_(2)O_(5)薄膜,并以Ta_(2)O_(5)作为栅介质制备了AZO-TFT。研究了氧氩比条件对Ta_(2)O_(5)薄膜性质的影响,以及对AZO-TFT电学性能的影响;分析了Ta_(2)O_(5)薄膜的表面形貌及粗糙度对薄膜晶体管性能的影响;最后,对比了SiO_(2)栅介质与Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管的电学性能。实验结果表明氧氩比为10∶90时Ta_(2)O_(5)栅介质TFT器件电学性能最优,与传统SiO_(2)栅介质TFT相比,电流开关比由1.02×10^(3)提升到2×10^(4),亚阈值摆幅从5 V·dec^(-1)降到1.5 V·dec^(-1),迁移率从1.6 cm^(2)/(V·s)增加到12.2 cm^(2)/(V·s),器件电学性能得到一定改善。 展开更多
关键词 Ta_(2)O_(5)栅介质 薄膜晶体管 磁控溅射 氧氩比
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Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)铁电陶瓷的制备及热膨胀性能研究
14
作者 赵永秀 何春香 +2 位作者 高文杰 宋璐雯 杨龙海 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期7-11,共5页
由于Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)弛豫铁电陶瓷较高的烧结温度易导致Pb挥发,固相法制备难。首先,采用钨锰铁矿法合成纯相结构的ScTaO4和Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)粉体。其次,分别采用直接埋烧法、PbO过量法、两步烧结法对陶瓷的制备工艺... 由于Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)弛豫铁电陶瓷较高的烧结温度易导致Pb挥发,固相法制备难。首先,采用钨锰铁矿法合成纯相结构的ScTaO4和Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)粉体。其次,分别采用直接埋烧法、PbO过量法、两步烧结法对陶瓷的制备工艺进行探索。最后,对陶瓷的热膨胀性能进行分析。结果表明:直接埋烧法和PbO过量法产生了大量焦绿石相和钽氧化物,合成的主晶相较少。两步烧结法有效抑制了Pb的挥发,制备的陶瓷以立方钙钛矿相为主。随温度升高,热应变呈现升高趋势,在-150~150℃内,其值为正。热膨胀率与温度的关系图为V型,约为-30℃时热膨胀系数最低,其值为负。 展开更多
关键词 Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)陶瓷 相结构 两步烧结法 热膨胀性能
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钛制降膜蒸发器的焊接工艺研究
15
作者 曲金光 《焊接技术》 北大核心 1998年第2期28-30,共3页
针对钛制产品焊接要求焊材具有较高纯净度,以及焊接时易污染、易产生缺陷等特点,比较全面地分析论述了焊接中缺陷产生的原因及防止缺陷产生应采取的措施。钛制产品采用手工TIG焊方法,焊丝选择、焊前及焊接间清理及保护显得十分重... 针对钛制产品焊接要求焊材具有较高纯净度,以及焊接时易污染、易产生缺陷等特点,比较全面地分析论述了焊接中缺陷产生的原因及防止缺陷产生应采取的措施。钛制产品采用手工TIG焊方法,焊丝选择、焊前及焊接间清理及保护显得十分重要,本文就此示范了一些常规的处置方法,通过生产实践证明。 展开更多
关键词 钨极隋性气体保护焊 降膜蒸发器 ta_2钛材 应用
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基于悬浮液等离子喷涂的Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3)悬浮液制备及涂层组织结构 被引量:3
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作者 曹毓鹏 赵王鑫 +6 位作者 李立 马新野 郑晓霞 刘义 李文辉 宁先进 王全胜 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2024年第3期493-502,共10页
【目的】常规大气等离子喷涂制备新型热障涂层陶瓷层候选材料Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3)(BMT)涂层应变容限较低。【方法】基于悬浮液等离子喷涂技术(SPS),以乙醇为分散介质,聚丙烯酸(PAA)、聚乙烯亚胺(PEI)和聚乙二醇(PEG)为分散剂,借... 【目的】常规大气等离子喷涂制备新型热障涂层陶瓷层候选材料Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3)(BMT)涂层应变容限较低。【方法】基于悬浮液等离子喷涂技术(SPS),以乙醇为分散介质,聚丙烯酸(PAA)、聚乙烯亚胺(PEI)和聚乙二醇(PEG)为分散剂,借助机械球磨制备了不同成分配比的BMT悬浮液。通过重力沉降观察法、紫外-可见分光光度计、Zeta电位仪对悬浮液的分散行为进行了研究,分析了分散剂种类及添加量对BMT悬浮液稳定性的影响;并利用SPS沉积了BMT涂层,对涂层的物相结构、表面形貌和截面组织进行了表征分析。【结果】结果表明:分散剂PEI在BMT颗粒表面吸附能够提高其Zeta电位,增强颗粒间斥力,并提供空间位阻作用,相比PAA和PEG,BMT悬浮液可以获得更好的分散效果。同时,添加PEI的BMT悬浮液黏度较低(介于1.5~2mPa·s),适用于SPS.由SPS制备的BMT涂层基本维持了BMT的物相结构,涂层呈现明显的柱状晶组织,且随悬浮液固含量的提高,涂层沉积效率增加,所形成的柱状晶体积更大,符合高应变容限涂层的组织结构特征。 展开更多
关键词 Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3) 悬浮液等离子喷涂 分散剂 稳定性 组织结构
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放电等离子烧结制备高纯Ta_(2)AlC陶瓷及其高温氧化行为 被引量:1
17
作者 胡聪 应国兵 +6 位作者 刘璐 孙铖 文栋 张建峰 张晨 王香 王乘 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期12044-12048,共5页
以Ta粉、Al粉和炭黑粉为原料,利用自蔓延高温合成、无压烧结和放电等离子烧结组合工艺,成功制备了高纯Ta_(2)AlC块体陶瓷,研究了放电等离子烧结制备的Ta_(2)AlC块体的微观形貌与性能。制备的Ta_(2)AlC块体的硬度、弯曲强度和断裂韧性分... 以Ta粉、Al粉和炭黑粉为原料,利用自蔓延高温合成、无压烧结和放电等离子烧结组合工艺,成功制备了高纯Ta_(2)AlC块体陶瓷,研究了放电等离子烧结制备的Ta_(2)AlC块体的微观形貌与性能。制备的Ta_(2)AlC块体的硬度、弯曲强度和断裂韧性分别为5.6 GPa、510 MPa和6.16 MPa·m^(1/2)。放电等离子烧结工艺升温速率快、烧结时间短、制备的陶瓷晶粒细小,细晶强化效果明显,使得块体陶瓷有明显的高硬度和强度。Ta_(2)AlC陶瓷在700~900℃空气中恒温氧化时,表现出线性氧化动力学特征,氧化层的主要成分从700℃的Ta_(2)O_(5)逐渐转变成800~900℃时的Ta_(2)O_(5)和AlTaO_(4)。 展开更多
关键词 Ta_(2)AlC 放电等离子烧结 力学性能 氧化行为
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面向集装箱安检应用的Mg_(4)Ta_(2)O_(9)闪烁晶体及其掺杂改性 被引量:2
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作者 马云峰 徐家跃 +1 位作者 蒋毅坚 BOURRET-COURCHESNE Edith 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第10期1870-1878,共9页
钽酸镁(Mg_(4)Ta_(2)O_(9))晶体的衰减时间快于CdWO_(4)晶体,光产额及能量分辨率高于CdWO_(4)晶体,低余辉特性和CdWO_(4)类似,在0.01%/3 ms左右,又由于Mg_(4)Ta_(2)O_(9)晶体材料无毒性元素,使其成为具有替代含有毒Cd元素的CdWO_(4)晶体... 钽酸镁(Mg_(4)Ta_(2)O_(9))晶体的衰减时间快于CdWO_(4)晶体,光产额及能量分辨率高于CdWO_(4)晶体,低余辉特性和CdWO_(4)类似,在0.01%/3 ms左右,又由于Mg_(4)Ta_(2)O_(9)晶体材料无毒性元素,使其成为具有替代含有毒Cd元素的CdWO_(4)晶体,应用于集装箱安检领域的最佳候选材料之一。本文综述了Mg_(4)Ta_(2)O_(9)晶体的结构特性、晶体生长、闪烁性能及掺杂改性等方面的研究进展,发现通过掺杂Zn或Nb能显著提高其光产额。 展开更多
关键词 钽酸镁晶体 Mg_(4)Ta_(2)O_(9) 闪烁晶体 微下拉法 光学浮区法 掺杂
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渗碳处理对等离子喷涂TaC涂层结构和物相组成的影响 被引量:1
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作者 洪督 黄利平 +5 位作者 黄山松 钟鑫 石旻昊 丁毅 牛亚然 郑学斌 《热喷涂技术》 2023年第2期13-18,共6页
TaC涂层在还原气氛下能耐酸、碱、盐等物质的腐蚀,是优异的表面防护涂层材料。本文结合喷雾干燥与等离子球化技术制备TaC粉体,并采用真空等离子喷涂技术制备TaC涂层。采用真空碳管炉对涂层进行渗碳处理,比较研究不同渗碳温度对涂层结构... TaC涂层在还原气氛下能耐酸、碱、盐等物质的腐蚀,是优异的表面防护涂层材料。本文结合喷雾干燥与等离子球化技术制备TaC粉体,并采用真空等离子喷涂技术制备TaC涂层。采用真空碳管炉对涂层进行渗碳处理,比较研究不同渗碳温度对涂层结构和物相组成的影响。结果发现,相较于喷雾造粒,等离子球化处理的TaC粉体呈致密球形,该粉体制备的涂层较为致密,孔隙率较低。此外,喷涂过程中TaC发生脱碳产生Ta_(2)C相,而渗碳反应可以将喷涂过程中产生的Ta_(2)C相转化成TaC相。Ta_(2)C与C反应生成TaC的过程受动力学控制,当渗碳温度超过900℃时,几乎完全转化为TaC相。 展开更多
关键词 TAC Ta_(2)C 等离子喷涂 渗碳
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电解液的循环使用对阳极氧化Ta_(2)O_(5)纳米管形貌的影响
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作者 杨帅 刘施峰 +3 位作者 张静 柳亚辉 邓超 祝佳林 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第S01期112-115,共4页
以高纯钽片为原料,将其依次放入体积比为9∶1的H_(2)SO_(4)/HF电解液中进行阳极氧化,制备了五氧化二钽(Ta_(2)O_(5))纳米管。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了第2、10、25、35、50片上制备的Ta_(2)O_(5)纳米管的形貌,研究了电解液的循环... 以高纯钽片为原料,将其依次放入体积比为9∶1的H_(2)SO_(4)/HF电解液中进行阳极氧化,制备了五氧化二钽(Ta_(2)O_(5))纳米管。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了第2、10、25、35、50片上制备的Ta_(2)O_(5)纳米管的形貌,研究了电解液的循环使用对阳极氧化Ta_(2)O_(5)纳米管形貌的影响规律。实验结果表明,随着电解液循环使用次数的增加,Ta_(2)O_(5)纳米管顶部由团簇变为松散、管长变长、管径基本保持稳定,纳米管之间缝隙逐渐增大,这都与电解液中溶质F-的浓度及分布均匀性的变化相关。 展开更多
关键词 电解液 循环使用 阳极氧化 Ta_(2)O_(5)纳米管
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